一种金线莲的设施立体炼苗种植方法技术

本发明专利技术涉及药材种植技术领域，具体涉及一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，该方法将筛选的金线莲组培苗在环境可控的设施植物工厂内，将培养基质铺平在种植托盘内，采用水槽底部渗透式灌溉，然后将金线莲组培苗提在设定良好的设施植物工厂内炼苗，再将金线莲幼苗移栽到种植托盘内，并放置在环境条件设定好的设施植物工厂内的立体栽培架内进行科学种植。本发明专利技术的炼苗种植方法为金线莲组培苗不同生长期提供最适合的生长环境，从而促进了幼苗生根，提升植株体内有效成分的积累，大大提高了金线莲的产量和品质。莲的产量和品质。

【技术实现步骤摘要】
一种金线莲的设施立体炼苗种植方法


[0001]本专利技术涉及药材种植
，具体涉及一种金线莲的设施立体炼苗种植方法。

技术介绍

[0002]金线莲是我国热带及亚热带区域著名的药用植物，素有“药王”、“金草”之美称。作为一种多年生草本植物，金线莲分布广阔，目前在中国、日本等东南亚国家区域都有发现，在我们国内主要分布于东南地区，台湾、福建为金线莲主要产地。金线莲由于其显著的药用功效，近些年逐渐被重视起来。其主要用于治疗高血压、糖尿病、风湿病，小儿发育不良等症状，效果显著。
[0003]金线莲对生长环境要求较为苛刻，而且发芽率低，生长缓慢，生长周期性长，加上自然环境遭受人为的过度破坏，及过度采挖造成资源逐渐枯竭，致使金线莲的生长繁殖也变得愈加困难。由于以上技术难题，使得目前人工培育的金钱莲的产量低而且品质较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于针对现有技术中的不足，而提供一种产量高、品质好的金线莲的设施立体炼苗种植方法。
[0005]本专利技术的目的通过以下技术方案实现：
[0006]提供一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，包括以下步骤：
[0007](1)种植前准备
[0008]选择长势良好、生长抑制、无感染病害和无机械损伤的金线莲组培苗，用50％多菌灵可湿性粉剂500倍液进行消毒；在环境可控的设施植物工厂内，环境温度设定为白天24℃、晚上20℃，空气湿度保持在70％；将培养基质铺平在种植托盘内，采用水槽底部渗透式灌溉；
[0009](2)幼苗移栽
[0010]将选择好的带有培养瓶的金线莲组培苗提前在设定良好的设施植物工厂内炼苗1周，使金线莲组培苗适应生长环境，然后将培养瓶里的金线莲幼苗取出清理干净，晾干植物周身水分，移栽到准备好的种植托盘内；
[0011](3)种植及管理
[0012]将移栽金线莲幼苗的种植托盘放置在环境条件设定好的设施植物工厂内的立体栽培架内，栽种后第2天，施以缓释肥，栽种后10天内，每天定时浇水一次，满足其生长需求；在炼苗初期和炼苗中期设置合适的光照条件，并定期浇水。
[0013]上述技术方案中，步骤(1)中，所述培养基质选择消毒过的环保基质，所述培养基质是由树皮、泥炭土、蛭石按照质量比6:2:1混合而成。
[0014]上述技术方案中，步骤(3)中，移栽后将种植托盘放置在设施植物工厂的立体栽培架上，每个栽培架有3层，每层放置4个托盘。
[0015]上述技术方案中，步骤(3)中，炼苗初期的光照条件为：移栽后前两个月内，采用光
质配比为红蓝绿2:1:1，其光照时长为16h，光照强度设定为40
±
5μmol/m2.s。
[0016]上述技术方案中，炼苗中期的光照条件为：移栽后第三个月开始调整光质配比为红蓝2:1，光照时长为14h，光照强度为40
±
5μmol/m2.s。
[0017]上述技术方案中，步骤(1)中，在植物生长环境内炼苗，温度设定与后期栽培后的环境参数相一致。
[0018]本专利技术的有益效果：
[0019]本专利技术的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，通过设施植物工厂内的立体培育和科学种植，为金线莲组培苗不同生长期提供最适合的生长环境，从而促进了幼苗生根，提升植株体内有效成分的积累，大大提高了金线莲的产量和品质。
具体实施方式
[0020]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明，但并不构成对本专利技术的任和限制。
[0021]本实施例的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，包括以下步骤：
[0022](1)种植前准备
[0023]选择长势良好、生长抑制、无感染病害和无机械损伤的金线莲组培苗，用50％多菌灵可湿性粉剂500倍液进行消毒；在环境可控的设施植物工厂内，环境温度设定为白天24℃、晚上20℃，空气湿度保持在70％。将培养基质铺平在种植托盘内，采用水槽底部渗透式灌溉。
[0024](2)幼苗移栽
[0025]将选择好的带有培养瓶的金线莲组培苗提前在设定良好的设施植物工厂内炼苗1周，使金线莲组培苗适应生长环境，然后将培养瓶里的金线莲幼苗取出清理干净，晾干植物周身水分，移栽到准备好的种植托盘内；
[0026](3)种植及管理
[0027]将移栽金线莲幼苗的种植托盘放置在环境条件设定好的设施植物工厂内的立体栽培架内，栽种后第2天，施以缓释肥，栽种后10天内，每天定时浇水一次，满足其生长需求；在炼苗初期和炼苗中期设置合适的光照条件，并定期浇水；
[0028]具体的，步骤(1)中，培养基质选择消毒过的环保基质，该培养基质是由树皮、泥炭土、蛭石按照质量比6:2:1混合而成。
[0029]并且，该步骤中在植物生长环境内炼苗，温度设定与后期栽培后的环境参数相一致。
[0030]具体的，步骤(3)中，移栽后将种植托盘放置在设施植物工厂的立体栽培架上，每个栽培架有3层，每层放置4个托盘，这样有利于增大植株种植面积，提高金线莲种植产量。
[0031]具体的，步骤(3)中，炼苗初期的光照条件为：移栽后前两个月内，采用光质配比为红蓝绿2:1:1，其光照时长为16h，光照强度设定为40
±
5μmol/m2.s，该条件下有利于植株生根及产量提升。
[0032]炼苗中期的光照条件为：移栽后第三个月开始调整光质配比为红蓝2:1，光照时长为14h，光照强度为40
±
5μmol/m2.s，该条件下有利于植株生物含量积累，提升植株价值。
[0033]以上所举实施例为本专利技术的较佳实施方式，仅用来方便说明本专利技术，并非对本发
明作任何形式上的限制，任何所属
中具有通常知识者，若在不脱离本专利技术所提技术特征的范围内，利用本专利技术所揭示
技术实现思路
所作出局部更动或修饰的等效实施例，并且未脱离本专利技术的技术特征内容，均仍属于本专利技术技术特征的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)种植前准备选择长势良好、生长抑制、无感染病害和无机械损伤的金线莲组培苗，用50％多菌灵可湿性粉剂500倍液进行消毒；在环境可控的设施植物工厂内，环境温度设定为白天24℃、晚上20℃，空气湿度保持在70％；将培养基质铺平在种植托盘内，采用水槽底部渗透式灌溉；(2)幼苗移栽将选择好的带有培养瓶的金线莲组培苗提前在设定良好的设施植物工厂内炼苗1周，使金线莲组培苗适应生长环境，然后将培养瓶里的金线莲幼苗取出清理干净，晾干植物周身水分，移栽到准备好的种植托盘内；(3)种植及管理将移栽金线莲幼苗的种植托盘放置在环境条件设定好的设施植物工厂内的立体栽培架内，栽种后第2天，施以缓释肥，栽种后10天内，每天定时浇水一次，满足其生长需求；在炼苗初期和炼苗中期设置合适的光照条件，并定期浇水。2.根据权利要求1所述的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：步骤(1)中，所述培养基质选择消毒过的环保基...

【专利技术属性】
技术研发人员：马稚昱，肖文豪，李蕊，褚璇，岑彩慧，韦鸿钰，
申请(专利权)人：仲恺农业工程学院，
类型：发明
国别省市：