【技术实现步骤摘要】
量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置及方法
本专利技术属于量子光场制备
，尤其涉及一种量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置及方法。
技术介绍
目前量子光场的制备是由单频激光器通过PPKTP晶体产生的。量子光场生成中的稳定因素之一就是需要极高的晶体温度控制精度，例如PPKTP晶体的温度需要控制在23℃，温度误差不超过0.01℃。目前，这类晶体的温度控制都是工业中较为常规的PID算法控制，或通过传统的人工调控帕尔帖电流开关来控制PPKTP晶体温度，这种方法有较大滞后性和误差，极大地影响着量子光场制备的稳定性，成为制约量子光场制备从实验室走到产业运用过程中的主要难点。另外，现有PPKTP晶体的安装方式使得PPKTP晶体容易受扰动，严重影响量子光场制备的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提出了一种量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置及方法。本专利技术采取的技术方案如下：本专利技术量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置，包括PPKTP晶体、磁悬...
【技术保护点】
1.量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置，包括PPKTP晶体、帕尔贴和温度传感器，其特征在于：还包括磁悬浮系统、SPWM电流开关驱动器和PWM电流开关驱动器；转子置于晶体上盖支架的安装槽内，PPKTP晶体置于晶体下托支架的安装槽内，PPKTP晶体与转子固定；转子与固定在晶体上盖支架的安装槽内的支撑轴构成转动副；晶体上盖支架与晶体下托支架固定；转子采用磁性材料，由磁悬浮系统定位；所述的帕尔贴置于晶体下托支架和晶体安装底座之间，并由晶体下托支架和晶体安装底座压紧；晶体安装底座与晶体下托支架固定；所述的温度传感器置于晶体上盖支架以及晶体下托支架的侧部槽口内，并由晶体上盖支架...
【技术特征摘要】
1.量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置，包括PPKTP晶体、帕尔贴和温度传感器，其特征在于：还包括磁悬浮系统、SPWM电流开关驱动器和PWM电流开关驱动器；转子置于晶体上盖支架的安装槽内，PPKTP晶体置于晶体下托支架的安装槽内，PPKTP晶体与转子固定；转子与固定在晶体上盖支架的安装槽内的支撑轴构成转动副；晶体上盖支架与晶体下托支架固定；转子采用磁性材料，由磁悬浮系统定位；所述的帕尔贴置于晶体下托支架和晶体安装底座之间，并由晶体下托支架和晶体安装底座压紧；晶体安装底座与晶体下托支架固定；所述的温度传感器置于晶体上盖支架以及晶体下托支架的侧部槽口内，并由晶体上盖支架和晶体下托支架压紧；温度传感器测量PPKTP晶体的温度，温度传感器的信号输出端接PWM电流开关驱动器的输入端，SPWM电流开关驱动器的输入端接PWM电流开关驱动器的输出端，帕尔贴接SPWM电流开关驱动器的输出端；装置供电电源为PWM电流开关驱动器和SPWM电流开关驱动器供电。
2.根据权利要求1所述量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置，其特征在于：所述的装置供电电源为交流电源。
3.根据权利要求1所述量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置，其特征在于：所述的PPKTP晶体为长方体，横截面为正方形。
4.根据权利要求1所述量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置，其特征在于：所述的温度传感器为圆柱体，测头朝内。
5.根据权利要求1、2、3或4所述量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置，其特征在于：所述的磁悬浮系统由磁悬浮传感器、磁悬浮控制器和磁悬浮执行器组成；所述的磁悬浮控制器通过磁悬浮底座固定在晶体上盖支架上；磁悬浮传感器和两个磁悬浮执行器均固定在磁悬浮控制器上，且磁悬浮传感器正对与PPKTP晶体固定的转子，两个磁悬浮执行器置于支撑轴两侧；所述的磁悬浮执行器包括电磁铁和功率放大器；磁悬浮传感器的信号输出端与磁悬浮控制器连接，电磁铁通过功率放大器与磁悬浮控制器连接。
6.根据权利要求5所述量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置对PPKTP晶体的定位与温控方法，其特征在于：该方法具体如下：
对PPKTP晶体的定位过程如下：当PPKTP晶体受到扰动偏离参考位置时，磁悬浮传感器检测出转子偏离参考...
【专利技术属性】
技术研发人员：李蓉，翁佳豪，孟庆铭，陆伟，吴占彬，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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