【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法
本专利技术属于柔性电子器件
,具体涉及一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法。
技术介绍
随着半导体工艺和微电子技术的迅猛发展,微型化、多功能化与可调节化成为电子元器件的发展趋势。多铁性材料由于同时具备两种或者两种以上的铁序,包括(反)铁电性、(反)铁磁性和(反)铁弹性,并且不同铁序之间可以相互耦合,从而实现不同序参量之间的相互调控。因此,多铁性材料可以实现力、电、磁等多物理场之间的相互耦合,在小尺寸、快响应和低功耗的磁电器件领域中具有重要的应用前景。近年来在应用需求的推动下,以多铁性材料为基础的磁电器件在结构设计、微纳加工和性能优化等方面都取得了持续进展,包括可调谐电感、滤波器、磁电存储器、能量回收器、磁电传感器和磁电天线等。尽管磁电材料在基础研究和原型器件开发等方面都取得了诸多进展。但是目前大多数的块材磁电器件尺寸大、调控电压大且与半导体工艺难以兼容。而薄膜磁电器件由于衬底的夹持效应导致耦合效应低,严重制约了器件的性能。面对薄膜磁电器件研究中的衬底束缚,导致磁电 ...
【技术保护点】
1.一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤1,采用CO
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,采用CO2红外激光器碳化柔性衬底,以在柔性衬底表面形成石墨烯薄膜;
步骤2,将70/30或80/20mol%配比的P(VDF-TrFE)聚合物粉末分散于二甲基甲酰胺中,得到PVDF溶液;将PVDF溶液,滴至石墨烯薄膜表面;将得到的P(VDF-TrFE)/石墨烯/PI样品进行预烘,135℃退火形成β相P(VDF-TrFE);
步骤3,以金属钴铁硼为靶材,采用磁控溅射法在P(VDF-TrFE)铁电层表面进行沉积,形成金属层;
步骤4,以金属钽为靶材,采用磁控溅射法在钴铁硼金属层的表面上进行沉积,形成保护层。
2.根据权利要求1所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:步骤1所述CO2红外激光器的工艺参数为:激光电流3.5mA,激光扫描速度100mm/s。
3.根据权利要求1所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:步骤2所述预烘的条件为:80℃预烘至溶剂完全蒸发。
4.根据权利要求1所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:步骤3所述金属钴铁硼为Co40Fe40B20合...
【专利技术属性】
技术研发人员:文丹丹,陈霞,骆大森,黎人溥,崔巍,邸克,刘宇,
申请(专利权)人:重庆邮电大学,
类型:发明
国别省市:重庆;50
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