电荷泵的输出电压调节电路制造技术

技术编号:27660688 阅读:16 留言:0更新日期:2021-03-12 14:29
本发明专利技术公开了一种电荷泵的输出电压调节电路,其包括电荷泵、电阻分压补偿电路、多路选择电路及输出NMOS管;电阻分压补偿电路包括N个选择电阻、一个反馈电阻及一个分压NMOS管;N个选择电阻串接后,第一端接电荷泵输出端,第二端接分压NMOS管的漏极及栅极;反馈电阻的一端接分压NMOS管的源极,另一端接地;多路选择电路的各输入端用于分别接所述电阻分压补偿电路的N个选择电阻及一个分压NMOS管之间的N个串接点,一个输出端接输出NMOS管的栅极;输出NMOS管的漏极接电荷泵输出端,源极作为调节电路输出端。该电荷泵的输出电压调节电路,能灵活方便调节输出到负载的电压,并且电路结构简单。

【技术实现步骤摘要】
电荷泵的输出电压调节电路
本专利技术涉及电源电路,特别涉及一种电荷泵的输出电压调节电路。
技术介绍
电荷泵是一种电容式电压变换器,主要应用于提升电路电压,由于其电路简单且效率较高,可广泛应用于单电源供电的集成电路中,例如可以为电可擦可编程只读存储器(EEPROM)或者闪存(F1ashMemory)提供高于供电电压的电压信号,用于数据的写操作。]通常来说,电荷泵所输出的电压会高于所需要的电压值,因此往往设置输出电压调节电路来将电荷泵的输出电压钳位在所需要的值,同时该输出电压调节电路也可提高电荷泵输出电压的稳定性。现有技术中,主要有两种结构的输出电压调节电路,一种是电流反馈的方式,另一种是电流泻放的方式。一种常见的电流泻放式输出电压调节电路可参考图1,电荷泵1的输出端口连接至负载3的第一端,负载3的第二端连接至恒电流源4的第一端,恒电流源4的第二端接地;晶体管2的栅极连接至负载3的第二端,晶体管2的源极与漏极中的一个连接至电荷泵1的输出端口、另一个作为调节电路的输出端口。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种电荷泵的输出电压调节电路,能灵活方便调节输出到负载的电压,并且电路结构简单。为解决上述技术问题,本专利技术提供的电荷泵的输出电压调节电路,其包括电荷泵1、电阻分压补偿电路8、多路选择电路9及输出NMOS管M1;所述电阻分压补偿电路8包括N个选择电阻R1、一个反馈电阻R0及一个分压NMOS管M2,N为正整数;N个选择电阻R1串接后,第一端接电荷泵1输出端,第二端接所述分压NMOS管M2的漏极及栅极;所述反馈电阻R0的一端接所述分压NMOS管M2的源极,另一端接地;所述多路选择电路9的N个输入端用于分别接所述电阻分压补偿电路8的N个选择电阻R1及一个分压NMOS管M2之间的N个串接点,一个输出端接所述输出NMOS管M1的栅极;所述输出NMOS管M1的漏极接电荷泵1输出端,源极作为调节电路输出端。较佳的,所述输出NMOS管M1的源极同地之间接一个恒电流源。较佳的,所述恒电流源的电流在5μA~15μA之间。较佳的,所述输出NMOS管M1、分压NMOS管M2的阈值电压相同。较佳的,所述电荷泵1输出端输出的电荷泵高压VH在4V~15V之间;所述输出NMOS管M1、分压NMOS管M2的阈值电压Vth在1V~2V之间。较佳的,R1<R0<N*R1。较佳的,R0为1KΩ~1000KΩ。较佳的,N为4、8或16。较佳的,电荷泵的输出电压调节电路还包括比较器71及时钟控制电路72;所述比较器71的输入正接基准电压VREF,输入负接所述分压NMOS管M2的源极,输出接时钟控制电路72的使能控制端;所述比较器71,当VFB>VREF时,输出低电平,否则输出高电平;所述时钟控制电路72,用于输出所述电荷泵1的工作时钟信号CLK;所述时钟控制电路72,当使能控制端为高电平时工作,输出工作时钟信号CLK到所述电荷泵1;当使能控制端为低电平时关闭,不输出工作时钟信号CLK;所述电荷泵1,有工作时钟信号CLK时工作输出电荷泵高压VH,无工作时钟信号CLK时不工作。本专利技术电荷泵的输出电压调节电路,可以根据需要的输出到负载的调节电路输出电压VEP,通过多路选择电路9选择接通相应的串接点,使输出MOS管M1的栅极电压VG=VEP+Vth,便可得到相应的输出电压调节电路输出电压,能灵活方便调节输出到负载的电压,并且电路结构简单。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案,下面对本专利技术所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有的一种电荷泵的输出电压调节电路示意图;图2是本专利技术的电荷泵的输出电压调节电路一实施例示意图;图3是本专利技术的电荷泵的输出电压调节电路一实施例的电阻分压补偿电路的电路图;图4是多路选择电路示意图。具体实施方式下面将结合附图,对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。实施例一如图2所示,电荷泵的输出电压调节电路包括电荷泵1、电阻分压补偿电路8、多路选择电路9及输出NMOS管M1;如图3所示,所述电阻分压补偿电路8包括N个选择电阻R1、一个反馈电阻R0及一个分压NMOS管M2,N为正整数;N个选择电阻R1串接后,第一端接电荷泵1输出端,第二端接所述分压NMOS管M2的漏极及栅极;所述反馈电阻R0的一端接所述分压NMOS管M2的源极,另一端接地;如图4所示,所述多路选择电路9的N个输入端用于分别接所述电阻分压补偿电路8的N个选择电阻R1及一个分压NMOS管M2之间的N个串接点,一个输出端接所述输出NMOS管M1的栅极;所述输出NMOS管M1的漏极接电荷泵1输出端,源极作为调节电路输出端。实施例一电荷泵的输出电压调节电路,可以根据需要的输出到负载的调节电路输出电压VEP,通过多路选择电路9选择接通相应的串接点,使输出MOS管M1的栅极电压VG=VEP+Vth,便可得到相应的输出电压调节电路输出电压,能灵活方便调节输出到负载的电压,并且电路结构简单。实施例二基于实施一的电荷泵的输出电压调节电路,所述输出NMOS管M1的源极同地之间接一个恒电流源。较佳的,所述恒电流源的电流在5μA~15μA之间。较佳的,所述输出NMOS管M1、分压NMOS管M2的阈值电压相同。较佳的,所述电荷泵1输出端输出的电荷泵高压VH在4V~15V之间;所述输出NMOS管M1、分压NMOS管M2的阈值电压Vth在1V~2V之间。较佳的,R1<R0<N*R1。较佳的,R0为1KΩ~1000KΩ。较佳的,N为4、8或16。实施例三基于实施一的电荷泵的输出电压调节电路,电荷泵的输出电压调节电路还包括比较器71及时钟控制电路72;所述比较器71的输入正接基准电压VREF,输入负接所述分压NMOS管M2的源极,输出接时钟控制电路72的使能控制端;所述比较器71,当VFB>VREF时,输出低电平,否则输出高电平;所述时钟控制电路72,用于输出所述电荷泵1的工作时钟信号CLK;所述时钟控制电路72,当使能控制端为高电平时工作,输出工作时钟信号CLK到所述电荷泵1;当使能控制端为低电平时关闭,不输出工作时钟信号CLK;所述电荷泵1,有工作时钟信号CLK时工作输出电荷泵高压VH,无工作时钟信号CLK时不工作。图2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电荷泵的输出电压调节电路,其特征在于,其包括电荷泵(1)、电阻分压补偿电路(8)、多路选择电路(9)及输出NMOS管(M1);/n所述电阻分压补偿电路(8)包括N个选择电阻(R1)、一个反馈电阻(R0)及一个分压NMOS管(M2),N为正整数;/nN个选择电阻(R1)串接后,第一端接电荷泵(1)输出端,第二端接所述分压NMOS管(M2)的漏极及栅极;/n所述反馈电阻(R0)的一端接所述分压NMOS管(M2)的源极,另一端接地;/n所述多路选择电路(9)的N个输入端用于分别接所述电阻分压补偿电路(8)的N个选择电阻(R1)及一个分压NMOS管(M2)之间的N个串接点,一个输出端接所述输出NMOS管(M1)的栅极;/n所述输出NMOS管(M1)的漏极接电荷泵(1)输出端,源极作为调节电路输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种电荷泵的输出电压调节电路,其特征在于,其包括电荷泵(1)、电阻分压补偿电路(8)、多路选择电路(9)及输出NMOS管(M1);
所述电阻分压补偿电路(8)包括N个选择电阻(R1)、一个反馈电阻(R0)及一个分压NMOS管(M2),N为正整数;
N个选择电阻(R1)串接后,第一端接电荷泵(1)输出端,第二端接所述分压NMOS管(M2)的漏极及栅极;
所述反馈电阻(R0)的一端接所述分压NMOS管(M2)的源极,另一端接地;
所述多路选择电路(9)的N个输入端用于分别接所述电阻分压补偿电路(8)的N个选择电阻(R1)及一个分压NMOS管(M2)之间的N个串接点,一个输出端接所述输出NMOS管(M1)的栅极;
所述输出NMOS管(M1)的漏极接电荷泵(1)输出端,源极作为调节电路输出端。


2.根据权利要求1所述的电荷泵的输出电压调节电路,其特征在于,
所述输出NMOS管(M1)的源极同地之间接一个恒电流源。


3.根据权利要求2所述的电荷泵的输出电压调节电路,其特征在于,
所述恒电流源的电流在5μA~15μA之间。


4.根据权利要求1所述的电荷泵的输出电压调节电路,其特征在于,
所述输出NMOS管(M1)、分压NMOS管(M2)的阈值电压相同。


5.根据权利要求1所述的电荷泵的输出电压调节电路,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯国友汪齐方
申请(专利权)人:普冉半导体上海股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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