【技术实现步骤摘要】
一种MAPbI3厚膜的表面处理方法
本专利技术属于钙钛矿膜制备
，特别涉及一种MAPbI3厚膜的表面处理方法。
技术介绍
MAPbI3厚膜是一种钙钛矿材料，其光电性能优越，且平均原子序数大，很适合作为辐射探测器材料。MAPbI3厚膜属于多晶材料，申请人发现其表面粗糙度大，体内孔洞多。而高的膜致密度有利于X射线的吸收、提高膜的均匀性，减少内部的缺陷。光滑的表面有利于减少膜表面悬挂键，提高稳定性和表面载流子寿命。目前的MAPbI3厚膜内部缺陷和表面缺陷都很高。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的高屈服一次MAPbI3厚膜的表面处理方法。本专利技术实施例提供了一种MAPbI3厚膜的表面处理方法，所述方法包括：获得MAPbI3厚膜初品；将所述MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面，压制后，获得MAPbI3厚膜；在所述压制过程中，保持所述MAPbI3厚膜初品的温度恒定，所述MAPbI3厚膜初品的温度为25℃-120℃。...
【技术保护点】
1.一种MAPbI3厚膜的表面处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n获得MAPbI3厚膜初品；/n将所述MAPbI
【技术特征摘要】
1.一种MAPbI3厚膜的表面处理方法，其特征在于，所述方法包括：
获得MAPbI3厚膜初品；
将所述MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面，均匀压力压制后，获得MAPbI3厚膜；在整个所述压制过程中，保持所述MAPbI3厚膜初品的温度恒定，所述MAPbI3厚膜初品的温度为25℃-120℃。
2.根据权利要求1所述的MAPbI3厚膜的表面处理方法，其特征在于，所述PI膜为柔性PI膜或吸附于硬质基底的PI膜。
3.根据权利要求1所述的MAPbI3厚膜的表面处理方法，其特征在于，所述压制中，压制的压力对所述MAPbI3厚膜初品产生的压强为3MPa-6MPa。
4.根据权利要求1所述的MAPbI3厚膜的表面处理方法，其特征在于，所述MAPbI3厚膜初品为纯MAPbI3制成的厚膜；
或者为掺杂了其他卤素或卤素离子的MAPbI3厚膜初品；
或者为掺杂了FA、Cs的阳离子的MAPbI3厚膜初品。
5.根据权利要求4所述的MAPbI3厚膜的表面处理方法，其特征在于，所述MAPbI3厚膜初品中还包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，以物质的量计，所述三羟甲基丙烷三丙烯酸酯至少是所述MAPbI3的10％。
6.根据权利要求1所述的MAPbI3厚膜的表面处理方法，其特征在于，所述获得MAPbI3厚膜初品，具体包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐江，牛广达，宋子豪，夏梦玲，巫皓迪，
申请(专利权)人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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