镀膜硅片分选系统及硅片镀膜系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种镀膜硅片分选系统及硅片镀膜系统，所述镀膜硅片分选系统包括用于传送镀膜硅片的传送机构、沿传送机构依次设置的测试机构、分选机构以及数据处理及控制机构，所述测试机构用于对镀膜硅片进行测试，所述数据处理及控制机构与所述测试机构及分选机构信号连接，所述数据处理及控制机构根据所述测试机构的测试结果控制所述分选机构对所述镀膜硅片进行分选。如此设置，可在产线上对大量的镀膜硅片进行测试并进行分选，测试效率高，进一步提高了电池片的生产效率及电池片质量。

【技术实现步骤摘要】
镀膜硅片分选系统及硅片镀膜系统
本技术涉及光伏生产领域，尤其涉及一种镀膜硅片分选系统及硅片镀膜系统。
技术介绍
随着能源危机以及环境保护不断增长的压力，新能源已经成为社会发展的趋势，太阳能电池作为新能源的重要组成部分得到了越来越多的认同。现有技术中的晶体硅太阳能电池的制造流程为：硅片表面清洗及织构化、扩散、清洗、刻蚀、去边、镀钝化膜，镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触及测试。该制造工艺相对简单，成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，镀钝化膜及镀减反射膜是太阳能电池制造流程中的关键步骤，镀膜的厚薄直接影响电池片的颜色和转换效率，而折射率的高低也是影响电池片性质的关键指标。现有的镀膜方式主要为管式镀膜及板式镀膜两种。镀膜完成后，由操作人员按照一定规则和一定的频率抽取硅片，然后量测硅片的镀膜厚度和折射率，当量测数据异常时，操作人员会反馈给镀膜工程师，镀膜工程师会根据量测数据调整工艺参数，使镀膜恢复到正常的范围，产生的不良品由现场的作业人员做返工处理。上述方式的缺点有：镀膜硅片的测试为随机抽样进行，无法保证每片镀膜硅片均被检测到，因此漏检的硅片若为不良品，则无法反馈到工艺工程师，及时进行工艺干预，进而导致更多的不良品产出。进一步地，漏检的不良品流向后面工序，会造成不良电池片的产生。另外，该方式需要操作人员手工进行膜厚和折射率的量测，同时也需要手工挑选异常片，增加了现场人力成本。而且，由于测试仪器是离线设置的，现场无法进行大量的测试数据的收集，导致工程师无法准确的判断异常，从而增加处理时间和不良品的比例。因此，有必要设计一种镀膜硅片分选系统及硅片镀膜系统，以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可大量测试镀膜硅片的镀膜硅片分选系统。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种镀膜硅片分选系统，其包括用于传送镀膜硅片的传送机构、沿传送机构依次设置的测试机构、分选机构以及数据处理及控制机构，所述测试机构用于对镀膜硅片进行测试，所述数据处理及控制机构与所述测试机构及分选机构信号连接，所述数据处理及控制机构根据所述测试机构的测试结果控制所述分选机构对所述镀膜硅片进行分选。作为本技术进一步改进的技术方案，所述分选机构包括转轨装置、与所述转轨装置相连的不良品下料部及良品下料部，所述转轨装置与所述数据处理及控制机构信号连接，所述数据处理及控制机构根据所述测试机构的测试结果控制所述转轨装置将所述镀膜硅片转向不良品下料部或良品下料部。作为本技术进一步改进的技术方案，所述传送机构包括驱动装置及传送带，所述测试机构设于所述传送带的上方，当所述传送带带动所述镀膜硅片经过所述测试机构时，所述测试机构对镀膜硅片进行测试。作为本技术进一步改进的技术方案，所述测试机构包括第一测试仪，所述第一测试仪用于测量镀膜硅片的镀膜厚度。作为本技术进一步改进的技术方案，所述测试机构包括第二测试仪，所述第二测试仪用于测量镀膜硅片的折射率。本技术的目的还在于提供一种自行调整镀膜工艺参数的硅片镀膜系统。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：包括镀膜机构及上述任一项所述的镀膜硅片分选系统，所述镀膜机构用于对硅片进行镀膜，所述数据处理及控制机构与所述镀膜机构信号连接，所述数据处理及控制机构根据所述测试机构的测试结果对镀膜机构的镀膜的工艺参数进行调整。作为本技术进一步改进的技术方案，镀膜时，所述镀膜硅片承载于石墨舟内，所述镀膜硅片在所述镀膜机构内的位置信息存储于所述数据处理及控制机构内，所述镀膜硅片分选系统还包括机械手，所述机械手将所述镀膜硅片按顺序放置于所述传送机构。作为本技术进一步改进的技术方案，当经过所述测试机构的镀膜硅片为不良品时，所述数据处理及控制机构根据所述不良品的位置信息调整所述镀膜机构内该位置处的工艺参数，所述工艺参数为膜沉积温度或膜沉积速度。作为本技术进一步改进的技术方案，所述转轨装置将所述不良品转向所述不良品下料部。作为本技术进一步改进的技术方案，当经过所述测试机构的镀膜硅片为良品时，所述转轨装置将所述良品转向所述良品下料部。由以上技术方案可知，本技术的镀膜硅片分选系统将数据处理及控制系统与测试机构及分选机构连接，根据测试机构的测试数控制分选机构作业，使得良品及不良品可以完全分开，防止不良品流入后续工序，提高了电池片的质量；另外通过传送带传送镀膜硅片，可以在产线上对大量镀膜硅片进行测试，无需额外配备测量人员，节约人力成本，可保证100％检测，准确率高。附图说明图1为本技术硅片镀膜系统的示意图。图2为本技术镀膜机构的模拟图像的示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述。请参图1所示，本技术提供一种硅片镀膜系统，其包括镀膜机构1及镀膜硅片分选系统，镀膜机构1用于对硅片进行镀膜以生成镀膜硅片，镀膜机构1包括镀膜主机及沉淀炉。本技术中，硅片装载于石墨舟上后放置于镀膜机构1内进行镀膜。镀膜硅片分选系统包括机械手、用于传送镀膜硅片的传送机构2、沿传送机构2依次设置的测试机构3、4、分选机构5、数据处理及控制机构6。传送机构2包括驱动装置及传送带，测试机构3、4设于传送带的上方，当传送带带动镀膜硅片经过测试机构3、4时，测试机构3、4对镀膜硅片的各项参数进行测试。机械手用于将石墨舟上的镀膜硅片按顺序放置于传送机构2上。测试机构3、4包括第一测试仪3及第二测试仪4，第一测试仪3用于测量镀膜硅片的镀膜厚度；第二测试仪4用于测量镀膜硅片的折射率。数据处理及控制机构6分别与测试机构3、4及分选机构5信号连接，用于对测试机构3、4的测试数据进行分析，并根据测试数据控制分选机构5对镀膜硅片进行分选。具体的，分选机构5包括转轨装置51、与转轨装置51相连的良品下料部52及不良品下料部53，转轨装置51与数据处理及控制机构6信号连接，数据处理及控制机构6根据测试机构3、4的测试结果控制转轨装置51将镀膜硅片转向不良品下料部53或良品下料部52。具体的，当经过测试机构3、4的镀膜硅片为不良品时，转轨装置51将不良品转向不良品下料部；当经过测试机构3、4的镀膜硅片为良品时，转轨装置51将良品转向良品下料部52。另外，数据处理及控制机构6还与镀膜机构1信号连接，数据处理及控制机构6根据测试机构3、4的测试结果对镀膜机构1的镀膜的工艺参数进行调整。镀膜时，镀膜硅片在镀膜机构1内的位置信息存储于数据处理及控制机构6内。由于机械手是按顺序抓取镀膜硅片放置于传送带上，而镀膜硅片在石墨舟上的位置也是固定的。当镀膜硅片顺序通过测试机构3、4时，每片镀膜硅片测试数据均可准确对应到石墨舟上的镀膜硅片位置，进而可对应到该片镀膜硅片在镀膜机构内的位置，通过数据处理及控制机构6的处理，将分析结果反馈到镀膜主机，同时生成模拟图像，方便操作人本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀膜硅片分选系统，其特征在于：包括用于传送镀膜硅片的传送机构、沿传送机构依次设置的测试机构、分选机构以及数据处理及控制机构，所述测试机构用于对镀膜硅片进行测试，所述数据处理及控制机构与所述测试机构及分选机构信号连接，所述数据处理及控制机构根据所述测试机构的测试结果控制所述分选机构对所述镀膜硅片进行分选。/n

【技术特征摘要】
1.一种镀膜硅片分选系统，其特征在于：包括用于传送镀膜硅片的传送机构、沿传送机构依次设置的测试机构、分选机构以及数据处理及控制机构，所述测试机构用于对镀膜硅片进行测试，所述数据处理及控制机构与所述测试机构及分选机构信号连接，所述数据处理及控制机构根据所述测试机构的测试结果控制所述分选机构对所述镀膜硅片进行分选。


2.如权利要求1所述的镀膜硅片分选系统，其特征在于：所述分选机构包括转轨装置、与所述转轨装置相连的不良品下料部及良品下料部，所述转轨装置与所述数据处理及控制机构信号连接，所述数据处理及控制机构根据所述测试机构的测试结果控制所述转轨装置将所述镀膜硅片转向不良品下料部或良品下料部。


3.如权利要求1所述的镀膜硅片分选系统，其特征在于：所述传送机构包括驱动装置及传送带，所述测试机构设于所述传送带的上方，当所述传送带带动所述镀膜硅片经过所述测试机构时，所述测试机构对镀膜硅片进行测试。


4.如权利要求1所述的镀膜硅片分选系统，其特征在于：所述测试机构包括第一测试仪，所述第一测试仪用于测量镀膜硅片的镀膜厚度。


5.如权利要求1所述的镀膜硅片分选系统，其特征在于：所述测试机构包括第二测试仪，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣瑞，刘昌杰，苏晶晶，侯玉，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32