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基于三环喹唑啉的二维导电金属有机框架材料及制备方法技术

技术编号:27413279 阅读:22 留言:0更新日期:2021-02-21 14:29
本发明专利技术公开了基于三环喹唑啉的二维导电金属有机框架材料及制备方法,制备方法为:将2,3,7,8,12,13

【技术实现步骤摘要】
基于三环喹唑啉的二维导电金属有机框架材料及制备方法


[0001]本专利技术属于金属有机框架材料及电化学能量转换领域,特别是涉及一种基于三环喹唑啉的二维导电金属有机框架材料M3(HHTQ)2(M=Cu,Ni,Co,Mn,Fe)及制备方法及应用。

技术介绍

[0002]二维导电金属有机框架(two-dimensional conductive metal-organic frameworks,2D c-MOFs)是由过渡金属节点(M=Cu,Co,Ni等)与具有多顶点邻位取代官能团的有机连接体形成MX4(X=O,NH,S,Se)平面几何配位并相互连接构筑的一类二维材料。2D c-MOFs通常具有扩展的π-共轭层,规整有序的孔道结构,固有的孔隙率,以及良好的导电性等诸多迷人的特性。2D c-MOFs丰富的物理化学性质使其在气体吸附,传感,能量存储与转换等领域具有较大的应用潜力。
[0003]二氧化碳作为过渡工业活动的产物,是温室效应和许多自然灾害的元凶之一。开发新技术来存储和利用二氧化碳是我们迫切的追求。电催化还原二氧化碳以生成有用的化学品是实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于三环喹唑啉的二维导电金属有机框架材料,其特征是具有式(II)所示结构:其中,M为Cu,Ni,Co,Mn或Fe。2.权利要求1的一种基于三环喹唑啉的二维导电金属有机框架材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:将2,3,7,8,12,13-六羟基三环喹唑啉(I)与二价金属离子M
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溶于溶剂中,反应得到一种基于三环喹唑...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈龙刘婧娟
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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