一种封装方法技术

本发明专利技术提供一种封装方法，该方法在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。不会损伤晶圆级芯片。不会损伤晶圆级芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种封装方法。

技术介绍

[0002]现有技术对晶圆级芯片的封装中，通常把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。如图1、图2所示，现有技术中，芯片3上的引出端子2通过焊线4连接引线框架5再连接到PCB等其它外接的元器件，芯片3和引出端子2被封装在环氧树脂1内。现有技术中通过焊线4连接的形式使得传输路径长电感较大，传输不稳定，难以满足电子产品薄、小的要求。
[0003]因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。现有技术中，在对晶圆级芯片的侧面进行封装时，易发生晶圆碎裂，晶圆级芯片损伤的问题。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中在对晶圆级芯片的侧面进行封装时的晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的技术问题，本专利技术提供一种封装方法，具体方案如下：
[0005]一种封装方法，包括以下步骤：
[0006]分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层，第一表面和第二表面均为晶圆的切割道所在的表面；
[0007]分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层之后，沿所述晶圆的切割道将所述晶圆切割成多个晶圆级芯片；
[0008]在每个所述晶圆级芯片的至少两个侧面上形成第二保护层以得到晶圆级芯片封装单元。
[0009]进一步的，在每个所述晶圆级芯片的至少两个侧面上形成第二保护层以得到晶圆级芯片封装单元包括：
[0010]采用模具将相邻所述晶圆级芯片相互隔离；
[0011]向所述模具内灌注第二树脂以使所述晶圆级芯片的至少两个侧面上均覆盖第二树脂；
[0012]加热所述第二树脂使所述第二树脂固化到第二预设硬度以形成第二保护层从而得到晶圆级芯片封装单元。
[0013]进一步的，分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层包括：
[0014]在所述第一表面和第二表面上覆盖第一树脂；
[0015]加热所述第一树脂使所述第一树脂固化到第一预设硬度以形成第一保护层。
[0016]进一步的，分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层包括：在所述第一表面和第二表面覆盖第一树脂的操作步骤以及加热所述第一树脂使所述第一树脂固化到第一预设硬度以形成第一保护层的操作步骤之间，在覆盖于所述第一表面的所述第一树脂上构造电极槽和切槽；所述电极槽位于所述晶圆的引出端子所在的位置处用于使所述晶圆的引出端子露出所述第一树脂；所述切槽位于所述晶圆的切割道所在的位置处用于使所述晶圆的切割道露出所述第一树脂。
[0017]进一步的，所述封装方法还包括：沿所述晶圆的切割道将所述晶圆切割成多个晶圆级芯片的操作步骤以及在每个所述晶圆级芯片的至少两个侧面上形成第二保护层以得到晶圆级芯片封装单元的操作步骤之间，执行电极构造的操作步骤。
[0018]进一步的，所述电极构造的操作步骤包括：
[0019]在所述电极槽内添加焊料，所述焊料与所述引出端子接触；
[0020]使所述焊料形成与所述引出端子电连接的电极。
[0021]进一步的，所述焊料为锡膏，采用锡膏回流焊形成所述电极。
[0022]进一步的，加热所述第一树脂使所述第一树脂固化到第一预设硬度以形成第一保护层的操作步骤以及沿所述晶圆的切割道将所述晶圆切割成多个晶圆级芯片的操作步骤之间，还包括：
[0023]在覆盖于所述第二表面的所述第一树脂上背离所述第二表面的一侧贴附胶结件以避免晶圆级芯片移动。
[0024]进一步的，加热所述第一树脂使所述第一树脂固化到第一预设硬度以形成第一保护层的操作步骤以及在覆盖于所述第二表面的所述第一树脂上背离所述第二表面的一侧贴附胶结件以避免晶圆级芯片移动的操作步骤之间，还包括：
[0025]对所述第一树脂进行等离子体清洗以去除所述第一树脂表面的污染物；
[0026]对所述晶圆的引出端子进行等离子体清洗以去除所述引出端子上的氧化物。
[0027]进一步的，向所述模具内灌注第二树脂以使所述晶圆级芯片的至少两个侧面上均覆盖第二树脂的操作步骤以及加热所述第二树脂使所述第二树脂固化到第二预设硬度以得到晶圆级芯片封装单元的操作步骤之间，还包括：
[0028]将所述胶结件从覆盖于所述第二表面的所述第一树脂上背离所述第二表面的一侧去除。
[0029]与现有技术相比，本专利技术在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。
附图说明
[0030]在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。其中：
[0031]图1、图2为现有技术的晶圆级芯片封装单元结构图；
[0032]图3为本专利技术实施例的晶圆级封装单元的俯视图；
[0033]图4为本专利技术实施例的晶圆级封装单元的结构示意图；
[0034]图5为本专利技术实施例的晶圆级芯片的结构图；
[0035]图6为本专利技术实施例的晶圆的结构图；
[0036]图7为图6的俯视图；
[0037]图8为本专利技术实施例在晶圆的第一表面和第二表面覆盖第一树脂的示意图；
[0038]图9为本专利技术实施例在第一树脂上构造电极槽和切槽的示意图；
[0039]图10为本专利技术实施例加热所述第一树脂使所述第一树脂固化到第一预设硬度以形成第一保护层的示意图；
[0040]图11为本专利技术实施例在进行等离子体清洗后贴附胶结件的示意图；
[0041]图12为本专利技术实施例沿所述晶圆的切割道将所述晶圆切割成多个晶圆级芯片的示意图；
[0042]图13为本专利技术实施例在电极槽内添加焊料的示意图；
[0043]图14为本专利技术实施例将焊料形成电极的示意图；
[0044]图15为本专利技术实施例使所述晶圆级芯片的至少两个侧面上均覆盖第二树脂的示意图；
[0045]图16为本专利技术实施例去除胶结件的示意图；
[0046]图17为本专利技术实施例加热第二树脂将第二树脂固化到第二预设硬度形成第二保护层的示意图。
[0047]在附图中，相同的标识对象采用相同的附图标记，附图并未按实际比例绘制。
具体实施方式
[0048]下面将结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0049]本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括以下步骤：分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层，第一表面和第二表面均为晶圆的切割道所在的表面；分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层之后，沿所述晶圆的切割道将所述晶圆切割成多个晶圆级芯片；在每个所述晶圆级芯片的至少两个侧面上形成第二保护层以得到晶圆级芯片封装单元。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在每个所述晶圆级芯片的至少两个侧面上形成第二保护层以得到晶圆级芯片封装单元包括：采用模具将相邻所述晶圆级芯片相互隔离；向所述模具内灌注第二树脂以使所述晶圆级芯片的至少两个侧面上均覆盖第二树脂；加热所述第二树脂使所述第二树脂固化到第二预设硬度以形成第二保护层从而得到晶圆级芯片封装单元。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层包括：在所述第一表面和第二表面上覆盖第一树脂；加热所述第一树脂使所述第一树脂固化到第一预设硬度以形成第一保护层。4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，分别在晶圆的第一表面和第二表面上形成第一保护层包括：在所述第一表面和第二表面覆盖第一树脂的操作步骤以及加热所述第一树脂使所述第一树脂固化到第一预设硬度以形成第一保护层的操作步骤之间，在覆盖于所述第一表面的所述第一树脂上构造电极槽和切槽；所述电极槽位于所述晶圆的引出端子所在的位置处用于使所述晶圆的引出端子露出所述第一树脂；所述切槽位于所述晶圆的切割道所在的位置处用于使所述晶圆的切割道露出所述第一树脂。5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：沿所述晶圆的切割道将所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：江伟，史波，敖利波，王华辉，陈治中，廖童佳，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：