有机发光器件制造技术

本发明专利技术通过在空穴传输区域包含特定结构的化合物，从而提供驱动电压低、发光效率高、渐进式驱动电压上升被抑制的有机发光器件。进式驱动电压上升被抑制的有机发光器件。进式驱动电压上升被抑制的有机发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光器件


[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请主张基于2018年11月6日的韩国专利申请第10-2018-0135440号和2019年11月4日的韩国专利申请第10-2019-0139626号的优先权，包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。
[0003]本专利技术涉及驱动电压低、发光效率高、渐进式驱动电压上升被抑制的有机发光器件。

技术介绍

[0004]通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间，亮度、驱动电压和响应速度特性优异，因此正在进行大量的研究。
[0005]有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于上述阳极与阴极之间的有机物层的结构。为了提高有机发光器件的效率和稳定性，上述有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入有机物层，电子从阴极注入有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，并且当该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
[0006]对用于如上所述的有机发光器件的有机物，持续要求开发新的材料。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009](专利文献0001)韩国专利公开号第10-2000-0051826号
专利技术内容
[0010]技术课题
[0011]本专利技术涉及驱动电压低、发光效率高、渐进式驱动电压上升被抑制的有机发光器件。
[0012]课题的解决方法
[0013]为了解决上述课题，本专利技术提供下述的有机发光器件。
[0014]根据本专利技术的有机发光器件包括：
[0015]阳极；
[0016]与上述阳极对置而设置的阴极；
[0017]设置在上述阳极与阴极之间的发光层；
[0018]设置在上述阳极与发光层之间的空穴传输区域；以及
[0019]设置在上述发光层与阴极之间的电子传输区域，
[0020]上述空穴传输区域包括：
[0021]包含由下述化学式1表示的化合物的第一电子阻挡层和包含由下述化学式2表示的化合物的第二电子阻挡层：
[0022][化学式1][0023][0024]在上述化学式1中，
[0025]L1至L3各自独立地为单键；取代或未取代的C
6-60
亚芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
亚杂芳基，
[0026]Ar1为取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，
[0027]R1和R2各自独立地为氢；氘；卤素；氰基；硝基；取代或未取代的C
1-60
烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷氧基；取代或未取代的C
3-60
环烷基；取代或未取代的C
2-60
烯基；取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，
[0028]a和b各自为0至9的整数，
[0029]a和b为2以上时，括号内的结构各自相同或不同，
[0030][化学式2][0031][0032]在上述化学式2中，
[0033]L4至L6各自独立地为单键；取代或未取代的C
6-60
亚芳基；或者取代或未取代的包含
选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
亚杂芳基，
[0034]Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，
[0035]R3至R7各自独立地为氢；氘；卤素；氰基；硝基；取代或未取代的C
1-60
烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷氧基；取代或未取代的C
3-60
环烷基；取代或未取代的C
2-60
烯基；取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，
[0036]c为0至5的整数，
[0037]d、e和f各自为0至4的整数，
[0038]g为0至3的整数。
[0039]c至g为2以上时，括号内的结构各自相同或不同。
[0040]专利技术效果
[0041]上述的有机发光器件在空穴传输区域包括各自包含特定结构的化合物的第一电子阻挡层和第二电子阻挡层，从而渐进式驱动电压上升被抑制，可以表现出高发光效率和低驱动电压特性。
附图说明
[0042]图1图示了由基板10、阳极20、第二电子阻挡层31、第一电子阻挡层33、发光层40、电子传输层51和阴极60构成的有机发光器件的例子。
[0043]图2图示了由基板10、阳极20、P型载流子产生层35、电子注入层37、第二电子阻挡层31、第一电子阻挡层33、发光层40、空穴阻挡层53、电子传输层51、电子注入层55和阴极60构成的有机发光器件的例子。
[0044]图3是表示实施例1、比较例1和比较例2的有机发光器件的根据时间的驱动电压变化的图表。
具体实施方式
[0045]下面，为了帮助理解本专利技术而更详细地进行说明。
[0046]在本说明书中，表示与其它取代基连接的键。
[0047]在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘；卤素基团；氰基；硝基；羟基；羰基；酯基；酰亚胺基；氨基；氧化膦基；烷氧基；芳氧基；烷基硫基(Alkyl thioxy)；芳基硫基(thioxy)；芳基硫基(Aryl thioxy)；烷基磺酰基(Alkyl sulfoxy)；芳基磺酰基(Aryl sulfoxy)；甲硅烷基；硼基；烷基；环烷基；烯基；芳基；芳烷基；芳烯基；烷基芳基；烷基胺基；芳烷基胺基；杂芳基胺基；芳基胺基；芳基膦基；或者包含N、O和S原子中的1个以上的杂芳基中的1个以上的取代基取代或未取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代或未取代。例如，“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即，联苯基可以为芳基，也可以被解释为2个苯基连接而成的取代基。
[0048]在本说明书中，羰基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至40。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光器件，包括：阳极；与所述阳极对置而设置的阴极；设置在所述阳极与阴极之间的发光层；设置在所述阳极与发光层之间的空穴传输区域；以及设置在所述发光层与阴极之间的电子传输区域，所述空穴传输区域包括：包含由下述化学式1表示的化合物的第一电子阻挡层和包含由下述化学式2表示的化合物的第二电子阻挡层：化学式1在所述化学式1中，L1至L3各自独立地为单键；取代或未取代的C
6-60
亚芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
亚杂芳基，Ar1为取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，R1和R2各自独立地为氢；氘；卤素；氰基；硝基；取代或未取代的C
1-60
烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷氧基；取代或未取代的C
3-60
环烷基；取代或未取代的C
2-60
烯基；取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，a和b各自为0至9的整数，化学式2
在所述化学式2中，L4至L6各自独立地为单键；取代或未取代的C
6-60
亚芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
亚杂芳基，Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，R3至R7各自独立地为氢；氘；卤素；氰基；硝基；取代或未取代的C
1-60
烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷基；取代或未取代的C
1-60
卤代烷氧基；取代或未取代的C
3-60
环烷基；取代或未取代的C
2-60
烯基；取代或未取代的C
6-60
芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C
2-60
杂芳基，c为0至5的整数，d、e和f各自为0至4的整数，g为0至3的整数。2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，L1至L3各自独立地为单键、亚苯基或亚萘基。3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，Ar1为选自下述基团中的任一个：
在所述基团中，X1为O、S或CZ2Z3，Z1至Z3各自独立地为甲基或苯基。4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，由所述化学式1表示的化合物由下述化学式1-1至1-3中的任一个表示：化学式1-1
化学式1-2化学式1-3在所述化学式1-1至1-3中，对L1至L3和Ar1的说明与权利要求1中的定义相同。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，由所述化学式1表示的化合物为选自下述化合物中的任一个：
6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，L4至L6各自独立地为单键、亚苯基或亚联苯基。7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔愍偶，全相映，河宰承，全贤秀，金宰垠，千民承，李征夏，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：