【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本申请涉及显示面板
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
LTPO是一种低功耗显示技术，LTPOTFT具有比LTPSTFT更低的驱动功率，越来越受到人们的追捧。目前常见的LTPO产品为双层SD结构，使用双层SD结构通常有17-18Mask。在现有的制程中，为了加强弯折区的弯折性能，一般是对弯折区的无机层进行两次开孔以形成ODH(OrganicDeepHole)孔再填充有机材料，对工艺精度要求较高，容易影响产品良率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，以在保证弯折区的弯折性能的同时提高产品良率。本申请实施例提供了一种显示面板，包括第一区和连接于所述第一区的弯折的第二区，所述显示面板包括：柔性基板，其中，所述柔性基板的底部设有第一开口，所述第一开口位于所述第二区内；位于所述柔性基板远离所述第一开口一侧上的第一无机层；位于所述第一无机层上并位于所述第一区内的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括硅半导体层，所述第二薄膜晶体管...
【技术保护点】
1.一种显示面板，包括第一区和连接于所述第一区的弯折的第二区，其特征在于，所述显示面板包括：/n柔性基板，其中，所述柔性基板的底部设有第一开口，所述第一开口位于所述第二区内；/n位于所述柔性基板远离所述第一开口一侧上的第一无机层；/n位于所述第一无机层上并位于所述第一区内的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括金属氧化物半导体层；/n位于所述硅半导体层上的第二无机层，其中所述第二无机层设有第二开口，所述第二开口位于所述第二区内，所述第二开口与所述第一开口至少部分重叠；以及/n位于所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和...
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括第一区和连接于所述第一区的弯折的第二区，其特征在于，所述显示面板包括：
柔性基板，其中，所述柔性基板的底部设有第一开口，所述第一开口位于所述第二区内；
位于所述柔性基板远离所述第一开口一侧上的第一无机层；
位于所述第一无机层上并位于所述第一区内的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括金属氧化物半导体层；
位于所述硅半导体层上的第二无机层，其中所述第二无机层设有第二开口，所述第二开口位于所述第二区内，所述第二开口与所述第一开口至少部分重叠；以及
位于所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二无机层上的有机层，所述有机层位于所述第二开口内。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层包括位于所述硅半导体层上的第一栅极绝缘层，所述第二开口部分贯穿所述第一栅极绝缘层。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述第二开口内的信号线，所述信号线的底部与所述硅半导体层的顶部齐平。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层还包括位于所述第一栅极绝缘层上的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的第一层间介电层、位于所述第一层间介电层上的第三栅极绝缘层，以及位于所述第三栅极绝缘层上的第二层间介电层；
所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一栅极绝缘层和所述第二绝缘层之间且对应于所述硅半导体层的第一栅极、位于所述第二绝缘层和所述第一层间介电层之间且对应于所述第一栅极的第一导电层，以及连接于所述硅半导体层的第一源极和第一漏极；
所述第二薄膜晶体管的所述金属氧化物半导体层位于所述第一层间介电层和所述第三栅极绝缘层之间，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二绝缘层和所述第一层间介电层之间且对应于所述金属氧化物半导体层的第三栅极、位于所述第三栅极绝缘层和所述第二层间介电层之间且对应于所述金属氧化物半导体层的第四栅极，以及连接于所述金属氧化物半导体层的第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和所述第一漏极，以及所述第二源极和所述第二漏极同层。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口远离所述柔性基板的顶部大于所述第二开口的底部。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵慧慧，卜呈浩，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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