光电转换元件制造技术

提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。子构成。子构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件


[0001]根据本公开的技术(本技术)涉及使用例如有机半导体材料的光电转换元件。

技术介绍

[0002]近年来，在诸如CCD(电荷耦合器件)图像传感器和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等固态成像装置中，像素尺寸的小型化正在进展中。因此，由于减少了入射到单位像素上的光子的数量，所以感度降低并且发生S/N比的降低。此外，在使用用于彩色化的通过二维排列红色、绿色和蓝色的原色颜色滤光片形成的颜色滤光片的情况下，在红色像素中，绿色光和蓝色光被颜色滤光片吸收，导致感度降低。此外，由于当生成各颜色信号时在像素之间执行插值处理，所以产生了所谓的伪色。
[0003]因此，专利文献1公开了一种使用具有多层结构的有机光电转换膜的图像传感器，其中对蓝色光(B)敏感的有机光电转换膜、对绿色光(G)敏感的有机光电转换膜和对红色光(R)敏感的有机光电转换膜顺次地层叠。在该图像传感器中，通过从一个像素中分别获取B/G/R的信号，实现了感度的提高。专利文献2公开了一种成像元件，其中形成有单层的有机光电转换膜，从有机光电转换膜提取一种颜色的信号，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电转换元件，包括：配置成彼此面对的第一电极和第二电极；和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，其中所述光电转换层包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，和所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种是HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子。2.一种光电转换元件，包括：配置成彼此面对的第一电极和第二电极；和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，其中所述光电转换层由两种以上的有机半导体材料形成，和m/n为1以上，其中m是所述光电转换层的膜密度，n是形成所述光电转换层的各有机半导体材料的单膜的膜密度相对于组成的加权平均。3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中形成所述光电转换层的所述有机半导体材料中的至少一种是空穴输送性材料。4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中所述光电转换层包括30重量％以上的所述空穴输送性材料。5.一种光电转换元件，包括：配置成彼此面对的第一电极和第二电极；和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，其中所述光电转换层包括第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，和仅具有最稳定结构的所述第二有机半导体材料的比率为0.5以上，所述最稳定结构作为所述第二有机半导体材料和与所述第二有机半导体材料相邻的所述第三有机半导体材料的配位结构。6.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中所述第一有机半导体材料具有供电子性，所述第二有机半导体材料具有受电子性，和所述第三有机半导体材料是吸收光并被激发的颜料材料。7.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中在通过量子化学计算所计算出的所述第二有机半导体材料和所述第三有机半导体材料的最稳定的二聚体结构中，当分断面被定义为垂直于通过所述第三有机半导体材料的重心和所述第二有机半导体材料的重心的轴并且被通过所述第三有机半导体材料的重心的平面分割，将由所述分断面定义的两个区域中的存在所述第二有机半导体材料的方向上的区域设定为特定区域，所述光电转换层内的所述第二有机半导体材料中的仅位于相邻的所述第三有机半导体材料的由所述分断面定义的所述特定区域中的所述第二有机半导体材料的数量为N
A
，并且所述光电转换层内的所述第二有机半导体材料的总数为N时，满足N
A
/N≥0.5。8.根据权利要求7所述的光电转换元件，其中所述第二有机半导体材料和相邻的所述第三有机半导体材料的重心之间的距离在1.0nm以内。9.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中所述第二有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。
10.一种光电转换元件，包括：配置成彼此面对的第一电极和第二电极；和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部真之介，小林一，宫地左伊，菅野雅人，君岛美树，长谷川雄大，西寿朗，川嶋孝，齐藤阳介，稲叶雄大，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：