形成封装结构的方法技术

提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构，以及在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出结构，并且电连接器被第一突出结构围绕。方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构，以及将第一基板接合至第二基板。电连接器被第二突出结构围绕，并且第一突出结构不与第二突出结构重叠。

【技术实现步骤摘要】
形成封装结构的方法
本公开实施例涉及一种封装结构，特别涉及一种形成封装结构的方法。
技术介绍
半导体装置被使用于各种电子应用中，像是个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。通常通过在半导体基板上方依序地沉积材料的绝缘或介电层、导电层、以及半导电层，并且使用微影图案化各种材料层以在其上形成电路构件以及元件来制造半导体装置。通常在单个半导体晶圆上制造许多集成电路，并且通过沿着切割道(scribeline)在集成电路之间进行切割来单粒化(singulate)晶圆上的各个晶粒。通常将各个晶粒分别封装在例如多芯片模块中或其他类型的封装中。已经开始开发像是封装上封装(packageonpackage,PoP)的新封装技术，其中具有装置晶粒的顶部封装与另一装置晶粒接合至底部封装。通过采用新的封装技术，具有不同或相似功能的各种封装被整合在一起。尽管现有的封装结构以及制造封装结构的方法通常已经足以满足其预期目的，但是它们并非在所有方面都是完全令人满意的。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构，在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出结构，并且电连接器被第一突出结构围绕。此方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构，以及将第一基板接合至第二基板。电连接器被第二突出结构围绕，并且第一突出结构不与第二突出结构重叠。根据本公开的一些实施例，提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构，在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在电连接器旁边形成第一突出结构，从第一基板的第二表面加压第一区域中的多个电连接器的一部分，使得第一区域中的电连接器的每一个具有实质底部平坦的表面。方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构以及第三突出结构，并且第二突出结构以及第三突出结构为不同的高度。方法包括将第一基板接合至第二基板，并且第一突出结构位于第二突出结构以及该第三突出结构之间。根据本公开的一些实施例，提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板上方形成晶粒结构，并且在第一基板下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板下方形成第一支撑结构，并且第一支撑结构具有第一高度，方法还包括对电连接器执行加压工艺，使得电连接器包括第一组被加压电连接器以及第二组未被加压电连接器。方法还包括使用电连接器将第一基板接合到第二基板，并且第一组被加压电连接器中的一个具有第二高度。第二组未被加压电连接器中的一个具有第三高度。第一高度小于第二高度，并且第二高度小于第三高度。附图说明以下将配合说明书附图详述本公开的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。图1A至图1M示出了根据本公开的一些实施例的形成封装结构的各个阶段的剖面图。图1M’示出了根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。图2A示出了根据本公开的一些实施例的环形结构的俯视图。图2B示出了根据本公开的一些实施例的图1K中的第一突出结构的俯视图。图2C示出了根据本公开的一些实施例的图1L中的第二突出结构的俯视图。图2C’示出了根据本公开的一些实施例的第二突出结构以及第三突出结构的俯视图。图3A至图3E示出了根据本公开的一些实施例的形成封装结构的各个阶段的剖面图。图3E’示出了根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。图4A示出了根据本公开的一些实施例的图3D中的第一突出结构的俯视图。图4B示出了根据本公开的一些实施例的图3E中的第二突出结构的俯视图。图4B’示出了根据本公开的一些实施例的第二突出结构以及第三突出结构的俯视图。图5示出了根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。图6示出了根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。图7示出了根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。图8示出了根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。附图标记说明：10：晶粒结构11：第一区域12：第二区域18：模制装置20：加压工艺22：装置100a,100b,100c,100d,100e,100g,100h：封装结构102：基板/第一基板102a,160a,180a：第一表面102b,160b,180b：第二表面104：导电结构106,124：导电层108：介电层110,122：内连线结构112,126,152,170：导电垫120：半导体晶粒121：基板128,154：导电连接器130：底部填充层140,164：封装层142：承载基板150：钝化层160：第二基板166：环形结构171：助熔剂172,190,192：电连接器174：导电材料178：第一突出结构180：第三基板182：第二突出结构184：第三突出结构D1：第一宽度D2：第二宽度D3：第三宽度G：距离H1：第一高度H1’：原始高度H2：第二高度H3：第三高度H4：第四高度H5：第五高度L1：第一长度L2：第二长度L3：第三长度S1：第一空间S2：第一空间W1：第一宽度W2：第二宽度W3：第三宽度具体实施方式以下的公开提供各种许多不同的实施例或范例以实行本公开的不同特征。以下叙述各个构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，这些仅为范例且非意图作为限制。例如，若说明书叙述了第一特征形成于第二特征上方或之上，即表示可包括上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可包括有额外的特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可未直接接触的实施例。除此之外，在各种范例中，本公开可能使用重复的标号及/或标示。这样的重复是为了简化以及清楚的目的，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关联。描述了实施例的一些变形。经由各种视图以及说明性实施例，相似的参考标号用于指示相似的元件。应理解的是，可以在方法之前、期间以及之后提供附加操作，并且对于方法的其他实施例，可以代替或消除所描述的一些操作。也可以包括其他特征以及工艺。例如，可以包括测试结构以辅助三维封装或三维集成电路(3DIC)装置的验证测试。测试结构可以包括例如形成在重分布层(redistributionlayer)中或基板上的测试垫，此测试垫允许三维封装或三维集成电路、使用探针以及/或探针卡等的测试。验证测试可以在中间结构以及最终结构上进行。此外，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装结构的方法，包括：/n在一第一基板的一第一表面上方形成一晶粒结构；/n在该第一基板的一第二表面下方形成多个电连接器；/n在该第一基板的该第二表面下方形成一第一突出结构，其中所述多个电连接器被该第一突出结构围绕；/n在一第二基板上方形成一第二突出结构；以及/n将该第一基板接合至该第二基板，其中所述多个电连接器被该第二突出结构围绕，并且该第一突出结构不与该第二突出结构重叠。/n

【技术特征摘要】
20190916 US 16/571,7861.一种形成封装结构的方法，包括：
在一第一基板的一第一表面上方形成一晶粒结构；
在该第一基板的一第二表面下方形成多个电连接器；
在该第一基板的该第二表面下方形成一第一突出结构，其中所述多个电连接器被该第一突出结构围绕；
在一第二基板上方形成一第二突出结构；以及
将该第一基板接合至该第二基板，其中所述多个电连接器被该第二突出结构围绕，并且该第一突出结构不与该第二突出结构重叠。


2.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括：
在将该第一基板接合到该第二基板之前，从该第一基板的该第二表面加压多个电连接器的一部分，使得所述多个电连接器的该部分具有一实质底部平坦的表面。


3.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括：
在该第一基板的该第一表面上方形成一环形结构或一罩盖结构，其中该晶粒结构被该环形结构或该罩盖结构围绕。


4.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中当从俯视观察时，该第一突出结构具有L形。


5.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中当从俯视观察时，该第一突出结构具有四个子部分，并且所述多个子部分的每一个位于该第一基板的角落。


6.一种形成封装结构的方法，包括：
在一第一基板的一第一表面上方形成一晶粒结构；
在该第一基板的一第二表面下方形成多个电连接器；
在所述多个电连接器旁边形成一第一突出结构；
从该第一基板的该第二表面加压一第一区域中的多个电连接器的一部分，使得该第一区域中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冠育，黄松辉，侯上勇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71