一种应用于变频器的过电流保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种应用于变频器的过电流保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、光电耦合器和二极管，所述第一三极管和第二三极管均为PNP型三极管，所述第三三极管为NPN型三极管。本实用新型专利技术采用的电路简洁且器件价格较低，整体电路的成本较低，并且反应也比较灵敏，可以很好地起到过电流保护的作用。可以很好地起到过电流保护的作用。可以很好地起到过电流保护的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于变频器的过电流保护电路


[0001]本技术涉及变频器
，尤其涉及一种应用于变频器的过电流保护电路。

技术介绍

[0002]变频器主要由整流、滤波、逆变、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多的保护功能，如过电流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。但是目前市面上的应用于小功率机器中的变频器，变频器中的过电流保护电路成本偏高，并且反应不够灵敏。
[0003]因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种应用于变频器的过电流保护电路。
[0005]本技术的技术方案如下：本技术提供一种应用于变频器的过电流保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、光电耦合器和二极管，所述第一三极管和第二三极管均为PNP型三极管，所述第三三极管为NPN型三极管，所述第一电阻的一端和第二电阻的一端均与P2端电性连接，所述第一电阻的另一端和第二电阻的另一端均与P1端电性连接，所述P2端还与所述第一三极管的第二端电性连接，所述第一三极管的第三端分别与所述第七电阻一端、第一三极管的第一端、第二三极管的第一端、第四电容的一端电性连接，所述第七电阻的另一端、第四电容的另一端均接地，所述P1端还与所述光电耦合器原边的阳极、第一电容的一端、第四电阻的一端、第五电阻的一端电性连接，所述第五电阻的另一端与所述第二三极管的第二端电性连接，所述第二三极管的第三端分别与所述第八电阻的一端、第三电容的一端、第三三极管的第一端电性连接，所述第八电阻的另一端和所述第三电容的另一端均接地，所述第四电阻的另一端、第一电容的另一端、光电耦合器原边的阴极均与所述第六电阻的一端电性连接，所述第六电阻的另一端与所述第三三极管的第三端电性连接，所述第三三极管的第二端与所述二极管的负极电性连接，所述二极管的正极接地，所述光电耦合器的副边的一端分别与第二电容的一端、第三电阻的一端、SC端电性连接，所述第三电阻的另一端与VCC端电性连接，所述第二电容的另一端、光电隔离器的副边的另一端均接地。
[0006]进一步地，所述二极管为稳压二极管。
[0007]进一步地，所述第一电阻和第二电阻均为合金电阻。
[0008]进一步地，所述光电耦合器的型号为EL357N。
[0009]采用上述方案，本技术采用的电路简洁且器件价格较低，整体电路的成本较低，并且反应也比较灵敏，可以很好地起到过电流保护的作用。
附图说明
[0010]图1为本技术一实施例的电路图。
具体实施方式
[0011]以下结合附图和具体实施例，对本技术进行详细说明。
[0012]请参阅图1，在本实施例中，本技术提供一种应用于变频器的过电流保护电路，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、光电耦合器PS1和二极管DZ1。所述第一电阻R1和第二电阻R2均为合金电阻，用于检测电流。所述第一三极管Q1和第二三极管Q2均为PNP型三极管，所述第三三极管Q3为NPN型三极管。所述光电耦合器的型号为EL357N。所述二极管DZ1为稳压二极管，型号为BZX84-C5V1。所述第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端均与P2端电性连接，所述第一电阻R1的另一端和第二电阻R2的另一端均与P1端电性连接，所述P2端还与所述第一三极管的第二端电性连接，所述第一三极管的第三端分别与所述第七电阻一端、第一三极管的第一端、第二三极管的第一端、第四电容的一端电性连接，所述第七电阻的另一端、第四电容的另一端均接地，所述P1端还与所述光电耦合器原边的阳极、第一电容的一端、第四电阻的一端、第五电阻的一端电性连接，所述第五电阻的另一端与所述第二三极管的第二端电性连接，所述第二三极管的第三端分别与所述第八电阻的一端、第三电容的一端、第三三极管的第一端电性连接，所述第八电阻的另一端和所述第三电容的另一端均接地，所述第四电阻的另一端、第一电容的另一端、光电耦合器原边的阴极均与所述第六电阻的一端电性连接，所述第六电阻的另一端与所述第三三极管的第三端电性连接，所述第三三极管的第二端与所述二极管的负极电性连接，所述二极管的正极接地，所述光电耦合器的副边的一端分别与第二电容的一端、第三电阻的一端、SC端电性连接，所述第三电阻的另一端与VCC端电性连接，所述第二电容的另一端、光电隔离器的副边的另一端均接地。所述P1端和P2端连接母线电压，VCC端连接所述光电耦合器供电端，SC端连接MCU的故障信号端。
[0013]请继续参阅图1，本电路在工作时，如果变频器工作电流正常时，则所述光电耦合器PS1的第四端输出通过SC端输出高电平给MCU。当流过所述第一电阻R1和第二电阻R2的电流增大时，P1到P2的压降会增加，由于P1端的电压和第一三极管Q1的第一端和第二端的电压保持不变，当第一电阻R1和第二电阻R2两端电压增大时，所述第七电阻R7两端的电压将会减小，当所述第二三极管Q2的第2端的电压减去所述第七电阻R7两端电压时，这时所述第二三极管Q2的第二端与第一端的压差大于其本身的管压降，所述第二三极管Q2导通，使得所述第三三极管Q3的第一端的电压升高，使得所述第三三极管Q3导通，所述光电耦合器PS1的第一脚和第二脚、第三三极管Q3、二极管DZ1之间形成回路，所述光电耦合器开始工作，使得所述光电耦合器PS1的第四端产生低电平，发送给MCU。后续MCU收到低电平信号后，可以通过将锁存器封锁，从而达到关闭IGBT驱动信号的效果，实现过电流保护。
[0014]综上所述，本技术中采用的电路简洁且器件价格较低，整体电路的成本较低，
并且反应也比较灵敏，可以很好地起到过电流保护的作用。
[0015]以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于变频器的过电流保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、光电耦合器和二极管，所述第一三极管和第二三极管均为PNP型三极管，所述第三三极管为NPN型三极管，所述第一电阻的一端和第二电阻的一端均与P2端电性连接，所述第一电阻的另一端和第二电阻的另一端均与P1端电性连接，所述P2端还与所述第一三极管的第二端电性连接，所述第一三极管的第三端分别与所述第七电阻一端、第一三极管的第一端、第二三极管的第一端、第四电容的一端电性连接，所述第七电阻的另一端、第四电容的另一端均接地，所述P1端还与所述光电耦合器原边的阳极、第一电容的一端、第四电阻的一端、第五电阻的一端电性连接，所述第五电阻的另一端与所述第二三极管的第二端电性连接，所述第二三极管的第三端分别与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：解宏基，
申请(专利权)人：深圳市源信电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：