微细光刻技术制造技术

本发明专利技术公开了一种微细光刻技术，为制造大规模集成电路、微波半导体器件、激光器、精密传感器等提供了一种新的紫外光衍射缩小曝光方法．本法不需要采用复杂的光学透镜系统，而且使图形的分辨率可达到光学投影曝光的水平，此种曝光技术具有等量缩小的特点，可按需要进行１～５倍的缩小曝光．可以加工３～０．７微米的精细图形．（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微细光刻技术，它是通过平行紫外光透过掩模版，在近场条件下对涂有抗蚀剂的基片曝光，实现图形的加工。其特征在于所述的曝光方法为接近式衍射缩小曝光，掩模版至基片的间隙距离为０～５０微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡思福，
申请(专利权)人：成都电讯工程学院，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]