TOF图像传感器像素结构及测距系统技术方案

本实用新型专利技术属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器及传输电路。光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与第三感光区域连接的传输电路。因此，本实用新型专利技术通过电位从高到低的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，从而能够使得该电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够提高测距精度。

【技术实现步骤摘要】
TOF图像传感器像素结构及测距系统
本技术涉及图像传感器
，特别是涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统。
技术介绍
图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分，根据元件的不同，图像传感器可以分为CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件)图像传感器和CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器两大类。而由于CMOS图像传感器具有功耗、成本低、易于标准化生产等优点，在各个领域得到了广泛应用。随着三维成像信息技术的迅速发展，特别是建筑测量、室内定位和导航、立体影像和辅助生活环境应用对飞行时间(Time-of-Flight，TOF)成像提出了迫切需求，应用于飞行时间成像系统的CMOS图像传感器像素结构也得了快速的发展。TOF图像传感器可以分为dTOF图像传感器和iTOF图像传感器。其中，dTOF图像传感器，直接测量飞行时间，即测量发射光脉冲与接收光脉冲的时间间隔。其中，iTOF图像传感器，间接测量飞行时间，通常采用一种测相位偏移的方法，即测量发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TOF图像传感器像素结构，其特征在于，包括光传感器及传输电路；/n所述光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与所述第三感光区域连接的所述传输电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种TOF图像传感器像素结构，其特征在于，包括光传感器及传输电路；
所述光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与所述第三感光区域连接的所述传输电路。


2.如权利要求1所述的TOF图像传感器像素结构，其特征在于，所述光传感器的下端的形状包括一倒梯形，且所述光传感器的整体形状呈U形。


3.如权利要求1或2所述的TOF图像传感器像素结构，其特征在于，所述光传感器为中轴对称结构；
所述第一感光区域位于所述光传感器的上端，包括至少两个感光部，所述至少两个感光部以所述中轴对称设置，且相邻的两个感光部之间设有开口区；
所述第二感光区域和所述第三感光区域均位于所述光传感器的下端，且所述第三感光区域位于所述下端的底部，其中，第三感光区域的掺杂浓度高于所述第二感光区域的掺杂浓度；
所述第三感光区域为中轴对称结构。


4.如权利要求3所述的TOF图像传感器像素结构，其特征在于，所述至少两个感光部的数量为3个，所述开口区的数量为2个。


5.如权利要求4所述的TOF图像传感器像素结构，其特征在于，所述开口区为矩形，其宽度范围为0.2-0.8um。


6.如权利要求5所述的TOF图像传感器像素结构，其特征在于，所述开口区的宽度为0.4um。


7.如权利要求3所述的TOF图像传感器像素结构，其特征在于，所述光传感器是通过对完整的U形光传感器上端进行图案化处理以形成所述第一感光区域，以及对所述完整的U形光传感器下端的底部进行掺杂材料增加处理以形成所述第三感光区域而得到。


8.如权利要求7所述的TOF图像传感器像素结构，其特征在于，所述图案化处理包括对所述完整的U形光传感器上端进行打洞处理以形成填充区，并在所述填充区内填充P型材料以形所述开口区...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴顺麒，任冠京，莫要武，石文杰，侯金剑，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31