四重图形的制作方法技术

本发明专利技术提供一种四重图形的制作方法，其主要采用正性光刻胶的负性显影方法，通过进行若干次的正胶曝光-负性显影以及表成像技术，在基底上制作出四重图形，然后通过刻蚀将四重图形转移至硬掩膜中。本发明专利技术的制作方法具有低成本、高工艺效率的优点。另外，本发明专利技术通过正性光刻胶的曝光及负显影方法制作图形，可有效提高的图形精度，为图形特征尺寸的微缩提供有效的保证。保证。保证。

【技术实现步骤摘要】
四重图形的制作方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，特别是涉及一种四重图形的制作方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路设计的最小线宽和间距的不断缩小，当曝光线条的特征尺寸接近于曝光系统的理论分辨极限时，光刻成像就会发生严重的畸变，从而导致光刻图形质量的严重下降。双重曝光(Double Pattern)技术和自对准四重图形(Self-aligned Quadruple Patterning，SAQP)技术的应用，可以大大减小光学邻近效应的影响，并减轻单模收缩(single pattern shrinkage)的问题，实现更小的图形特征尺寸(Critical dimension，CD)。
[0003]然而上述的双重曝光技术和自对准四重图形曝光技术，工艺复杂，成本高，而且当集成电路芯片工艺进入到7nm及以下节点后，应用这些技术后的光刻后尺寸难以像预期那样进一步降低，无法满足制程线宽进一步微缩的要求。
[0004]四重图形曝光技术主要应用于14nm以下的技术节点。双重LELE(曝光-刻蚀-曝光-刻蚀-曝光-刻蚀-曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四重图形的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1)提供一基底，所述基底表面形成有硬掩膜，于所述硬掩膜表面形成第一正性光刻胶层，对所述第一正性光刻胶层进行第一光掩膜曝光，采用负性显影液去除未曝光的第一正性光刻胶层以形成第一成像图形；2)于所述第一成像图形上表面及侧壁形成第一掩膜层；3)于所述硬掩膜表面形成第二正性光刻胶层，对所述第二正性光刻胶层进行第二光掩膜曝光，采用负性显影液去除未曝光的第二正性光刻胶层以形成第二成像图形；4)于所述第二成像图形上表面及侧壁形成第二掩膜层；5)去除所述第一成像图形上表面的第一掩膜层及去除所述第二成像图形上表面的第二掩膜层，以显露所述第一成像图形及所述第二成像图形；6)选择性去除所述第一成像图形及所述第二成像图形，保留位于所述第一成像图形侧壁的两第一掩膜层及位于所述第二成像图形侧壁的两第二掩膜层，以形成所述四重图形。2.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：还包括步骤：7)基于所述第一掩膜层及所述第二掩膜层刻蚀所述硬掩膜，以将所述四重图形转移至所述硬掩膜。3.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：所述第一成像图形及所述第二成像图形相间排布。4.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：步骤2)于所述第一成像图形上表面及侧壁形成第一掩膜层包括：2-1)对所述第一成像图形进行烘烤；2-2)于所述第一成像图形上表面及侧壁形成烷基硅化层；2-3)对所述烷基硅化层进行氧化处理，以在所述第一成像图形上表面及侧壁形成二氧化硅层，作为所述第一掩膜层。5.根据权利要求4所述的四重...

【专利技术属性】
技术研发人员：王科，曾伟雄，李天慧，于星，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：