像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构，包括：基板；至少一个薄膜晶体管，具有第一上表面、所述第一上表面具有第一投影面积，且位于所述基板上方；数据线，具有数据线毗连区与所述至少一个薄膜晶体管相连；及像素电极，具有第二上表面、所述第二上表面具有第二投影面积，且位于所述至少一个薄膜晶体管上方，其中：所述第二投影面积大于所述第一投影面积；以及所述像素电极的所述第二投影面积在对应于所述至少一个薄膜晶体管的所述第一投影面积的部分被移除至少50％，且所述像素电极的所述第二投影面积在对应于所述数据线毗连区的部分被移除的部分不大于70％。相对于现有技术中的像素结构，可省略像素电极下的绝缘层，降低了加工成本，加快了制造过程。了制造过程。了制造过程。

【技术实现步骤摘要】
像素结构


[0001]本专利技术是关于一种像素结构，特别是关于一种适用于电子货架卷标的显示设备的像素结构。

技术介绍

[0002]用于电子货架卷标的显示设备，例如电子纸的像素结构，为了有完整的电场驱动，像素电极的面积会接近整个像素。如果像素电极没有覆盖整个像素，像素在没有像素电极的部分驱动不完整，例如部分液晶或电子墨水未被驱动，使应该显示黑点的像素却呈现白点，颜色未被精准呈现表示该装置具有显示问题。如果像素电极的面积接近整个像素，又会覆盖住像素内的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)。为了避免像素电极影响TFT，例如造成干扰或失效，现有技术中，像素电极与TFT中间会设置一层较厚且通常由有机材料制成的绝缘层。一般而言，这层绝缘层的厚度约为2μm。现有技术中的像素结构制作成本比较高。

技术实现思路

[0003]为了降低制作这层现有技术中厚度约为2μm的绝缘层所增加的成本，但仍要能够使TFT免于受像素电极的影响而误动作，本专利技术提出一种新的像素结构，相较于现有技术，可省略像素电极下的这层厚度约为2μm的绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包括：基板80；至少一个薄膜晶体管6，具有第一上表面3、所述第一上表面3具有第一投影面积，且位于所述基板80上方；数据线30，具有数据线毗连区31与所述至少一个薄膜晶体管6相连；及像素电极10，具有第二上表面12、所述第二上表面12具有第二投影面积，且位于所述至少一个薄膜晶体管6上方，其中：所述第二投影面积大于所述第一投影面积；以及所述像素电极10的所述第二投影面积在对应于所述至少一个薄膜晶体管6的所述第一投影面积的部分被移除至少50％，且所述像素电极10的所述第二投影面积在对应于所述数据线毗连区31的部分被移除的部分不大于70％。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，从所述像素结构的上方俯视观察，所述像素电极10具有与所述至少一个薄膜晶体管6的数目相同的空洞，所述空洞周围的所述像素电极10围绕所述至少一个薄膜晶体管6中的每一个，且所述像素电极10与所述至少一个薄膜晶体管6中的任何一个都没有重叠。3.一种像素结构，包括：基板80；至少一个薄膜晶体管6，位于所述基板80上方；保护层50，设于所述至少一个薄膜晶体管6上，其中所述保护层50的材料为无机材料；像素电极10，位于所述保护层50上方，且经图案化而具有外围边界11；以及保护装置，设于所述像素电极10上并位于所述外围边界11内，用以保护所述至少一个薄膜晶体管6，使...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡清丰，庄哲渝，
申请(专利权)人：和鑫光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：