有机电致发光器件制造技术

公开了一种有机电致发光器件。实施例的所述有机电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的多个有机层。从多个有机层中选择的至少一个有机层包括由式1表示的稠合多环化合物，因此有机电致发光器件可以表现出提高的发光效率。[式1]其中，X1至X3、Y1至Y4、R1至R6、R

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件
[0001]本申请要求于2019年8月12日提交的第10-2019-0098127号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种有机电致发光器件和一种用于该有机电致发光器件的稠合多环化合物，例如，涉及一种用作发光材料的稠合多环化合物和一种包括该稠合多环化合物的有机电致发光器件。

技术介绍

[0003]正在积极地开发作为图像显示器的有机电致发光显示器。不同于液晶显示器，有机电致发光显示器是其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合并且发射层中的包括有机化合物的发光材料发射光从而实现显示的所谓的自发光显示器。
[0004]在将有机电致发光器件应用于显示器时，期望有机电致发光器件的低驱动电压、高发光效率和长使用寿命，并且还期望能够稳定地实现这些要求的用于有机电致发光器件的材料的持续开发。
[0005]近来，正在开发利用(来自三重态能级的)磷光发光或(根据通过使三重态激子碰撞而产生单重态激子的现象(三重态-三重态湮灭，TTA)的)延迟荧光发射的技术以实现高效率的有机电致发光显示器；并且还正在开发能够利用延迟荧光发光现象的热激活延迟荧光(TADF)材料。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种具有提高的发光效率的有机电致发光器件。
[0007]本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种可以提高有机电致发光器件的发光效率的稠合多环化合物。
[0008]本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的多个有机层。从多个有机层中选择的至少一个有机层包括由式1表示的稠合多环化合物：
[0009][式1][0010][0011]在式1中，X1至X3可以均独立地为NR9、O或S，Y1至Y4可以均独立地为直连键、O或S，R1至R6可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、硼基、氧化膦基、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基、取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的非芳香族杂环基，或者可以与相邻基团结合以形成环，R
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和R
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可以均独立地为取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基，或者可以与相邻基团结合以形成环，R9可以为取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基，n1至n4可以均独立地为0至2的整数，n5和n6可以均独立地为0至3的整数，并且m1至m4可以均独立地为0或1。
[0012]在实施例中，有机层可以包括设置在第一电极上的空穴传输区域、设置在空穴传输区域上的发射层和设置在发射层上的电子传输区域。发射层可以包括由式1表示的稠合多环化合物。
[0013]发射层可以发射延迟荧光。
[0014]发射层可以是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发射层。掺杂剂可以包括由式1表示的稠合多环化合物。
[0015]发射层可以包括具有第一最低三重态激发能级的主体、具有比第一最低三重态激发能级低的第二最低三重态激发能级的第一掺杂剂和具有比第二最低三重态激发能级低的第三最低三重态激发能级的第二掺杂剂，其中，第一掺杂剂可以包括由式1表示的稠合多环化合物。
[0016]第一掺杂剂可以是延迟荧光掺杂剂。第二掺杂剂可以是荧光掺杂剂。
[0017]在式1中，从Y1至Y4中选择的至少一个为直连键，当Y1为直连键时，m1可以为1，当Y2可以为直连键时，m2可以为1，当Y3为直连键时，m3可以为1，并且当Y4为直连键时，m4为1。
[0018]在实施例中，由式1表示的稠合多环化合物可以由式1-1表示：
[0019][式1-1][0020][0021]在式1-1中，R7和R8可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、硼基、氧化膦基、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基，或者可以与相邻基团结合以形成环，n7和n8可以均独立地为0至3的整数。在式1-1中，X1至X3、Y1至Y4、R1至R6、n1至n6和m1至m4可以与式1中所描述的相同。
[0022]由式1-1表示的稠合多环化合物可以由式2-1或式2-2表示：
[0023][式2-1][0024][0025][式2-2][0026][0027]在式2-1和式2-2中，X1至X3、Y1至Y4、R1至R8、n1至n8和m1至m4可以与式1-1中所描述的相同。
[0028]由式1-1表示的稠合多环化合物可以由式3-1或式3-2表示：
[0029][式3-1][0030][0031][式3-2][0032][0033]在式3-1和式3-2中，X1至X3、R1至R8和n1至n8可以与式1-1中所描述的相同。
[0034]由式1-1表示的稠合多环化合物可以由式4表示：
[0035][式4][0036][0037]在式4中，X1至X3、Y1至Y4、R1、R4、R5、R6、R7、R8和m1至m4可以与式1-1中所描述的相同。
[0038]在式1中，X2和X3可以相同，Y1和Y3可以相同，Y2和Y4可以相同，m1和m3可以相同，并且m2和m4可以相同。
[0039]在式1中，当X1至X3为NR9时，R9可以为取代或未取代的苯基。
[0040]在实施例中，第一电极和第二电极均独立地包括从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的至少一种，或者从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的两种或更多种的化合物、从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的两种或更多种的混合物或从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的一种或更多种的氧化物。
[0041]根据专利技术构思的实施例的稠合多环化合物可以由式1表示。
[0042]在由式1表示的稠合多环化合物中，最低单重态激发能级(S1)与最低三重态激发能级(T1)之间的差的绝对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：第一电极；空穴传输区域，位于所述第一电极上；发射层，位于所述空穴传输区域上；电子传输区域，位于所述发射层上；以及第二电极，位于所述电子传输区域上，其中，所述第一电极和所述第二电极均独立地包括从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的至少一种，或者从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的两种或更多种的化合物、从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的两种或更多种的混合物或从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn和Zn中选择的一种或更多种的氧化物，并且所述发射层包括由下面的式1表示的稠合多环化合物：[式1]其中，在式1中，X1至X3均独立地为NR9、O或S，Y1至Y4均独立地为直连键、O或S，R1至R6均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、硼基、氧化膦基、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基、取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的非芳香族杂环基，或者与相邻基团结合以形成环，R
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和R
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均独立地为取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基，或者与相邻基团结合以形成环，R9为取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成
环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基，n1至n4均独立地为0至2的整数，n5和n6均独立地为0至3的整数，并且m1至m4均独立地为0或1。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，由式1表示的所述稠合多环化合物的最低单重态激发能级与由式1表示的所述稠合多环化合物的最低三重态激发能级之间的差的绝对值为0.33eV或更小。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文基，朴韩圭，黄晳焕，朴宣映，朴俊河，白长烈，吴灿锡，李孝荣，郑旼静，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：