一种具有偏置栅极电极的光感测装置及其应用的光感测面板，光感测装置包含基板、栅极电极、屏蔽电极、绝缘层、半导体层、源极电极以及漏极电极。栅极电极与屏蔽电极设置于该基板上，且两者分隔开来。绝缘层设置于该栅极电极以及该屏蔽电极上。半导体层设置于该绝缘层上。源极以及漏极电极分别连接于该半导体层，其中该半导体层在源极以及漏极电极之间具有通道区，该通道区分为第一区域以及第二区域，其中第一区域邻近漏极电极且与该栅极电极重叠，第二区域邻近源极电极且不与该栅极电极重叠，且第二区域与屏蔽电极部分重叠。且第二区域与屏蔽电极部分重叠。且第二区域与屏蔽电极部分重叠。
【技术实现步骤摘要】
具有偏置栅极电极的光感测装置及其应用的光感测面板
[0001]本专利技术是关于具有偏置栅极电极的光感测装置及其应用的光学面板。
技术介绍
[0002]光电感测器能将光转换成电流或电压信号。光电感测器可以薄膜晶体管形式制作，并以阵列排列，进而应用于光学触控、指纹辨识、X光检测等领域中。根据欲吸收的光线波长，光电感测器可包含具有适当能隙的半导体薄膜。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术的部分实施方式，光感测装置包含基板、栅极电极、屏蔽电极、绝缘层、半导体层、第一漏极/源极电极以及第二源极/漏极电极。栅极电极设置于该基板上。屏蔽电极设置于该基板上，且与该栅极电极分隔开来。绝缘层设置于该栅极电极以及该屏蔽电极上。半导体层设置于该绝缘层上。第一漏极/源极电极以及第二源极/漏极电极分别连接于该半导体层，其中该半导体层在该第一漏极/源极电极以及第二源极/漏极电极之间具有通道区，该通道区分为第一以及第二区域，其中第一区域邻近第一漏极/源极电极且与该栅极电极重叠，第二区域邻近第二源极/漏极电极且不与该栅极电极重叠，第二区域与屏蔽电极部分重叠。
[0004]根据本专利技术的部分实施方式，光感测面板包含前述的光感测装置、扫描线、偏压线、感测开关元件以及低电位线。扫描线与偏压线设置于该基板上。感测开关元件设置于该基板上，其中该感测开关元件的一控制端电性连接该扫描线，该感测开关元件的二端分别电性连接该偏压线以及该光感测装置的该第一漏极/源极电极。低电位线设置于该基板上，且电性连接该光感测装置的该第二源极/漏极电极。
[0005]根据本专利技术的部分实施方式，光感测面板包含前述的光感测装置、扫描线以及低电位线。扫描线设置于基板上，其中光感测装置的栅极电极电性与第一漏极/源极电极连接扫描线。低电位线设置于基板上，其中光感测装置的第二源极/漏极电极电性连接低电位线。
附图说明
[0006]以下附图中，多种特征并未以产业上实务标准的比例绘制。事实上，多种特征的尺寸可以任意地增加或减少。
[0007]图1A是根据部分实施方式的光感测装置的上视示意图；
[0008]图1B是沿图1A的线1B
‑
1B的剖面示意图；
[0009]图2A是根据部分实施方式的光感测装置的上视示意图；
[0010]图2B是沿图2A的线2B
‑
2B的剖面示意图；
[0011]图3A是根据部分实施方式的光感测面板的上视示意图；
[0012]图3B是图3A的光感测面板的像素单元的电路示意图；
[0013]图3C是图3B的像素单元的剖面示意图；
[0014]图3D是图3C的像素单元的光感测装置的上视示意图；
[0015]图4A是根据部分实施方式的光感测面板的上视示意图；
[0016]图4B是图4A的光感测面板的像素单元的电路示意图；
[0017]图4C是图4B的像素单元的剖面示意图；
[0018]图4D是图4C的像素单元的光感测装置的上视示意图；
[0019]图5A是根据部分实施方式的光感测面板的上视示意图；
[0020]图5B是图5A的光感测显示面板的局部剖面示意图；
[0021]图6是根据部分实施方式的光感测面板的上视示意图；
[0022]图7是根据部分实施方式的光感测面板的上视示意图；
[0023]图8是根据部分实施方式的光感测面板的上视示意图。
[0024]【符号说明】
[0025]100:光感测装置
[0026]100S:第一端
[0027]100D:第二端
[0028]100G:控制端
[0029]100P:屏蔽端
[0030]110:基板
[0031]122,126,128:栅极电极
[0032]124:屏蔽电极
[0033]130:绝缘层
[0034]132:绝缘部分
[0035]142,144,146:半导体层
[0036]142C:通道区域
[0037]142CA:开关区
[0038]142CB:感光区
[0039]152S,154S,156S:源极/漏极电极
[0040]152D,154D,156D:漏极/源极电极
[0041]200:光感测面板
[0042]200
’
:光感测显示面板
[0043]210:感测开关元件
[0044]210S:第一端
[0045]210D:第二端
[0046]210G:控制端
[0047]220:显示开关元件
[0048]220S:第一端
[0049]220D:第二端
[0050]220G:控制端
[0051]230:像素电极
[0052]240:绝缘层
[0053]240O:开口
[0054]L1:距离
[0055]CB1,CB2,CB3:部分
[0056]GL,GL0～GL3:扫描线
[0057]BL,BL0～BL3:偏压线
[0058]RL:低电位线
[0059]PL:屏蔽电位线
[0060]DL:数据线
[0061]DC:数据驱动电路
[0062]PU:像素单元
[0063]GC:扫描电路
[0064]BC:偏压电路
[0065]RS:低电位源
[0066]PS:屏蔽电位源
[0067]D1,D2,N:方向
[0068]C1、C2、C3:接触件
[0069]L2、L3:长度
[0070]G1:间隙
具体实施方式
[0071]以下本专利技术将提供许多个不同的实施方式或实施例以实现所提供的专利标的的不同特征。许多元件与设置将以特定实施例在以下说明，以简化本专利技术。当然这些实施例仅用以示例而不应用以限制本专利技术。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上”包含多种实施方式，其中涵盖第一特征与第二特征直接接触，以及额外的特征形成于第一特征与第二特征之间而使两者不直接接触。
[0072]图1A是根据本专利技术部分实施方式的光感测装置100的上视示意图。图1B是沿图1A的线1B
‑
1B的剖面示意图。光感测装置100包含基板110、栅极电极122、屏蔽电极124、绝缘层130、半导体层142、源极/漏极电极152S以及漏极/源极电极152D。栅极电极122与屏蔽电极124设置于基板110上，其中两者分隔开来。绝缘层130设置于栅极电极122与屏蔽电极124上。半导体层142设置于绝缘层130上。源极/漏极电极152S以及漏极/源极电极152D分别连接于半导体层142。
[0073]于部分实施方式中，半导体层142在源极/漏极电极152S以及152D之间具有通道区域142C。于部分实施方式中，栅极电极122偏位设置(简称偏置)，而使通道区域142C本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光感测装置，其特征在于，包含：一基板；一栅极电极，设置于该基板上；一屏蔽电极，设置于该基板上，且与该栅极电极分隔开来；一绝缘层，设置于该栅极电极以及该屏蔽电极上，其中该栅极电极与该屏蔽电极间具有一间隙；一半导体层，设置于该绝缘层上；以及一第一漏极/源极电极以及一第二源极/漏极电极，分别连接于该半导体层，其中该半导体层在该第一漏极/源极电极以及该第二源极/漏极电极之间具有一通道区，该通道区分为一第一区域以及一第二区域，其中该第一区域邻近该第一漏极/源极电极且与该栅极电极重叠，该第二区域邻近该第二源极/漏极电极且不与该栅极电极重叠，且该第二区域与该屏蔽电极部分重叠。2.根据权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，其中该屏蔽电极延伸至该第二源极/漏极电极下方。3.根据权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，其中该屏蔽电极不延伸至该第二源极/漏极电极下方。4.根据权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，其中该栅极电极与该屏蔽电极由一相同导电材料所形成。5.根据权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，其中该屏蔽电极电性连接该第二源极/漏极电极。6.根据权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，其中该栅极电极电性连接该第一漏极/源极电极。7.一种光感测面板，其特征在于，包含：如权利要求1所述的光感测装置；一扫描线，设置于该基板上；一偏压线，设置于该基板上；一感测开关...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄哲渝，蔡清丰，
申请(专利权)人：和鑫光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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