加电时具有自动后台预处理的存储器制造技术

在本文中公开了在加电时具有自动后台预处理的存储器装置和系统以及相关联方法。在一个实施例中，存储器装置包含存储器阵列，所述存储器阵列在存储器行和存储器列的交叉处具有多个存储器单元。所述存储器装置进一步包含对应于所述存储器行的感测放大器。当所述存储器装置通电时，所述存储器装置在执行从用户、存储器控制器或所述存储器装置的主机装置接收的存取命令之前，将所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元写入到随机数据状态。在一些实施例中，为了写入所述一或多个存储器单元，所述存储器装置在不为对应的感测放大器供电的同时激发多个存储器行，使得存储在所述多个存储器行的存储器单元上的数据被覆写和损坏。坏。坏。

【技术实现步骤摘要】
加电时具有自动后台预处理的存储器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请含有与Anthony D.Veches等人同时提交的美国专利申请相关的主题。标题为“加电时具有自动后台预处理的存储器”被分配到Micron Technology，Inc.，由代理人案号为010829-9390.US00标识，在本文中引入其全部内容作为参考。


[0003]本公开涉及存储器系统、装置和相关联的方法。具体地，本公开涉及在加电时具有自动后台预处理的存储器装置。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置相关的信息。在计算机或其它电子装置中，存储器装置通常作为内部、半导体、集成电路和或外部可移动装置被提供。有许多不同类型的存储器，其包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器，其包含静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等，可能需要施加电源来维护其数据。相反，非易失性存储器即使在没有外部供电时也可以保持其存储的数据。非易失性存储器可以用于多种技术中，其包含快闪存储器(例如，NAND及NOR)相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)以及磁性随机存取存储器(MRAM)等。改进存储器装置通常可以包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度或以其它方式减少操作等待时间、增加可靠性、增加数据保持力、减少功耗或减少制造成本等其它度量。

技术实现思路

[0005]在一个方面中，本公开涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包含布置在存储器行和存储器列的交叉处的多个存储器单元，其中所述存储器装置被配置成在所述存储器装置的加电操作期间，在执行从用户、存储器控制器或所述存储器装置的主机装置接收的存取命令之前，将所述存储器阵列的至少一部分写入到随机数据状态。
[0006]在另一个方面中，本公开涉及一种方法，其包括：接收存储器装置正在通电的指示，所述存储器装置包括存储器阵列，所述存储器阵列具有布置在多个存储器行和多个存储器列的交叉点处的多个存储器单元；响应于所述指示，在执行从用户、存储器控制器或所述存储器装置的主机装置接收的存取命令之前，将所述存储器阵列的至少一部分写入到随机数据状态。
[0007]在进一步的方面中，本公开涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其具有布置在存储器行和存储器列的交叉处的多个存储器单元；以及感测放大器，其对应于所述存储器行，其中—所述存储器装置被配置成在所述存储器装置加电时，在执行从用户、存储器控制器或所述存储器装置的主机装置接收的存取命令之前，将所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元写入到随机数据状态，为了将所述一或多个存储器单元写入到所述随机
数据状态，所述存储器装置被配置成在不为对应于所述多个存储器行的感测放大器供电的同时激发所述多个存储器行，使得存储在所述多个存储器行的存储器单元上的数据被覆写和损坏，以及所述多个存储器行中的至少一个存储器行对应于所述一或多个存储器单元。
附图说明
[0008]参考以下附图可以更好地理解本公开的许多方面。附图中的组件不必按比例绘制。相反，重点在于清楚地示出本公开的原理。附图不应被认为将本公开限制于所描绘的特定实施例，而仅仅是为了解释和理解。
[0009]图1是示意性地示出根据本技术的各种实施例配置的存储器系统的框图。
[0010]图2是示出根据本技术的各种实施例配置的存储器装置的后台预处理例程的流程图。
[0011]图3是包含根据本技术的各种实施例配置的存储器装置的系统的示意图。
具体实施方式
[0012]如下文更详细地论述，本文中所公开的技术涉及将存储器阵列的全部或子集预处理到预期状态的存储器系统和装置(以及相关联的方法)，作为当存储器装置通电时自动执行的后台操作的一部分。然而，本领域的技术人员将了解，所述技术可以具有附加实施例，并且可以在没有下文参考图1至3描述的实施例的若干细节的情况下实践所述技术。在以下所示出的实施例中，主要在并入DRAM存储介质的装置的上下文中描述存储器装置和系统。然而，根据本技术的其它实施例配置的存储器装置可以包含并入有其它类型的存储介质的其它类型的存储器装置和系统，所述存储介质包含PCM、SRAM、FRAM、RRAM、MRAM、只读存储器(ROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEROM)、铁电、磁阻和其它存储介质，包含非易失性、快闪(例如，NAND和/或NOR)存储介质。
[0013]主机存储器系统通常包含用于存储信息的一或多个存储器装置。主机存储器系统可以采用一或多种安全措施以防止恶意行为者在存储器装置安装在主机存储器系统中时读取和/或操纵信息。例如，当恶意行为者发出标识对应于存储器装置的存储器阵列的受限部分的存储器地址的读取请求时，主机存储器系统可以通过响应读取请求返回错误消息和/或无效数据来防止恶意行为者存取存储在存储器阵列的受限部分中的信息。作为另一个实例，主机存储器系统可以将某些命令(例如，读取、写入或其它存取命令)限制为仅授权用户。
[0014]当所述信息存储在易失性存储器装置的存储器单元上时，所述主机系统被配置成周期性地刷新所述存储器单元以防止电荷泄漏导致的数据丢失。当易失性存储器装置断电或以其它方式与电源断开时，易失性存储器装置的存储器单元不再刷新。在没有中间电源的情况下，电荷从存储器单元泄漏，直到存储在存储器单元上的信息损坏(例如，不再能准确读取)。然而，此损坏过程不是立即的。因此，在易失性存储器装置断电或以其它方式与电源断开之后的一段时间内，所述信息可以保持准确可读。结果，恶意行为者可能通过将常规存储器装置从主机存储器系统快速转移(例如，热调接)到不采用上述安全措施或被配置成规避此些安全措施的敌对存储器系统来潜在地提取存储在常规存储器装置上的信息。
[0015]为了解决此问题，本技术的若干实施例针对存储器装置，包含存储器装置的系统
和操作存储器装置的方法，其中存储器装置的存储器阵列中的存储器单元被编程为期望(预定)状态，作为在存储器装置加电期间(例如，在存储器装置执行从用户、存储器控制器和/或主机装置接收的存取或其它命令之前)自动执行的后台操作的一部分。在一些实施例中，期望状态可以是存储在存储器装置的熔丝阵列中的已知状态(例如，预定数据串)。在这些和其它实施例中，当存储器装置通电时，存储器装置可以自动将存储器阵列的全部或子集编程为已知状态。在这些和其它实施例中，期望状态可以是随机(例如，损坏的)状态，并且存储器装置可以在加电期间通过激发存储器阵列中的多行存储器单元自动将存储器阵列的全部或子集编程为随机状态而不为对应的感测放大器供电，使得附近的存储器单元行用其数据相互覆写并损坏。在任一方法下，在存储器装置断电或以其它方式与电源断开之后，存留在存储器单元上的任何有效信息均当存储器装置通电时自动覆写和/或损坏。
[0016]图1是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包含布置在存储器行和存储器列的交叉处的多个存储器单元，其中所述存储器装置被配置成在所述存储器装置的加电操作期间，在执行从用户、存储器控制器或所述存储器装置的主机装置接收的存取命令之前，将所述存储器阵列的至少一部分写入到随机数据状态。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括具有对应于所述存储器阵列的反熔丝元件的熔丝阵列，其中所述反熔丝元件被配置成存储预处理数据。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述预处理数据标识所述存储器阵列的所述部分。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述存储器装置进一步被配置成在所述存储器装置的所述加电操作期间从所述熔丝阵列自动读取所述预处理数据，以在执行所述存取命令之前标识所述存储器阵列的所述部分。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括对应于所述存储器行的感测放大器，并且其中为了将所述存储器阵列的所述部分写入到所述随机数据状态，所述存储器装置被配置成在不为对应的感测放大器供电的同时激发所述存储器阵列的多个存储器行，使得存储在所述多个存储器行的存储器单元上的数据被覆写和损坏。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置进一步被配置成向所述存储器阵列的所述部分发出一个以上激活命令，以将所述存储器阵列的所述部分写入到所述随机数据状态。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器阵列的所述部分包含所述多个存储器单元中的每个存储器单元。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器阵列的所述部分仅包含所述多个存储器单元中的存储器单元的子集。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器DRAM装置。10.一种方法，其包括：接收存储器装置正在通电的指示，所述存储器装置包括存储器阵列，所述存储器阵列具有布置在多个存储器行和多个存储器列的交叉点处的多个存储器单元；响应于所述指示，在执行从用户、存储器控制器或所述存储器装置的主机装置接收的存取命令之前，将所述存储器阵列的至少一部分写入到随机数据状态。11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括响应于所述指示，在执行所述存取命令之前自动读取存储在所述存储器装置上的预处理数据。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述预处理数据指定所述存储器阵列的所述部分，并且其中所述方法进一步包括将所述预处理数据加载到所述存储器装置的命令解码器中。13.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：