一种IGBT过流过压保护电路及一种IGBT过流过压保护方法技术

技术编号:27367052 阅读:33 留言:0更新日期:2021-02-19 13:51
本发明专利技术公开了一种IGBT过流过压保护电路及一种IGBT过流过压保护方法,其中IGBT过流过压保护电路包括IGBT、过流保护电路、门极驱动电路和过压保护电路;所述过流保护电路用于监测所述IGBT的V

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT过流过压保护电路及一种IGBT过流过压保护方法


[0001]本专利技术属于电力电子
,尤其涉及一种IGBT过流过流保护电路及一种IGBT过流过压保护方法。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极晶体管(IGBT)是当今电力电子系统中最重要的部件,广泛应用于从几百伏到几千伏的各种功率级应用中。在IGBT的使用寿命期间,由于控制单元故障、人为错误或其他不可控因素,可能会出现不同的极端操作条件。IGBT最常见的情况之一是短路。为了避免对设备甚至电力系统造成损坏,应在几微秒内检测并关闭IGBT的短路。由于IGBT所能承受的过电流有限,过电流保护应快速准确。IGBT在其正常工作期间处于饱和区,集电极和发射极之间的电压降V
CE
非常小(约2V)。当短路发生时,电流值迅速达到额定电流的4-8倍,V
CE
迅速上升,然后退出饱和区。这个过程叫做去饱和。如果IGBT没有及时关闭,V
CE
可能会上升到母线电压值,对IGBT造成不可逆转的损害。因此,可以根据V
CE
的电压值来判断IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT过流过压保护电路,该电路包括驱动模块和IGBT,所述驱动模块与所述IGBT门极相连,其特征在于,还包括过流保护电路、门极驱动电路和过压保护电路;所述过流保护电路用于监测所述IGBT的V
CE
饱和压降电压,当所述IGBT的V
CE
饱和压降电压超过设定阈值时,过流信号会传输给控制板,当控制板接收到故障信号时,会控制所述门极驱动电路关断所述IGBT;所述过压保护电路用于监测IGBT的集电极电压,当所述IGBT的集电极电压超过设定阈值时,过压信号会传输给控制板,当控制板接收到故障信号时,会控制所述门极驱动电路关断所述IGBT。2.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于,所述过流保护电路包括电压反馈电路,所述电压反馈电路包括依次串联的250uA的可控电流源、第一电阻和第一高压二极管,所述可控电流源为V
CE
检测提供电流;所述第一高压二极管的负极与所述IGBT集电极相连,所述第一电阻与第一高压二极管之间的节点与第一电容相连并接地;所述可控电流源与所述第一电阻之间的节点与电压比较器负输入端相连,用于反馈电压的比较;所述过流保护电路还包括第一MOS管,所述第一MOS管的漏极与所述电压比较器负输入端相连。3.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于,所述第一MOS管的栅极与所述非门的输出端相连,所述非门的输入端与所述门极驱动电路相连,所述第一MOS管与所述非门构成钳位电路;所述第二可变电阻、第三电阻和可变电源用于设置可调阈值电压,所述串联的第二可变电阻与第三电阻中间节点与所述电压比较器正输入端相连;所述第二电容与第二可变电阻并联,用于稳定可调阈值电压,所述第三电容与第四电容并联于可变电源与地之间,用于滤除可变电源杂波。4.根据权利要求4所述的门极驱动电路,...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭斌史业照郑永军胡晓峰
申请(专利权)人:中国计量大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1