一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构制造技术

技术编号:27646065 阅读:18 留言:0更新日期:2021-03-12 14:06
本实用新型专利技术公开了一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,涉及主轴密封的技术领域,其技术方案要点是包括主轴外套,其套设在主轴芯轴外侧,用于对主轴芯轴进行支撑;密封静环一,其固定在主轴外套靠近主轴芯轴端部的一侧,密封静环一上开设有密封静环一供气孔;以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;密封动环与密封静环一相互靠近的一侧形成第一气幕间隙,第一气幕间隙与外界连通并且气幕间隙与密封静环一供气孔相互连通,通过高压气体在第一气幕间隙中形成向外吹拂的气幕,使得外界的污染杂质不容易通过气幕间隙进入轴承处。

【技术实现步骤摘要】
一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构
本技术涉及主轴密封的
,更具体的说,它涉及一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构。
技术介绍
随着光伏行业的发展,对晶硅切片机的可靠性要求越来越高,其中,晶硅切片机主轴的密封性问题直接影响晶硅切片机的可靠性。晶硅切片机中主轴起支撑与旋转功能;主轴包括主轴芯轴、套设在主轴芯轴外侧的主轴外套以及内部零部件;主轴芯轴与主轴外套存在相对的旋转运动,二者之间存在一定的零部件安装空间,内部零部件设置在零部件安装空间中;零部件安装空间当中通常安装轴承或隔圈等零部件来实现主轴的功能;零部件安装空间一般由密封结构与外界分隔,晶硅切片机在工作时,主轴的工作环境通常是比较恶劣的,存在大量的水汽以及硅粉等污染杂质,这些杂质容易穿过密封结构进入到主轴内,一旦这些污染杂质进入主轴,将导致主轴的失效。现有的切片机主轴损坏原因大部分都是因为密封失效,导致污染杂质进入主轴,导致内部零件损坏,现在亟需一种不容易出现密封失效的晶硅切片机主轴密封结构。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本技术的目的在于提供一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,其通过高压气体在气幕间隙中形成向外吹拂的气幕,使得外界的污染杂质不容易通过气幕间隙进入零部件安装空间处,从而使得经过切片机主轴不容易出现密封失效的问题。为实现上述目的,本技术提供了如下技术方案:一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,包括主轴外套,其套设在主轴芯轴外侧,用于对主轴芯轴进行支撑;密封静环一,其固定在主轴外套靠近主轴芯轴端部的一侧,密封静环一上开设有密封静环一供气孔;以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;密封动环与密封静环一相互靠近的一侧形成第一气幕间隙,第一气幕间隙与外界连通并且气幕间隙与密封静环一供气孔相互连通。通过采用上述技术方案,向密封静环一供气孔当中通入高压气体,高压气体通过密封静环一供气孔进入到第一气幕间隙当中,并且在第一气幕间隙当中形成向外吹拂的气幕,使得外界的污染杂质不容易进入到第一气幕间隙中,更不容易通过第一气幕间隙进入到零部件安装空间处,从而使得主轴不容易出现密封失效的问题。本技术进一步设置为:所述密封静环一包括主体部,其固定在主轴外套上;台阶部,其位于主体部靠近零部件安装空间一侧,且台阶部朝向靠近主轴芯轴的方向凸起,台阶部与密封动环之间形成第一动静环间隙;密封动环外侧固定有设置在台阶部背离零部件安装空间一侧的密封部,第一气幕间隙位于密封部和主体部之间,第一密封间隙与第一动静环间隙相互连通。通过采用上述技术方案,通过设置第一动静环间隙,增加了污染杂质进入零部件安装空间处所要经过的路径,从而使得污染杂质更加不容易进入零部件安装空间处。本技术进一步设置为:还包括密封静环二,密封静环二位于台阶部和密封部之间,密封静环二靠近主体部一侧与主体部之间形成第二气幕间隙,第二气幕间隙与第一气幕间隙相连通;密封静环二与密封部之间形成第二动静环间隙,第二动静环间隙与第一气幕间隙直接连通,第二气幕间隙与密封静环一供气孔直接连通。通过采用上述技术方案,通过设置第二气幕间隙,并且将第二气幕间隙直接与密封静环一供气孔相连通,从而使得高压气体通过在第二气幕间隙中已经被限制流动方向,使得高压气体朝向第一气幕间隙方向流动,从而使得高压气体不容易吹入第二动静环间隙当中。本技术进一步设置为:所述第二动静环间隙与第二气幕间隙之间的夹角为锐角。通过采用上述技术方案,将第二动静环间隙与第二气幕间隙之间的夹角设置为锐角,使得高压气体流经第二气幕间隙与第二动静环间隙连通处的时候,不容易进入到第二动静环间隙当中。本技术进一步设置为:所述第二动静环间隙沿主轴芯轴轴线方向的截面呈弧形设置,且弧形朝向靠近密封静环二的方向凸起。通过采用上述技术方案,截面呈弧形设置第二动静环间隙,使得高压气体流经第二气幕间隙与第二动静环间隙连通处的时候,不容易进入到第二动静环间隙当中。本技术进一步设置为:所述密封静环二靠近主体部的一侧开设有匀气槽,匀气槽为环形槽且与第二气幕间隙直接连通。通过采用上述技术方案,高压气体进入到匀气槽中之后,能够使得高压气体在匀气槽内沿密封静环二的周向方向均匀分布,从而使得第一气幕间隙和第二气幕间隙中产生的气幕能够更加均匀。本技术进一步设置为:所述台阶部上开设有用于将污染杂质排出第一动静环间隙的静环一排污孔,第一动静环间隙与静环一排污孔相互连通;所述台阶部与密封动环之间设置有排污腔,排污腔为环形腔,排污腔与第一动静环间隙和静环一排污孔相互连通。通过采用上述技术方案,外界的污染杂质进入到第一动静环间隙处的时候,污染杂质会落入到到排污腔当中,排污腔当中的污染杂质落入到静环一排污孔当中,从而使得污染杂质更加容易被排出。本技术进一步设置为:所述密封静环一和密封静环二为一体或分体,当密封静环一和密封静环二为分体时,密封静环一和密封静环二的相对位置固定。本技术进一步设置为:所述密封动环和所述主轴芯轴为一体或分体,当密封动环和主轴芯轴为分体时,密封动环和主轴芯轴的相对位置固定。本技术进一步设置为:还包括法兰,其设置在主轴外套与密封静环一之间,法兰固定在主轴外套上,密封静环一与法兰为一体或分体,当密封静环一与法兰位分体时,密封静环一和法兰的相对位置固定。综上所述,本技术相比于现有技术具有以下有益效果:本技术向主轴外套供气孔当中通入高压气体,高压气体通过主轴外套供气孔、密封静环一供气孔进入到第一气幕间隙当中,并且在第一气幕间隙当中形成向外吹拂的气幕,使得外界的污染杂质不容易进入到第一气幕间隙中,更不容易通过第一气幕间隙进入到零部件安装空间处,从而使得主轴不容易出现密封失效的问题。附图说明图1为实施例的体现第一气幕间隙的剖视图;图2为图1的A部放大示意图;图3为实施例体现排污腔的剖视图;图4为图3的B部放大示意图。图中:1、主轴芯轴;2、零部件安装空间;3、主轴外套;31、主轴外套供气孔;32、主轴外套排污孔;4、法兰;41、法兰供气孔;42、法兰排污孔;5、密封静环一;51、主体部;511、密封静环一供气孔;52、台阶部;521、静环一排污孔;6、密封动环;61、密封部;62、排污腔;7、密封静环二;71、匀气槽;8、垫片;9、第一动静环间隙;91、第二动静环间隙;92、第三动静环间隙;10、第二气幕间隙;101、第一气幕间隙。具体实施方式为了使本领域的人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合本技术的附图,对本技术的技术方案进行清楚、完整的描述,基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的其它类同实施例,都应当属于本申请保护的范围。此外,以下实施例中提到的方向用词,例如“上”“下”“左”“右”等仅是参考附图的方向,因此,使用的方向用词是用来说明而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:包括主轴外套,其套设在主轴芯轴外侧,用于对主轴芯轴进行支撑;/n密封静环一,其固定在主轴外套靠近主轴芯轴端部的一侧,密封静环一上开设有密封静环一供气孔;/n以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;/n密封动环与密封静环一相互靠近的一侧形成第一气幕间隙,第一气幕间隙与外界连通并且气幕间隙与密封静环一供气孔相互连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:包括主轴外套,其套设在主轴芯轴外侧,用于对主轴芯轴进行支撑;
密封静环一,其固定在主轴外套靠近主轴芯轴端部的一侧,密封静环一上开设有密封静环一供气孔;
以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;
密封动环与密封静环一相互靠近的一侧形成第一气幕间隙,第一气幕间隙与外界连通并且气幕间隙与密封静环一供气孔相互连通。


2.根据权利要求1所述的一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:所述密封静环一包括主体部,其固定在主轴外套上;
台阶部,其位于主体部靠近零部件安装空间一侧,且台阶部朝向靠近主轴芯轴的方向凸起,台阶部与密封动环之间形成第一动静环间隙;
密封动环外侧固定有设置在台阶部背离零部件安装空间一侧的密封部,第一气幕间隙位于密封部和主体部之间,第一密封间隙与第一动静环间隙相互连通。


3.根据权利要求2所述的一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:还包括密封静环二,密封静环二位于台阶部和密封部之间,密封静环二靠近主体部一侧与主体部之间形成第二气幕间隙,第二气幕间隙与第一气幕间隙相连通;
密封静环二与密封部之间形成第二动静环间隙,第二动静环间隙与第一气幕间隙直接连通,第二气幕间隙与密封静环一供气孔直接连通。


4.根据权利要求3所述的一种直喷式晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:所述第二动静环间隙与第二气幕间隙之间的夹角为锐角。


5....

【专利技术属性】
技术研发人员:鹿慧丰王海超仇健
申请(专利权)人:青岛高测科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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