本实用新型专利技术涉及印刷电路板技术领域，具体涉及一种复合式高频高速膜材料，包括由下而上依次复合的第一LCP膜层、第一低介电胶层和中低频材料膜层，所述第一低介电胶层为氟硅胶粘剂层。本实用新型专利技术采用中低频/高频材料复合的方式，可以有效降低产品材料成本，而且可以满足目前5G 6GHz以下频率的应用需求；本实用新型专利技术在氟硅胶粘剂低频胶水涂布下，将LCP和中低频材料膜层进行复合，形成不同结构的高频FPC用膜材料，可以满足短期低频段5G应用要求；本实用新型专利技术可有效降低LCP消耗，克服LCP膜材料脆性不易弯折的弱点。性不易弯折的弱点。性不易弯折的弱点。
【技术实现步骤摘要】
一种复合式高频高速膜材料
[0001]本技术涉及印刷电路板
，具体涉及一种复合式高频高速膜材料。
技术介绍
[0002]印刷电路板是电子产品中不可或缺的材料，随着电子信息技术的飞速发展，对印刷电路板的需求更是与日俱增。柔性印刷电路板(FPC,flexible printed circuit)由于具有轻薄可挠曲性。在消费电子产品上具有广泛的应用。
[0003]PI作为现今FPC中的重要原材料，对FPC的性能发展具有决定性的作用。随着5G、物联网、车联网的渐行渐近，高频高速材料的需求越发迫切，传统的PI膜不再满足低Dk/Df的要求。
[0004]目前主流的4G频段在1.8Ghz-2.7GHz之间，5G频段又被划分为低频段(6GHz以下)和高频段(20GHz以上)，在中短期的未来，会主要采用6GHz以下的低频段5G技术。
[0005]LCP等材料虽然可以是5G应用的首选替代PI材料，但目前LCP及其他高频材料存在价格高等因素，推广成本较高。
技术实现思路
[0006]为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本技术的目的在于提供一种复合式高频高速膜材料。
[0007]本技术的目的通过下述技术方案实现：
[0008]一种复合式高频高速膜材料，包括由下而上依次复合的第一LCP膜层、第一低介电胶层和中低频材料膜层，所述第一低介电胶层为氟硅胶粘剂层。
[0009]其中，所述第一低介电胶层的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-20μm。
[0010]所述中低频材料膜层为PTFE膜层、PVDF膜层、PFA膜层、FEP膜层和PI膜层中的一种，中低频材料膜层的Dk为2-4，Df为0.002-0.007，厚度为5-50μm。
[0011]所述中低频材料膜层的上表面还依次复合有第二低介电胶层和第二LCP膜层。
[0012]所述第一LCP膜层和第二LCP膜层的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-50μm。
[0013]所述第二低介电胶层的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-20μm。
[0014]所述中低频材料膜层为PI膜层。
[0015]本技术的有益效果在于：1、本技术采用中低频/高频材料复合的方式，可以有效降低产品材料成本，而且可以满足目前5G 6GHz以下频率的应用需求；2、本技术在氟硅胶粘剂低频胶水涂布下，将LCP和中低频材料膜层进行复合，形成不同结构的高频FPC用膜材料，可以满足短期低频段5G应用要求；3、可有效降低LCP消耗，克服LCP膜材料脆性不易弯折的弱点。
附图说明
[0016]图1是实施例1的局部剖视图；
[0017]图2是实施例2的局部剖视图；
[0018]附图标记为：1-第一LCP膜层；2-第一低介电胶层；3-中低频材料膜层；4-第二低介电胶层；5-第二LCP膜层。
具体实施方式
[0019]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-2对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。
[0020]实施例1
[0021]如图1所示，一种复合式高频高速膜材料，包括由下而上依次复合的第一LCP膜层1、第一低介电胶层2和中低频材料膜层3，所述第一低介电胶层2为氟硅胶粘剂层。
[0022]其中，所述第一低介电胶层2的Dk为2.5，Df为0.003，厚度为10μm，在其他可替代的实施例中，所述第一低介电胶层2的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-20μm。
[0023]所述中低频材料膜层3为PTFE膜层，中低频材料膜层3的Dk为3，Df为0.005，厚度为20μm；在其他可替代的实施例中，所述中低频材料膜层3为PTFE膜层、PVDF膜层、PFA膜层、FEP膜层和PI膜层中的一种，中低频材料膜层3的Dk为2-4，Df为0.002-0.007，厚度为5-50μm。
[0024]所述第一LCP膜层1的Dk为2.5，Df为0.003，厚度为30μm。在其他可替代的实施例中，所述第一LCP膜层1的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-50μm。
[0025]实施例2
[0026]如图2所示，一种复合式高频高速膜材料，包括由下而上依次复合的第一LCP膜层1、第一低介电胶层2、中低频材料膜层3、第二低介电胶层4和第二LCP膜层5，所述第一低介电胶层2为氟硅胶粘剂层。
[0027]本技术采用中低频/高频材料复合的方式，可以有效降低产品材料成本，而且可以满足目前5G 6GHz以下频率的应用需求；在氟硅胶粘剂低频胶水涂布下，将LCP和中低频材料膜层3进行复合，形成不同结构的高频FPC用膜材料，可以满足短期低频段5G应用要求。
[0028]其中，所述第一低介电胶层2的Dk为2.5，Df为0.003，厚度为10μm，在其他可替代的实施例中，所述第一低介电胶层2的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-20μm。
[0029]所述中低频材料膜层3为PI膜层，中低频材料膜层3的Dk为4，Df为0.006，厚度为25μm。
[0030]所述第一LCP膜层1和第二LCP膜层5的Dk为2.5，Df为0.003，厚度为30μm。在其他可替代的实施例中，所述第一LCP膜层1和第二LCP膜层5的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-50μm。
[0031]其中，所述第二低介电胶层4的Dk为2.5，Df为0.003，厚度为10μm，在其他可替代的实施例中，所述第二低介电胶层4的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-20μm。
[0032]本技术的实现方案不局限于单层(实施例1)或双层(实施例2)的复合结构。
[0033]上述实施例为本技术较佳的实现方案，除此之外，本技术还可以其它方式实现，在不脱离本技术构思的前提下任何显而易见的替换均在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合式高频高速膜材料，其特征在于：包括由下而上依次复合的第一LCP膜层、第一低介电胶层和中低频材料膜层，所述第一低介电胶层为氟硅胶粘剂层。2.根据权利要求1所述的一种复合式高频高速膜材料，其特征在于：所述第一低介电胶层的Dk为2-3，Df为0.001-0.006，厚度为5-20μm。3.根据权利要求1所述的一种复合式高频高速膜材料，其特征在于：所述中低频材料膜层为PTFE膜层、PVDF膜层、PFA膜层、FEP膜层和PI膜层中的一种，中低频材料膜层的Dk为2-4，Df为0.002-0.007，厚度为5-50μm。4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱骏，张鹏，王有富，纪孝熹，张伟祥，
申请(专利权)人：苏州明冠新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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