存储器装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种存储器装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构，在栅极结构的两侧形成第一间隙壁，在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层，在栅极结构上方形成金属硅化物层，在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层，以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层，接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物，以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁，可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题，进而改善存储器装置的良品率。储器装置的良品率。储器装置的良品率。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其制造方法


[0001]本专利技术实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于存储器装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]快闪存储器(flash memory)为有着高容量、高读取/写入速度、低功耗以及低成本的非挥发性存储器。由于快闪存储器具有非挥发性的特性，因此在关闭快闪存储器之后，资料仍能够储存于快闪存储器中。因此，许多现代电子装置广泛地使用快闪存储器。
[0003]随着半导体装置尺寸的微缩，制造存储器装置的难度也大幅提升，存储器装置的工艺期间可能产生不想要的缺陷，这些缺陷可能会造成存储器装置的效能降低或损坏。因此，必须持续改善存储器装置，以提升良品率。

技术实现思路

[0004]在一实施例中，提供存储器装置的制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构；在栅极结构的两侧形成第一间隙壁；在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层；在栅极结构上方形成金属硅化物层；在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层；以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：在一基底上方形成多个栅极结构；在所述多个栅极结构的两侧形成一第一间隙壁；在两相邻的该第一间隙壁之间填充一介电层；在所述多个栅极结构上方形成一金属硅化物层；在该金属硅化物层、该第一间隙壁和该介电层上方顺应性形成一间隙壁材料层；以及对该间隙壁材料层进行一回刻蚀，以在该金属硅化物层的两侧形成一第二间隙壁。2.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，形成该金属硅化物层的步骤包括：在所述多个栅极结构、该第一间隙壁和该介电层上方形成一金属层；以及对该金属层进行一退火工艺，使该金属层与所述多个栅极结构反应以形成该金属硅化物层。3.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，在形成该金属硅化物层之后以及在该回刻蚀之前，该金属硅化物层具有一残留物在该第一间隙壁和该介电层上。4.如权利要求3所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该回刻蚀包括一第一刻蚀工艺和一第二刻蚀工艺，该第一刻蚀工艺移除该间隙壁材料层的水平部分以形成该第二间隙壁，该第二刻蚀工艺移除该金属硅化物层的该残留物。5.如权利要求4所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第一刻蚀工艺使用包括CF4或CHF3的刻蚀剂，且该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡易宗，林志豪，李健志，吴佳纬，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：