触控显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种触控显示面板，包括衬底、触控层、发光器件层和封装层，所述触控层和所述发光器件层设于所述衬底上，所述封装层设于所述触控层和所述发光器件层上，所述触控层包括若干触控电极，所述发光器件层包括若干发光单元，所述触控电极设于所述发光单元的发光区的侧面。本发明专利技术提供的触控显示面板，通过将触控层的触控电极设置在发光单元的侧面，使其不阻碍发光层的出光效果，解决了现有技术中因触控层阻挡发光层的出光效果导致的显示画面的清晰度低的问题，同时，因为本发明专利技术的触控层并非设置在封装层上，避免了因光刻湿制程引发的封装失效问题，提高了触控显示面板的使用寿命。本发明专利技术还提供该触控显示面板的制作方法。本发明专利技术还提供该触控显示面板的制作方法。本发明专利技术还提供该触控显示面板的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
触控显示面板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种触控显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]为了实现触控显示面板的轻薄化，通常采用内嵌式触控技术将触控层集成在薄膜封装层上。然而，在此结构中，由于触控层位于发光层的上方，会影响发光层的出光效果，降低显示画面的清晰度。另外，由于在薄膜封装层上制备触控层通常采用光刻湿制程，制程繁琐且容易导致薄膜封装层封装失效，降低触控显示面板的使用寿命。

技术实现思路

[0003]因此，有必要提供一种触控显示面板及其制作方法，用以解决现有技术中的触控显示面板显示画面清晰度低且使用寿命短的技术问题。
[0004]第一方面，本专利技术提供一种触控显示面板，包括衬底、触控层、发光器件层和封装层，所述触控层和所述发光器件层设于所述衬底上，所述封装层设于所述触控层和所述发光器件层上，所述触控层包括若干触控电极，所述发光器件层包括若干发光单元，所述触控电极设于所述发光单元的发光区的侧面。
[0005]在一些实施例中，所述触控显示面板还包括第一像素定义层和第二像素定义层，所述第一像素定义层设于所述衬底上，若干所述触控电极设于所述第一像素定义层上，所述第二像素定义层设于若干所述触控电极和所述第一像素定义层上，若干所述发光单元设于所述第一像素定义层和所述第二像素定义层中。
[0006]在一些实施例中，若干所述触控电极划分为若干第一电极和若干第二电极，若干所述第一电极呈矩阵排布形成若干平行的第一电极组，若干所述第二电极呈矩阵排布形成若干平行的第二电极组，所述第一电极组与所述第二电极组垂直交叉且绝缘设置以形成若干触控单元；每一所述第一电极组中的任意两个相邻的所述第一电极通过一段连接线电性连接，所述连接线设于所述第一像素定义层上且与所述触控电极同层设置；每一所述第二电极组中的任意两个相邻的所述第二电极通过一段桥接线电性连接，所述桥接线设于所述第二像素定义层上且通过过孔桥接所述第二电极。
[0007]在一些实施例中，所述发光器件层包括阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层设于所述衬底上，所述第一像素定义层设于所述阳极层和所述衬底上，所述第二像素定义层设于所述第一像素定义层上，所述发光层包括若干所述发光单元，所述发光单元设于所述阳极层上且位于所述第一像素定义层和第二像素定义层中，所述阴极层设于所述第二像素定义层上，且与所述发光层连接。
[0008]在一些实施例中，所述触控显示面板还包括薄膜晶体管层和平坦层，所述薄膜晶体管层设于所述衬底上，所述平坦层设于所述薄膜晶体管层上，所述阳极层设于所述平坦层上且通过过孔与所述薄膜晶体管层中的漏极连接，所述第一像素定义层设于所述阳极层和所述平坦层上。
[0009]在一些实施例中，所述阴极层与所述桥接线同层设置且材料相同。
[0010]在一些实施例中，所述第一像素定义层的厚度的取值范围为0.5-1μm，所述第二像素定义层的厚度的取值范围为0.1-0.5μm。
[0011]第二方面，本专利技术提供一种触控显示面板的制作方法，所述触控显示面板的制作方法包括以下步骤：
[0012]提供衬底；
[0013]制备触控层和发光器件层，所述触控层包括若干触控电极，所述发光器件层包括若干发光单元，所述触控电极设于所述发光单元的发光区的侧面；
[0014]制备封装层，所述封装层覆盖所述触控层和所述发光器件层。
[0015]在一些实施例中，所述步骤“制备触控层和发光器件层”包括：
[0016]制备阳极层；
[0017]制备第一像素定义层，所述第一像素定义层开设有过孔以暴露所述阳极层；
[0018]在所述第一像素定义层上制备所述触控电极；
[0019]在所述第一像素定义层上制备第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有过孔以暴露部分所述触控电极；
[0020]在所述阳极层上制备发光层，所述发光层包括若干所述发光单元；
[0021]在所述第二像素定义层、暴露的部分所述触控电极和所述发光层上制备金属层；
[0022]切断所述金属层形成阴极层和若干桥接线，每一所述桥接线通过所述第二像素定义层的过孔桥接两个相邻的所述触控电极，所述阴极层与所述发光层连接。
[0023]在一些实施例中，在所述步骤“制备阳极层”之前，所述触控显示面板的制作方法还包括：
[0024]在所述衬底上制备薄膜晶体管层；
[0025]在所述薄膜晶体管层上制备平坦层，所述平坦层开设有过孔以暴露所述薄膜晶体管层中的漏极，所述阳极层设于所述平坦层上且通过所述平坦层的过孔与所述漏极连接，所述第一像素定义层设于所述阳极层和所述平坦层上。
[0026]本专利技术提供的触控显示面板，将触控层的触控电极设置在发光单元的侧面，使其不阻碍发光层的出光效果，解决了现有技术中因触控层阻挡发光层的出光效果导致的显示画面的清晰度低的问题，同时，因为本专利技术的触控层并非设置在封装层上，避免了因光刻湿制程引发的封装失效问题，提高了触控显示面板的使用寿命。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术实施例提供的触控显示面板的俯视示意图。
[0029]图2为图1所示的触控显示面板的触控单元A放大后的示意图。
[0030]图3为图2所示的触控显示面板沿A-A线的局部剖视图。
[0031]图4为图2所示的触控显示面板沿B-B线的局部剖视图。
[0032]图5为图2所示的触控显示面板沿C-C线的局部剖视图。
[0033]图6为本专利技术实施例提供的触控显示面板的制作方法的流程图。
[0034]图7为图6所示的制作方法中步骤S2的具体展开流程图。
[0035]图8为执行图7所示的步骤S212之后的触控显示面板的膜层图。
[0036]图9为执行图7所示的步骤S213之后的触控显示面板的膜层图。
[0037]图10为执行图7所示的步骤S214之后的触控显示面板的膜层图。
[0038]图11为执行图7所示的步骤S215之后的触控显示面板的膜层图。
[0039]图12为执行图7所示的步骤S216之后的触控显示面板的膜层图。
[0040]图13为执行图7所示的步骤S217之后的触控显示面板的膜层图。
[0041]图14为本专利技术实施例提供的触控显示面板的制作方法在步骤S211之前的流程图。
[0042]图15为图6所示的制作方法中步骤S3的具体展开流程图。
具体实施方式
[0043]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触控显示面板，包括衬底、触控层、发光器件层和封装层，其特征在于，所述触控层和所述发光器件层设于所述衬底上，所述封装层设于所述触控层和所述发光器件层上，所述触控层包括若干触控电极，所述发光器件层包括若干发光单元，所述触控电极设于所述发光单元的发光区的侧面。2.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括第一像素定义层和第二像素定义层，所述第一像素定义层设于所述衬底上，若干所述触控电极设于所述第一像素定义层上，所述第二像素定义层设于若干所述触控电极和所述第一像素定义层上，若干所述发光单元设于所述第一像素定义层和所述第二像素定义层中。3.如权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，若干所述触控电极划分为若干第一电极和若干第二电极，若干所述第一电极呈矩阵排布形成若干平行的第一电极组，若干所述第二电极呈矩阵排布形成若干平行的第二电极组，所述第一电极组与所述第二电极组垂直交叉且绝缘设置以形成若干触控单元；每一所述第一电极组中的任意两个相邻的所述第一电极通过一段连接线电性连接，所述连接线设于所述第一像素定义层上且与所述触控电极同层设置；每一所述第二电极组中的任意两个相邻的所述第二电极通过一段桥接线电性连接，所述桥接线设于所述第二像素定义层上且通过过孔桥接所述第二电极。4.如权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层设于所述衬底上，所述第一像素定义层设于所述阳极层和所述衬底上，所述第二像素定义层设于所述第一像素定义层上，所述发光层包括若干所述发光单元，所述发光单元设于所述阳极层上且位于所述第一像素定义层和第二像素定义层中，所述阴极层设于所述第二像素定义层上，且与所述发光层连接。5.如权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括薄膜晶体管层和平坦层，所述薄膜晶体管层设于所述衬底上，所述平坦层设于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭斯敏，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：