具有集成多抽头阻抗结构的封装体制造技术

公开了一种封装体(100)，其包括：具有多个引线(116)的载体(102)；安装在所述载体(102)上并包括至少一个焊盘(106)的电子器件(104)；以及将所述至少一个焊盘(106)与所述载体(102)电耦合而使得能够在所述引线(116)中的不同引线处分接出所述阻抗结构(108)的不同阻抗值的阻抗结构(108)。抗值的阻抗结构(108)。抗值的阻抗结构(108)。

【技术实现步骤摘要】
具有集成多抽头阻抗结构的封装体


[0001]本专利技术涉及一种封装体和一种制造封装体的方法。

技术介绍

[0002]封装体可以表示为具有电连接件的包封的电子芯片，所述电连接件延伸出包封剂并安装到外围电子设备、例如印刷电路板上。
[0003]封装成本是该行业的重要驱动因素。与此相关的是性能、尺寸和可靠性。不同的封装解决方案是多种多样的，必须满足应用程序的需求。

技术实现思路

[0004]可能需要制造具有适当电性能的封装体。
[0005]根据一个示例性实施例，提供了一种封装体，其包括：具有多个引线的载体；安装在所述载体上并包括至少一个焊盘的电子器件；以及阻抗结构，其将所述至少一个焊盘与所述载体电耦合，使得可以在所述引线中的不同引线处分接出所述阻抗结构的不同阻抗值。
[0006]根据另一个示例性实施例，提供了一种封装体，其包括：包括安装区段和多个引线的载体；安装在所述安装区段上并包括至少一个焊盘的电子器件；以及多个接合导线，其连接在所述至少一个焊盘与引线之间，从而形成具有可选择的阻抗值的阻抗结构。
[0007]根据又一示例性实施例，提供了一种制造封装体的方法，其中，所述方法包括将包括至少一个焊盘的电子器件安装在具有多个引线的载体上；通过阻抗结构将所述至少一个焊盘与所述载体电耦合，使得可以在所述引线中的不同引线处分接出所述阻抗结构的不同阻抗值；以及通过包封剂至少部分地包封所述电子器件、所述载体和所述阻抗结构。
[0008]根据一个示例性实施例，一种封装体和一种用于制造这种封装体的制造方法可以以可简单实施可选择的阻抗的方式提供，例如用于提供衰减电感器。这样的阻抗结构可以非常靠近电子器件的指定焊盘(例如晶体管芯片的栅极焊盘)定位，例如通过简单地使用接合导线来形成阻抗结构。由于阻抗的可调值可以由阻抗结构提供，因此阻抗结构、特别是由互连接合导线形成的阻抗结构可以改善封装体(例如包括一个或多个分立功率MOSFET)内的电性能。描述性地说，电路设计者可以通过简单地选择应使用多个引线中的哪个来将电子电路连接到封装体来选择阻抗的相应的可调整值。此时，将通过阻抗结构的连接在电子器件的焊盘与所选择的引线之间的部分来提供相应的阻抗值。有利地，提供不同的引线(其可以相对于包封剂暴露以便于可供电路设计者触及)可以使得可以将不同的引线与阻抗结构的不同区段连接。因此，电路设计者可以分接出集成阻抗结构的特定区段，从而在电子器件与所选择的外部引线之间选择阻抗的多个不同值中的一个。非常简单地，这可以实现由具有多抽头电感器的封装体所提供的电子电路的高效设计。例如，通过提供具有适当值的阻抗，可以高效地抑制诸如寄生振铃伪影等的不期望的电子现象。附加性地或替代性地，提供集成在封装体中的阻抗结构还可以改善封装体的EMI(电磁干扰)特性。
[0009]其它示例性实施例的描述
[0010]在下面，将解释封装体和方法的其它示例性实施例。
[0011]可以从提供集成在封装体中的多抽头阻抗结构中看出示例性实施例的要点。更具体地，随着封装体(特别是分立高压开关封装体)的持续小型化，可能发生的是载体的多个引线是可用的，但是不需要引线提供这种封装体的电子功能。有利地，可以通过在封装体的内部中的引线之间创建阻抗结构(例如，通过连接接合导线或其它导电结构)来对这种可用的但未使用的引线进行功能化，以便形成可变阻抗。通过简单地选择多个引线中的一个，例如不与阻抗结构提供任何、部分或全部连接，就可以改变阻抗。因此，抽头电感器可以基本上无需额外的努力就可被集成在包含引线的封装体中。
[0012]在本申请的上下文中，术语“封装体”可以特别地表示可以包括安装在载体上的一个或多个电子器件的电子装置。可选地，封装体的组成部分的至少一部分可以通过包封剂至少部分地包封。进一步可选地，可以在封装体中实施一个或多个导电互连体(例如接合导线和/或夹)，例如用于将电子器件与载体电耦合。
[0013]在本申请的上下文中，术语“电子器件”可以特别地包括半导体芯片(特别是功率半导体芯片)、有源电子装置(例如晶体管)、无源电子装置(例如电容或电感或欧姆电阻)、传感器(例如麦克风、光传感器或气体传感器)、执行器(例如扬声器)和微机电系统(MEMS)。特别地，电子器件可以是在其表面部分中具有至少一个集成电路元件(例如二极管或晶体管)的半导体芯片。电子器件可以是裸露的裸片，或者可以已经被封装或包封。根据示例性实施例实施的半导体芯片可以以硅技术、氮化镓技术、碳化硅技术等等形成。
[0014]在本申请的上下文中，术语“包封剂”可以特别地表示围绕电子器件和可选地载体的一部分的基本上电绝缘的并且优选地导热的材料，以提供机械保护、电绝缘以及可选地有助于操作期间的热量去除。
[0015]在本申请的上下文中，术语“载体”可以特别地表示支撑结构(优选地但不一定必须是导电的)，其用于对一个或多个电子器件进行机械支撑，并且还可以有助于电子器件与封装体的外围设备之间的电互连。换句话说，载体可以实现机械支撑功能和电连接功能。
[0016]在本申请的上下文中，术语“安装区段”可以特别表示载体的待在其上安装电子器件的支撑结构。当载体是引线框架时，安装区段可以是裸片焊盘。
[0017]在本申请的上下文中，术语“引线”可以特别地表示载体的用于从封装体的外部接触电子器件的导电(例如条状)元件(其可以是平面的或弯曲的)。例如，引线可以相对于包封剂完全暴露，或者可以部分地包封和部分地暴露。当载体是引线框架时，引线可以包围裸片焊盘。
[0018]在本申请的上下文中，术语“阻抗结构”可以特别地表示被配置成能够在电子器件与载体之间提供阻抗的物理的且至少部分地导电的结构。阻抗可以表示电阻的复值概况。由阻抗结构提供的阻抗的一个或多个组成部分可以是欧姆电阻、电容和/或电感。例如，这样的阻抗可以是电感(其例如可以通过形成导电导线的圈来形成)。附加性地或替代性地，这种阻抗可以是电容和/或欧姆电阻。
[0019]在本申请的上下文中，术语“接合导线”可以特别表示可以用于使载体与安装在载体上的电子器件接触的微小的导电导线。在示例性实施例的上下文中，附加性地或替代性地，这样的接合导线可以用于建立阻抗结构、特别是在电感器结构中。
[0020]在一个优选的实施例中，阻抗结构是电感器结构，其被配置成使得可以在所述引线中的不同引线处分接出不同的电感值。在封装体的不同引线上分接出不同电感值中的一个已被证明是抑制封装体的振铃的一种高效机制。在本申请的上下文中，术语“振铃”可以特别地表示不期望的或寄生的现象，根据该现象，施加到电子器件的信号例如在接通效应和/或关断效应方面进行振荡。当提供具有包封的电子器件的封装体时，集成多抽头电感器对于抑制振铃可以是有利的。由于这种配置的结果，可以抑制或甚至消除在将信号施加到具有非常低阻抗的电子器件上时可能发生的振铃现象。因此，阻抗结构可以提供足够大的阻抗以便抑制不期望的振铃。
[0021]然而，在多个引线中选择栅极引脚不仅可以改变电感，而且还可以改变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装体(100)，包括：
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具有多个引线(116)的载体(102)；
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安装在所述载体(102)上并包括至少一个焊盘(106)的电子器件(104)；以及
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阻抗结构(108)，其将所述至少一个焊盘(106)与所述载体(102)电耦合，使得能够在引线(116)中的不同引线处分接出所述阻抗结构(108)的不同阻抗值；其中，所述阻抗结构(108)由多个互连导电元件(112)形成，其中，所述互连导电元件(112)中的至少一部分在所述载体(102)的引线(116)中的不同引线之间延伸，其中，所述互连导电元件(112)的所述至少一部分在布置于所述引线(116)中的所述不同引线之间的电子器件(104)之上跨过延伸。2.根据权利要求1所述的封装体(100)，其中，所述阻抗结构(108)是电感器结构，使得能够在所述引线(116)中的不同引线处分接出不同的电感值。3.根据权利要求1或2所述的封装体(100)，其中，所述互连导电元件(112)被布置成形成以下组中的至少一个：至少一个圈、特别是多个圈，至少一个螺旋结构，至少一个曲折结构和至少一个Z形结构。4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100)，其中，所述互连导电元件(112)的至少一部分沿着Z形轨迹在所述载体(102)的所述引线(116)中的不同引线之间延伸。5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装体(100)，其中，所述互连导电元件(112)中的另一个在所述至少一个焊盘(106)与所述载体(102)的所述引线(116)中的一个之间延伸。6.根据权利要求1至5中任一项所述的封装体(100)，其中，所述互连导电元件(112)是接合导线，特别是具有圆形、矩形或扁平横截面中的一种的接合导线。7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括：包封剂(110)，其至少部分地包封以下组中的至少一个：电子器件(104)、载体(102)和阻抗结构(108)，其中，特别是所述载体(102)的之上安装有电子器件(104)的安装区段(114)的主表面的至少一部分相对于所述包封剂(110)暴露，以促进去除电子器件(104)的操作期间产生的热量。8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括以下特征中的至少一个：电子器件(104)是晶体管芯片、特别是MOSFET芯片；电子器件(104)被配置成能够在操作期间经受垂直电流；电子器件(104)是功率半导体芯片。9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装体(100)，其中，所述阻抗结构(108)将所述电子器件(104)的栅极焊盘(106a)与所述载体(102)的可选择的栅极引线(116a至116e)电耦合。10.根据权利要求1至9中任一项所述的封装体(100)，其中，所述阻抗结构(108)被配置成能够提供在5nH与500nH之间的范围内、特别是在10nH与50nH之间的范...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：