腔室衬垫制造技术

本文描述的实施方式一般是涉及利用高射频(RF)功率来处理基板的设备和方法。高射频功率能够以更理想的性质将膜沉积在基板上。多个第一绝缘构件设置在多个拖架上，并且从腔室主体侧向朝内延伸。多个第二绝缘构件设置在腔室主体上，并且从多个第一绝缘构件延伸到腔室主体的支撑表面。绝缘构件减少了等离子体与腔室主体之间的电弧的发生。主体之间的电弧的发生。主体之间的电弧的发生。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】腔室衬垫


[0001]本文公开的实施方式一般涉及半导体制造设备的领域，且特别是涉及一种用于在制造工艺中减少等离子体的电弧的设备。

技术介绍

[0002]用于等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)处理的传统处理腔室缺少利用高射频(RF)功率的合适设备。例如，传统处理腔室将最大射频功率限制为约4kW。使用大于约5kW的射频功率会导致等离子体中发生闪烁(flickering)或电弧(arcing)。然而，较高的射频功率(例如，大于约5kW)能够沉积具有期望特性的膜。
[0003]因此，在本领域中需要用于处理腔室的减少电弧的改进设备。

技术实现思路

[0004]在一个实施方式中，提供一种设备。设备包括限定处理空间的腔室主体。支撑表面形成在腔室主体中。盖子耦接至腔室主体，且喷头设置在处理空间内。多个拖架耦接至腔室主体，并从腔室主体侧向朝内延伸。支撑基座相对于喷头设置于处理空间内。多个第一绝缘构件设置于多个拖架上。多个第一绝缘构件中的每个绝缘构件从腔室主体侧向朝内延伸。多个第二绝缘构件设置于腔室主体上。多个第二绝缘构件中的每个绝缘构件从多个第一绝缘构件延伸至所述腔室主体的所述支撑表面。
[0005]在另一实施方式中，提供一种设备。设备包括在其中限定处理空间的腔室主体。腔室主体具有底部及相对于底部的支撑表面。第一侧壁由底部延伸至支撑表面。第二侧壁由底部延伸至支撑表面，且第二侧壁相对于第一侧壁。第三侧壁由底部延伸至支撑表面，且第三侧壁位于第一侧壁与第二侧壁之间。第四侧壁由底部延伸至支撑表面，位于第一侧壁与第二侧壁之间。第四侧壁相对于第三侧壁。支撑基座设置于处理空间内。喷头设置在处理空间内且相对于支撑基座。第一拖架耦接至第一侧壁且位于底部与支撑表面之间。第二拖架耦接至第二侧壁，且第二拖架是与第一拖架实质上共平面。第三拖架耦接至第三侧壁，且第三拖架是与第一拖架及第二拖架实质上共平面。第四拖架耦接至第四侧壁，且第四拖架是与第一拖架、第二拖架及第三拖架实质上共平面。多个第一绝缘构件的绝缘构件设置于各个第一拖架、第二拖架、第三拖架及第四拖架上。多个第二绝缘构件从第一拖架、第二拖架、第三拖架及第四拖架的一个延伸至腔室主体的支撑表面。
[0006]在又一实施方式中，提供一种设备。设备包括限定其中处理空间的腔室主体。腔室主体具有支撑表面、第一侧壁、相对于第一侧壁的第二侧壁、位于第一侧壁与第二侧壁之间的第三侧壁、以及位于第一侧壁与第二侧壁之间的第四侧壁。第四侧壁相对于第三侧壁。每个侧壁是与相邻的侧壁形成实质上垂直的角。多个拖架耦接至腔室主体且由腔室主体侧向朝内延伸。多个第一绝缘构件设置于多个拖架上。多个第二绝缘构件耦接至腔室主体。多个第二绝缘构件中的每个绝缘构件从多个第一绝缘构件延伸至支撑表面。多个第三绝缘构件
于腔室主体的每个角耦接至腔室主体。
附图说明
[0007]因此，为了可以详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式来对本公开内容进行更详细的理解，上文对本公开内容进行了简要概述，其中一些实施方式绘示于附图中。然而，应注意的是，附图仅示出示例性实施方式，因此不应被认为是对其范围的限制，可以允许其他同等有效的实施方式。
[0008]图1绘示根据本公开内容的一个实施方式的处理腔室的示意性侧视截面图。
[0009]图2绘示根据本公开内容的一个实施方式的处理腔室的截面平面图。
[0010]图3绘示根据本公开内容的一个实施方式的处理腔室的透视图。
[0011]为了便于理解，在可能的地方使用了相同的附图标记来表示附图共有的相同元件。可以理解的是，一个实施方式的元件和特征可以被有益地并入其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
[0012]本文描述的实施方式大致上涉及利用高射频(RF)功率处理基板的设备和方法。高射频功率使得能够以更理想的性质将膜沉积在基板上。多个第一绝缘构件设置在多个托架上，并且从腔室主体侧向向内延伸。多个第二绝缘构件设置在腔室主体上，并且从多个第一绝缘构件延伸到腔室主体的支撑表面。绝缘构件减少了等离子体与腔室主体之间的电弧的发生。
[0013]本文所述的工艺和设备可用于沉积栅极绝缘体氧化硅(GISiO)膜。可以使用硅烷(SiH4)和一氧化二氮(N2O)或使用四乙氧基硅烷(tetraethyl orthosilicate,TEOS)(Si(OC2H5)4)和氧气(O2)沉积栅极绝缘体氧化硅膜。可以理解的是，利用其他材料的其他工艺也可以从本文描述的实施方式中受益。
[0014]图1绘示根据本公开内容的一个实施方式的处理腔室100的示意性侧视截面图。处理腔室100包括腔室主体102和耦接至腔室主体102的盖子112。腔室主体102具有底部138以及实质上垂直于底部138且在底部138与盖子112之间延伸的第一侧壁170。第二侧壁172与第一侧壁170相对设置。第二侧壁172实质上平行于第一侧壁170，并且在底部138和盖子112之间延伸。底部138实质上垂直于第一侧壁170和第二侧壁并且在第一侧壁170和第二侧壁172之间延伸。第三和第四侧壁(参照图2详细描述)彼此平行并在第一侧壁170和第二侧壁172之间延伸。狭缝阀开口144形成为穿过腔室主体102的第二侧壁172。
[0015]腔室主体102和盖子112在其中限定处理空间148。气体源104经由导管108与处理空间148流体连通。导管108由导电材料(例如是铝或其合金)制成。远程等离子体源106耦接至气体源104和处理空间148之间的导管108。射频(RF)功率源110耦接至远程等离子体源106以提供射频功率，激活来自气体源104的处理气体。射频功率源110电性耦接至盖子112，提供从腔室主体102到射频功率源110的射频电流返回路径(RF current return path)。射频功率源110产生约3kW与约20kW之间的射频功率(例如在约12kW与约19kW之间，例如约18kW)。在处理基板的工艺之间，可以将清洁气体提供给远程等离子体源106，以便生成并提供远程等离子体以清洁处理腔室100的部件。
[0016]支撑表面152形成在腔室主体102中。支撑表面152形成在腔室主体的每个侧壁中，包括第一侧壁170和第二侧壁172(以及第三和第四侧壁)。支撑表面152与底部138相对并且实质上垂直于第一侧壁170和第二侧壁172。基板支撑件136设置在处理空间148内。基板支撑件136在处理期间支撑基板124。在一个实施方式中，基板支撑件136由陶瓷材料制成。在另一实施方式中，基板支撑件136由涂布有含硅材料(例如碳化硅(silicon carbide)材料)的石墨材料制成。
[0017]基板支撑件136可经由致动器140在处理空间148内移动。例如，在处理期间，基板支撑件136处于升高的位置，使得基板124位于狭缝阀开口144上方。在完成所述处理时，致动器140将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，包括：腔室主体，限定处理空间，所述腔室主体具有形成在其中的支撑表面；盖子，耦接至所述腔室主体；喷头，设置在所述处理空间内；多个拖架，耦接至所述腔室主体，并从所述腔室主体侧向朝内延伸；支撑基座，相对于所述喷头设置于所述处理空间内；多个第一绝缘构件，设置于所述多个拖架上，并从所述腔室主体侧向朝内延伸；和多个第二绝缘构件，设置于所述腔室主体上，所述多个第二绝缘构件中的每个绝缘构件从所述多个第一绝缘构件延伸至所述腔室主体的所述支撑表面。2.如权利要求1所述的设备，其中所述多个拖架中的每个拖架包括铝材料，并且其中所述多个第一绝缘构件中的每个绝缘构件以及所述多个第二绝缘构件中的每个绝缘构件包括陶瓷材料。3.如权利要求1所述的设备，其中所述多个拖架中的每个拖架包括铝材料，并且其中所述多个第一绝缘构件中的每个绝缘构件以及所述多个第二绝缘构件中的每个绝缘构件包括聚合物材料。4.如权利要求1所述的设备，其中所述多个第二绝缘构件是经由一个或多个陶瓷紧固件耦接至所述腔室主体。5.如权利要求1所述的设备，进一步包括：狭缝阀开口，穿过所述腔室主体形成，其中所述多个拖架设置于所述腔室主体上，位于所述狭缝阀开口与所述支撑表面之间。6.如权利要求1所述的设备，其中所述多个拖架是放置于所述腔室主体上，以在所述处理空间中调整射频返回路径。7.一种设备，包括：腔室主体，限定处理空间，所述腔室主体具有底部及相对于所述底部的支撑表面；第一侧壁，由所述底部延伸至所述支撑表面；第二侧壁，由所述底部延伸至所述支撑表面，且所述第二侧壁相对于所述第一侧壁；第三侧壁，由所述底部延伸至所述支撑表面，且所述第三侧壁位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间；第四侧壁，由所述底部延伸至所述支撑表面，所述第四侧壁位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间，且相对于所述第三侧壁；支撑基座，设置于所述处理空间内；喷头，设置在所述处理空间内且相对于所述支撑基座；第一拖架，耦接至所述第一侧壁且位于所述底部与所述支撑表面之间；第二拖架，耦接至所述第二侧壁，且所述第二拖架是与所述第一拖架实质上共平面；第三拖架，耦接至所述第三侧壁，且所述第三拖架是与所述第一拖架及所述第二拖架实质上共平面；第四拖架，耦接至所述第四侧壁，且所述第四拖架是与所述第一拖架、所述第二拖架及所述第三拖架实质上共平面；多个第一绝缘构件，所述多个第一绝缘构件的一个设置于各个所述第一拖架、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建恒，赵来，R，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：