一种5G芯片制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种5G芯片制造工艺，包括步骤一：原材料准备；步骤二：原材料成型；步骤三：外径研磨；步骤四：切片；步骤五：圆边；步骤六：研磨；步骤七：抛光清洗；其中所述步骤四中的切片机包括支撑架、设于所述支撑架上的切割线、固设于所述支撑架上的第一气缸、设于所述气缸上的第一支撑弧块、设于所述支撑架上的推进部件、设于所述支撑架上的限位部件、设于所述支撑架上的收集槽、设于所述收集槽上的收集部件；本发明专利技术在切割晶棒时，通过缓冲板的抵住，防止切割好后的晶圆直接掉落，防止破碎，保证晶圆切割好后的质量；而且用线切割的方式使得晶棒不论从上往下移动还是从下往上移动都可以被切开，提高了工作效率。提高了工作效率。提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种5G芯片制造工艺


[0001]本专利技术属于芯片制造
，尤其是涉及一种5G芯片制造工艺。

技术介绍

[0002]硅晶圆晶棒的制造成本较高，但是现有的切割设备当中，把硅晶圆晶棒切割成晶圆的时候会因为切割到最后的时候容易让晶圆掉落而保证不了晶圆的质量，对晶棒单方向的切片还会降低效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术为了克服现有技术的不足，提供一种保证质量、提高效率的5G芯片制造工艺。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种5G芯片制造工艺，包括如下步骤：步骤一：原材料准备：将硅晶圆制造的原材料熔化成硅熔浆；步骤二：原材料成型：待步骤一中的硅熔浆的温度稳定后，将晶种插入到硅熔浆中，再将晶种往上提升，形成硅晶圆晶棒；步骤三：外径研磨：将步骤二中制作成的硅晶圆晶棒放入外径研磨机中进行外径研磨；步骤四：切片：将步骤三中进行外径研磨后的硅晶圆晶棒通过切片机切割成晶圆；步骤五：圆边：采用圆边机对步骤四中的晶圆的边缘形状和外观尺寸进行修整；步骤六：研磨：将步骤五中圆边后的晶圆放入研磨设备中进行研磨；步骤七：抛光清洗：使用抛光机对步骤六中研磨后的晶圆进行抛光处理，抛光处理后再对晶圆进行彻底清洗和风干。
[0005]其中所述步骤四中的切片机包括支撑架、设于所述支撑架上的切割线、固设于所述支撑架上的第一气缸、设于所述气缸上的第一支撑弧块、设于所述支撑架上的推进部件、设于所述支撑架上的限位部件、设于所述支撑架上的收集槽、设于所述收集槽上的收集部件；所述推进部件包括设于所述支撑架上的电机、可转动地设于所述电机上的螺旋杆、可左右移动地设于所述螺旋杆上的第二气缸、设于所述第二气缸上的第二支撑弧块、设于所述第二支撑弧块上的第一限位块、设于所述第一支撑弧块上的第二限位块、设于所述第二限位块上的上感应斜块、设于所述第二限位块上的下感应斜块、两端分别设于所述第一支撑弧块和所述第二支撑弧块上的硅晶圆晶棒。
[0006]把硅晶圆晶棒放在第一支撑弧块和第二支撑弧块上，第一气缸和第二气缸同时往上移动，使得让切割线位于硅晶圆晶棒的下方，再往上移动的过程中，下感应斜块会感应到，然后使得螺旋杆开始转动，从而带动第二气缸往右侧移动，再第二气缸移动的过程中，第一限位块就会推动硅晶圆晶棒往前移动，这样的话，硅晶圆晶棒的一端会超过切割线，此时切割线启动，气缸往下移动，硅晶圆晶棒往下被切割线切割，限位部件会让硅晶圆晶棒更加稳定，防止在被切割的时候产生较大的震动，切割开来的硅晶圆晶棒，会进入到收集槽中；收集槽为倾斜设置，这样的话，当晶圆落入收集槽中的时候,会让晶圆往一侧倾斜，然后通过收集部件，可以让所有的晶圆整齐的排列，使得操作人员对晶圆拿取方便，螺旋杆转动是通过感应斜块的，这样的话，当硅晶圆晶棒在切割线上面时，正好下感应斜块被感应到，
会让螺旋杆转动，然后使得第二气缸往右侧位移一端，在第一限位块的推动下，通过俯视可以看到硅晶圆晶棒会超过切割线一点，气缸向下，切割线会从下往上的方式对硅晶圆晶棒进行切割，切割完之后硅晶圆晶棒会在切割线的下方，而当硅晶圆晶棒运动到下方的时候位于第二限位块上的上感应斜块会被感应到，此时，螺旋杆同样的也会发生旋转，硅晶圆晶棒再往右侧移动移动一下，然后气缸往上运动，此时切割线会从上往下的方式对硅晶圆晶棒进行切割，通过类似于波浪线的方式对硅晶圆晶棒切割，可以提高切割效率，和单方面的从上往下切割或者从下往上切割，本专利技术的切割效率时间缩短一倍，从而极大提高工作效率。而通过限位部件可让晶圆在切割好之后不会被切坏，又能够提高晶圆生产的质量。
[0007]所述限位部件包括设于所述所述支撑架上的支撑杆、设于所述支撑杆上的密封槽、可上下移动地设于所述密封槽上的滑块、设于所述密封槽上的上推块、可转动地设于所述上推块上的上缓冲板、设于所述密封槽上的下推块、可转动地设于所述下推块上的下缓冲板、设于所述支撑杆上的紧固组件。
[0008]在切割的时候，如果对还在切割出来晶圆没有支撑的话，那么在切割到最后，由于晶圆的和硅晶圆晶棒之间相连的越来越少，在切断的那一瞬间，会由于晶圆的颤动而降低了晶圆切割好之后的质量，所以当硅晶圆晶棒从上往下运动，切割线从下往上切割的过程中，晶圆逐渐被切开来，随着往下移动，部分被切割开来的晶圆会逐渐被下缓冲板接触，使得晶圆会被顶着支撑住，此时由于切割的位置在晶圆的中上防，而被顶住的位置在晶圆的中下方，两者有一定的距离，此时就算被轻微的顶住也不会对切割造成影响，当切割好了之后，说明切割线在硅晶圆晶棒的上方位置了，而此时硅晶圆晶棒与晶圆分离了，晶圆在重力下会往下滑落，然后通过螺旋杆，硅晶圆晶棒再往右边移动一定距离，在移动的时候，由于推的力较大，从而推动下推块进入到密封槽中，而且由于密封槽是处于密封状态的，里面的气体又会推动滑块往上移动，而在气压下上推块又会从密封槽中伸出来，其中，密封槽中设有气体可以让推块在移动的时候有个缓冲，而缓冲板本事也有个缓冲，双重缓冲从而使得晶圆被切割的时候被切割颤动的影响达到最小，最终提高晶圆的质量；当硅晶圆晶棒往上移动，切割线从下往上切割的过程中，上缓冲板就会对被切割的晶圆有个支撑，最终不论是切割线对硅晶圆晶棒从上往下切割还是从下往上切割，在快被切断的时候晶圆都是会被支撑的，让每片晶圆都保证有较高的质量。
[0009]所述紧固组件包括设于所述密封槽上的第一通槽、设于所述滑块上的挤压块、对称设于所述支撑杆上的第二通槽、两端分别与所述第一通槽和所述第二通槽相连接的通孔、对称设于所述第二通槽上的驱动块、分别设于所述驱动块上的齿条、对称设于所述支撑架上的空槽、可转动地设于所述空槽上且一端穿设于所述第二通槽上的驱动杆、部分设于所述驱动杆上的齿槽、两端分别于所述驱动杆相连用于约束所述硅晶圆晶棒的限位布；所述挤压快可把所述第一通槽中的气体挤压到第二通槽中去。
[0010]当下推块进入到密封槽中时会让滑块往上运动，而上推块进入密封槽中的时候会让滑块往下运动，从而使得与滑块相连的挤压块也有一个上下移动的同步；限位布有个张紧的力，当硅晶圆晶棒往上移动的过程中，由于线切割是上往下切割的，由于刚开始是圆，切割的时候不会有太大的影响，而从上往下切割的过程中，切割线与硅晶圆晶棒的接触面积会就越来越大，其震动的频率也大，需要对硅晶圆晶棒的限位的力也需要一点点变大，而此时硅晶圆晶棒在往上移动的过程中，限位布对硅晶圆晶棒会有一个向下的约束力，同时
由于限位布是柔性的，所以刚开始的时候约束力会比较小，相应的，刚开始的切割力接触面也不大，而随着硅晶圆晶棒往上，虽然切割力的接触面越来越大，但是限位布对硅晶圆晶棒的限位的力也越来越大，从而达到中和的力，最终使得硅晶圆晶棒在切割的时候其颤动的频率会变小，从而提高切割效果；而当硅晶圆晶棒往下运动的时候，随着硅晶圆晶棒往下运动的过程中，下推块会进入到密封槽中，让滑块往运动，使得挤压块也往上运动，第一通槽是被水填满的，挤压块往上运动让水通过通孔流到第二通槽上，通过水压来推动驱动块两侧外部移动，然后让齿条与齿槽啮合，从而让驱动杆转动；简而言之就是当硅晶圆晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G芯片制造工艺，其特征在于：所述制造工艺包括如下步骤：步骤一：原材料准备：将硅晶圆制造的原材料熔化成硅熔浆；步骤二：原材料成型：待步骤一中的硅熔浆的温度稳定后，将晶种插入到硅熔浆中，再将晶种往上提升，形成硅晶圆晶棒；步骤三：外径研磨：将步骤二中制作成的硅晶圆晶棒放入外径研磨机中进行外径研磨；步骤四：切片：将步骤三中进行外径研磨后的硅晶圆晶棒通过切片机切割成晶圆；步骤五：圆边：采用圆边机对步骤四中的晶圆的边缘形状和外观尺寸进行修整；步骤六：研磨：将步骤五中圆边后的晶圆放入研磨设备中进行研磨；步骤七：抛光清洗：使用抛光机对步骤六中研磨后的晶圆进行抛光处理，抛光处理后再对晶圆进行彻底清洗和风干。其中所述步骤四中的切片机包括支撑架(1)、设于所述支撑架(1)上的切割线(11)、固设于所述支撑架(1)上的第一气缸(12)、设于所述气缸上的第一支撑弧块(13)、设于所述支撑架(1)上的推进部件(2)、设于所述支撑架(1)上的限位部件(3)、设于所述支撑架(1)上的收集槽(14)、设于所述收集槽(14)上的收集部件(5)；所述推进部件(2)包括设于所述支撑架(1)上的电机(21)、可转动地设于所述电机(21)上的螺旋杆(22)、可左右移动地设于所述螺旋杆(22)上的第二气缸(23)、设于所述第二气缸(23)上的第二支撑弧块(24)、设于所述第二支撑弧块(24)上的第一限位块(25)、设于所述第一支撑弧块(13)上的第二限位块(26)、设于所述第二限位块(26)上的上感应斜块(27)、设于所述第二限位块(26)上的下感应斜块(28)、两端分别设于所述第一支撑弧块(13)和所述第二支撑弧块(24)上的硅晶圆晶棒(29)。2.根据权利要求1所述的5G芯片制造工艺，其特征在于：所述限位部件(3)包括设于所述所述支撑架(1)上的支撑杆(31)、设于所述支撑杆(31)上的密封槽(32)、可上下移动地设于所述密封槽(32)上的滑块(33)、设于所述密封槽(32)上的上推块(34)、可转动地设于所述上推块(34)上的上缓冲板(35)、设于所述密封槽(32)上的下推块(36)、可转动地设于所述下推块(36)上的下缓冲板(37)、设于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鑫宁，
申请(专利权)人：东阳市智扬信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：