一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法，包括将介孔分子筛与正硅酸乙酯、含氨基硅烷化偶联剂和氨水进行反应，得到表面氨基修饰的介孔材料；将所述表面氨基修饰的介孔材料与二胺以及二酐单体进行缩聚反应后，再进行热亚胺化并成膜，即得到所述低介电、低损耗的聚酰亚胺薄膜。本发明专利技术提出的一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法，通过在聚酰亚胺中引入尺寸均一且表面具有氨基修饰的介孔材料，使所得聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗都得到有效降低。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法
本专利技术涉及绝缘材料
，尤其涉及一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法。
技术介绍
聚酰亚胺是种高性能树脂材料，基于其优异的耐热性能、机械力学性能、抗化学腐蚀性能、高绝缘性能及低热膨胀系数，广泛地应用在工程塑料、微电子工业、通信技术、光电显示技术等领域。尽管聚酰亚胺的上述优异性能满足了普通电子封装的需求，但它并不具备低介电常数，因而无法满足先进电子封装的要求。聚酰亚胺的介电常数与其分子极化有关，通常降低介电常数的方法有两种：一种是降低聚酰亚胺的分子极化率，分子极化率由分子结构及化学组成决定。基于C-F键具有低的分子极化率，因此在聚酰亚胺中引入氟化基团或含氟高分子树脂，可以有效的降低聚酰亚胺的介电常数及损耗。不过氟化聚酰亚胺的单体价格非常昂贵，而含氟高分子例如聚四氟乙烯与聚酰亚胺的相容性很差，导致最终薄膜的力学性能下降。另一种是降低聚酰亚胺单位体积内的极化分子密度，该方法一般通过增加聚酰亚胺的本征自由体积以及引入纳米空隙结构来实现。本征自由体积是由于高分子链堆叠无序产生的分子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、将介孔分子筛与正硅酸乙酯、含氨基硅烷化偶联剂和氨水进行反应，得到表面氨基修饰的介孔材料；/nS2、将所述表面氨基修饰的介孔材料与二胺以及二酐单体进行缩聚反应后，再进行热亚胺化并成膜，即得到所述低介电、低损耗的聚酰亚胺薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将介孔分子筛与正硅酸乙酯、含氨基硅烷化偶联剂和氨水进行反应，得到表面氨基修饰的介孔材料；
S2、将所述表面氨基修饰的介孔材料与二胺以及二酐单体进行缩聚反应后，再进行热亚胺化并成膜，即得到所述低介电、低损耗的聚酰亚胺薄膜。


2.根据权利要求1所述低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1之前，将所述介孔分子筛先与有机胺进行混合，使其孔道中吸附有有机胺。


3.根据权利要求1-2任一项所述低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述介孔分子筛是MCM、KIT、SBA或FDU分子筛中的至少一种。


4.根据权利要求2所述低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机胺是10-20个碳原子数的脂肪胺，优选为癸胺或十六胺。


5.根据权利要求1-4任一项所述低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氨基硅烷化偶联剂是3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基甲基硅烷、3-(3-氨基丙基氨基)丙基三甲氧基硅烷或3-(3-氨基丙基氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹河文，许辉，祝春才，
申请(专利权)人：浙江中科玖源新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33