一种小型化SIW谐振腔及其构成的宽阻带SIW滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种小型化SIW谐振腔及其构成的宽阻带SIW滤波器，提出了一种新型的容性加载方案，在传统SIW谐振腔的基础上，通过将腔体中心的部分底层金属向内凹陷，也就是减小部分底层金属与底层金属之间的间距，对SIW谐振腔的TE

【技术实现步骤摘要】
一种小型化SIW谐振腔及其构成的宽阻带SIW滤波器
本技术属于波导滤波器设计
，具体涉及一种小型化的宽阻带基片集成波导滤波器。
技术介绍
基片集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide,SIW)滤波器因其优异的滤波特性，如高品质、大容量功率、易于平面电路集成等特点，在过去数十年间收到学术界与工业界的广泛官洲。尽管它在许多方面具有优势，SIW滤波器也有天然的不足，其一，它的尺寸相对微带滤波器偏大，在系统应用中将收到尺寸的限制；其二、SIW滤波器的高次模频率离通带频率较近，难以实现阻带特性。就不断发展的无线通信技术而言，小型化、高性能是未来通信系统的发展趋势，因而实现小型化、宽度带微波滤波器必将得到进一步的开发与应用。目前，SIW滤波器小型号技术包括1/n模切割技术、多层折叠技术以及加载技术。1/n模切割技术是将SIW谐振腔中沿中心线切割，得到半模、四分之一模、八分之一模、甚至十六分之一模，从而大大减小尺寸，但缺点是会造成Q值降低、插损增加；多层折叠技术是将SIW谐振腔垂直叠层分布，减小横向面积，但加工复杂，成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种小型化SIW谐振腔，其特征在于，包括顶层基板(1)和底层基板(2)，所述顶层基板(1)和底层基板(2)四周通过第一金属化过孔(3)构成电壁形成所述小型化SIW谐振腔的矩形腔体结构；/n所述底层基板(2)表面中心设置有一个矩形金属贴片(4)，所述矩形金属贴片(4)四周设置有第二金属化过孔(5)，且所述第二金属化过孔(5)与所述底层基板(2)上的底层金属连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种小型化SIW谐振腔，其特征在于，包括顶层基板(1)和底层基板(2)，所述顶层基板(1)和底层基板(2)四周通过第一金属化过孔(3)构成电壁形成所述小型化SIW谐振腔的矩形腔体结构；
所述底层基板(2)表面中心设置有一个矩形金属贴片(4)，所述矩形金属贴片(4)四周设置有第二金属化过孔(5)，且所述第二金属化过孔(5)与所述底层基板(2)上的底层金属连接。


2.根据权利要求1所述的小型化SIW谐振腔，其特征在于，所述顶层基板(1)和底层基板(2)的基板材料为Rogers5880，介电常数为2.2，损耗角正切为0.0009；
所述顶层基板(1)的厚度为0.127mm，所述底层基板(2)的厚度为0.508mm；
所述顶层基板(1)和底层基板(2)上下表面均设置有一层厚度为0.018mm的金属铜。


3.根据权利要求1所述的小型化SIW谐振腔，其特征在于，所述第一金属化过孔(3)的半径为0.3mm，所述第二金属化过孔(5)的半径为0.2mm。


4.一种包括权利要求1所述的小型化SIW谐振腔的宽阻带SIW滤波器，其特征在于，包括级联的第一小型化SIW谐振腔、第二小型化SIW谐振腔和第三小型化SIW谐振腔；
所述第一小型化SIW谐振腔、第二小型化SIW谐振腔和第三小型化SIW谐振腔的顶层基板和底层基板均通过PCB加工工艺加工成统一整体，作为宽阻带SIW滤波器的顶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：董元旦，朱谊龙，杨涛，
申请(专利权)人：成都频岢微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51