一种微型发光二极管的制作方法技术

本发明专利技术提出一种微型发光二极管的制作方法，涉及微型发光二极管领域，本发明专利技术通过先制作出封闭式的保护环的结构来保护键合金属柱，保护环能够不被ICP或药液刻蚀，从而保护位于保护环内的键合金属柱，使得微型发光二极管底部的键合金属柱的大小和尺寸一致，从而保证了键合的均一性，提升了显示的良率。提升了显示的良率。提升了显示的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光二极管的制作方法


[0001]本专利技术属于微型发光二极管领域，具体涉及一种微型发光二极管的制作方法。

技术介绍

[0002]随着显示行业的蓬勃发展，微型发光二极管(Micro LED)作为新一代显示技术已经登上时代舞台，比现有的OLED以及LCD技术相比具有亮度更高、功耗更低、发光效率更好以及寿命更长等优点，但是目前Micro LED依然存在很多待解决的难题，不论是制程技术、检查标准，或者是生产制造成本，都与量产和商业应用有着很大的距离。
[0003]其中，在ICP(Inductively Couple Plasma Etch，感应耦合等离子体刻蚀)进行Micro LED底部金属刻蚀时，会产生刻蚀均一性的差异，导致Micro LED底部键合金属刻蚀较粗糙且存在高低差异，并相应的在后续键合工艺中造成键合差异以及会导致LED电性的不同，最终使得Micro LED显示背板无法正常显示。
[0004]图1为现有的ICP刻蚀后的微型发光二极管(Micro LED)结构示意图，首先，ICP刻穿外延层形成Micro LED 01本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一包括生长基板和外延层的外延片；S2：形成位于外延层上方且阵列排布的多个保护环、位于保护环内的键合金属柱以及位于保护环外的键合金属层；S3：键合金属层和暂态基板的粘合层贴合，之后剥离生长基板露出外延层；S4：刻蚀外延层形成位于保护环上方的微型发光二极管，之后刻蚀掉位于保护环外的键合金属层；S5：对粘合层进行解粘，微型发光二极管及其底部的保护环和键合金属柱待转移。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于，步骤S2具体包括以下步骤：S21：在外延层上方沉积一层保护层，利用成膜、黄光刻蚀工艺形成阵列排布的保护环；S22：在步骤S21的基础上沉积一层金属层，剥离位于保护环上方的金属层，形成位于保护环内的键合金属柱以及位于保护环外的键合金属层。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于，步骤S4具体包括以下步骤：S41：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄安，周宇，张惟诚，朱景辉，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：