防止雾化片生锈的电路及具有富氢、加湿一体功能的设备制造技术

技术编号:27592040 阅读:21 留言:0更新日期:2021-03-10 10:09
本发明专利技术公开了一种防止雾化片生锈的电路及具有富氢、加湿一体功能的设备,包括电解单元、雾化片、单片机和供电电池,电解单元包括阳极端和阴极端,雾化片也包含两极,单片机与雾化杯之间连接有驱动雾化片雾化的雾化驱动电路,雾化驱动电路包括色环电感、变压器及MOS管,雾化片的一极通过色环电感连接在变压器原边绕组的一端,且变压器原边绕组的另一端与雾化片的另一极连接,变压器副边绕组的一端与MOS管的D脚连接,MOS管的G脚与单片机相连,MOS管的S脚连接模拟接地端连接,在阳极端和阴极端之间设置有电解保护电路,变压器副边绕组的另一端连接与供电电池的正极端连接;本结构在使用电解时,不会出现生锈的问题。不会出现生锈的问题。不会出现生锈的问题。

【技术实现步骤摘要】
防止雾化片生锈的电路及具有富氢、加湿一体功能的设备


[0001]本专利技术可应用在日常生活,或医疗健康领域的设备中,尤其涉及防止雾化片生锈的电路及具有富氢、加湿一体功能的设备。

技术介绍

[0002]目前,市面上普通的富氢水杯或设备只有将水电解的功能,会产生少许氢气和氧气,还有一种专门的加湿水杯,将水雾化后用来加湿,功能都比较单一,如果将这两种功能结合到一起,既能电解,又能加湿,这样会更加方便使用。但是由于电解的时候会发生电化学腐蚀的,容易对阳极产生损坏,以致于在电解时对雾化片产生腐蚀而导致雾化片生锈,进而污染杯子中的水,因此如何解决由于水电解时雾化片生锈问题显得尤为重要。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种防止雾化片生锈的电路及具有富氢、加湿一体功能的设备,以解决设备在水电解过程中雾化片生锈的问题。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种防止雾化片生锈的电路,包括浸泡在水里的电解单元以及雾化片HUMI,所述的电解单元包括阳极端E+和阴极端E-,所述雾化片HUMI也包含两极,还包括一个单片机U1以及供电电池BAT,所述的供电电池BAT给电路中各个需要供电的元器件供电,所述单片机U1与雾化杯之间连接有驱动雾化片雾化的雾化驱动电路,所述的雾化驱动电路包括色环电感L2、变压器T1以及MOS管Q2,所述雾化片HUMI的一极通过色环电感L2连接在所述变压器T1原边绕组的一端,且所述变压器T1原边绕组的另一端与雾化片HUMI的另一极连接后并与模拟接地端AGND连接,所述变压器T1副边绕组的一端与所述MOS管Q2的D脚连接,所述MOS管Q2的G脚与单片机U1相连,所述MOS管Q2的S脚连接模拟接地端AGND连接,在阳极端E+和阴极端E-之间设置有电解保护电路,所述变压器T1副边绕组的另一端连接与供电电池BAT的正极端BAT+连接,所述阳极端E+与供电电池BAT的正极端BAT+都作为电解时的阳极。
[0005]作为优选,为了使得电路更加稳定,所述电解保护电路包括升压芯片IC2、升压电感L1、肖特基二极管D1、第二十二电阻R22、第二十一电阻R21、第三电容C3、第四电容C4及电解电容EC2,所述升压芯片IC2的VDD端与供电电池BAT的正极端BAT+连接,所述升压芯片IC2的sw脚通过肖特基二极管D1连接阳极端E+,所述第三电容C3与电解电容EC2并联后连接在阳极端E+与升压芯片IC2的电源接地端GND之间,所述第二十二电阻R22、第二十一电阻R21串联构成分压电路连接在阳极端E+与升压芯片IC2的电源接地端GND之间,且所述第二十二电阻R22、第二十一电阻R21的分压端连接升压芯片IC2的FB脚作为反馈端,在单片机U1与升压芯片IC2的电源接地端GND之间串联有第二十三电阻R23和第二十四电阻R24,所述第二十三电阻R23和第二十四电阻R24的公共端连接阴极端E-,所述阴极端E-还与模拟接地端AGND连接,所述第二十三电阻R23与单片机U1连接的公共端与电源接地端GND之间连接有第五电容C5,所述第四电容C4连接在BAT+端与升压芯片IC2的电源接地端GND之间,所述的升压电
感L1连接在升压芯片IC2的VDD端与sw脚之间。
[0006]作为优选,为了使得电路更加稳定,所述MOS管Q2的G脚与单片机U1之间连接有电限流电阻R16,所述MOS管Q2的G脚与所述MOS管Q2的S脚之间连接有下拉电阻R17。
[0007]作为优选,为了使得电路供电更加稳定,在所述供电电池BAT的正极端BAT+上还连接有升压电路,所述的升压电路包括充电管理芯片IC1,所述充电管理芯片IC1上连接有作为充电电流调节电阻R2以及分别与单片机U1的引脚连接并作为限流电阻的第四电阻R4、第六电阻R6和第五电阻R5,在充电管理芯片IC1与第四电阻R4的公共端上还连接有作为上拉电阻的第三电阻R3,第三电阻R3的另一端连接充电管理芯片IC1的VCC引脚端。
[0008]作为优选,实现USB充电,在充电管理芯片IC1上还连接有给供电电池BAT充电的充电USB插座,在供电电池BAT上连接有由第一电阻R1和第一电容C1构成RC滤波电路,所述RC滤波电路用于吸收充电时的浪涌电压。
[0009]作为优选,为了方便查看状态,所述的单片机U1还连接有用来指示充电状态的LED灯显示单元以及电路工作的控制开关S1。
[0010]本专利技术还公开了一种具有富氢和加湿一体的设备,包括应用所述的一种防止雾化片生锈的电路;以及一个外壳,所述一种防止雾化片生锈的电路置于所述外壳内。
[0011]进一步,在外壳侧壁设置有一层软性太阳能发电板以及感温变色层。
[0012]进一步,所述的感温变色层由三色变色粉末混合而成。
[0013]本专利技术的有益效果是:本结构设置将E+、BAT+都作为电解时的阳极,然后利用变压器T1和一个色环电感升压,驱动雾化片工作,并利用变压器可以将电解时的阳极和雾化片的电极进行隔离,使设备在电解时的阳极和雾化片的电极片没有电流回路,从而保护雾化片免遭受腐蚀,同时E+采用电解电极,不易产生腐蚀,虽然雾化片浸没在电解液中,但是和供电电池BAT的正极端BAT+没有直接相连,因此这样设备在使用电解功能时,阳极不会产生电化学腐蚀,从而出现生锈的问题。
附图说明
[0014]图1为本实施例1中单片机与LED灯显示单元的电路图;图2为本实施例1中电解单元、雾化驱动电路、电解保护电路之间的电路连接图;图3为本实施例1中升压电路、供电电池以及充电USB插座之间的电路连接图;图4为本实施例1中一种具有富氢和加湿一体的设备的内部结构示意图;图5为本实施例2中一种具有富氢和加湿一体的设备的结构示意图。
[0015]图中:电解单元1、雾化驱动电路2、电解保护电路3、外壳4、防止雾化片生锈的电路5、升压电路6、LED灯显示单元7、RC滤波电路8、充电USB插座9。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0017]实施例1:参照图1-4,本实施例公开的一种防止雾化片生锈的电路,包括浸泡在水里的电解单元1以及雾化片HUMI,所述的电解单元1包括阳极端E+和阴极端E-,所述雾化片HUMI也包含两
极,还包括一个单片机U1以及供电电池BAT,所述的供电电池BAT给电路中各个需要供电的元器件供电,所述单片机U1与雾化杯之间连接有驱动雾化片雾化的雾化驱动电路2,所述的雾化驱动电路2包括色环电感L2、变压器T1以及MOS管Q2,所述雾化片HUMI的一极通过色环电感L2连接在所述变压器T1原边绕组的一端,且所述变压器T1原边绕组的另一端与雾化片HUMI的另一极连接后并与模拟接地端AGND连接,所述变压器T1副边绕组的一端与所述MOS管Q2的D脚连接,所述MOS管Q2的G脚与单片机U1相连,所述MOS管Q2的S脚连接模拟接地端AGND连接本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止雾化片生锈的电路,包括浸泡在水里的电解单元以及雾化片HUMI,所述的电解单元包括阳极端E+和阴极端E-,所述雾化片HUMI也包含两极,其特征在于: 所述阳极端E+采用电解电极,还包括一个单片机U1以及供电电池BAT,所述的供电电池BAT给电路中各个需要供电的元器件供电,所述单片机U1与雾化杯之间连接有驱动雾化片雾化的雾化驱动电路,所述的雾化驱动电路包括色环电感L2、变压器T1以及MOS管Q2,所述雾化片HUMI的一极通过色环电感L2连接在所述变压器T1原边绕组的一端,且所述变压器T1原边绕组的另一端与雾化片HUMI的另一极连接后并与模拟接地端AGND连接,所述变压器T1副边绕组的一端与所述MOS管Q2的D脚连接,所述MOS管Q2的G脚与单片机U1相连,所述MOS管Q2的S脚连接模拟接地端AGND连接,在阳极端E+和阴极端E-之间设置有电解保护电路,所述变压器T1副边绕组的另一端连接与供电电池BAT的正极端BAT+连接,所述阳极端E+与供电电池BAT的正极端BAT+都作为电解时的阳极。2.根据权利要求1所述的防止雾化片生锈的电路,其特征在于:所述电解保护电路包括升压芯片IC2、升压电感L1、肖特基二极管D1、第二十二电阻R22、第二十一电阻R21、第三电容C3、第四电容C4及电解电容EC2,所述升压芯片IC2的VDD端与供电电池BAT的正极端BAT+连接,所述升压芯片IC2的sw脚通过肖特基二极管D1连接阳极端E+,所述第三电容C3与电解电容EC2并联后连接在阳极端E+与升压芯片IC2的电源接地端GND之间,所述第二十二电阻R22、第二十一电阻R21串联构成分压电路连接在阳极端E+与升压芯片IC2的电源接地端GND之间,且所述第二十二电阻R22、第二十一电阻R21的分压端连接升压芯片IC2的FB脚作为反馈端,在单片机U1与升压芯片IC2的电源接地端GND之间串联有第二十三电阻R23和第二十四电阻R24,所述第二十三电阻R23和第二十四电阻R24的公共端连接阴极端E-,...

【专利技术属性】
技术研发人员:游建
申请(专利权)人:宁波慧方电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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