一种纳米氧化锆生产后处理设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种纳米氧化锆生产后处理设备，涉及领域，包括空心设置的盒体，所述盒体的底端连接有与盒体连通的控制机构；所述控制机构包括控制盘、可拆卸连接的控制座和活动机构，所述控制座开设有通心设置的通道，所述控制盘活动设置在所述通道内，且与所述通道相适配，所述控制座内壁开设有与所述控制盘活动适配的活动槽，用于控制盘的缩进，所述控制盘的侧壁连接有活动机构；所述活动机构包括活动轴和活动杆，所述活动轴的一端与所述控制盘连接，所述活动轴的另一端活动的穿过所述控制座的外壁，且与所述活动杆活动连接。该设备具有方便取用纳米氧化锆，且还能够控制取用时的下落速度，防止材料的浪费。防止材料的浪费。防止材料的浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米氧化锆生产后处理设备


[0001]本技术涉及化学废液领域，具体为一种纳米氧化锆生产后处理设备。

技术介绍

[0002]氯化锆是制备生产纳米氧化锆的一种重要原料，而制备生产的纳米氧化锆呈白色固体，若尘生产结构陶瓷则是以纳米氧化锆粉的形式存在。纳米氧化锆硬度较大、常温下为绝缘体、而高温下则具有优良的导电性，且纳米氧化锆具有抗热震性强、耐高温、化学稳定性好、材料复合性突出等特点，因此纳米氧化锆可以用作纳米陶瓷以及耐火材料，也可以用作研磨材料、切削刀具等领域。虽然纳米氧化锆物理性质比较稳定，但是生产以后的形态为固体颗粒或者粉末状，取用的时候不方便，且现有的技术设备不能控制取用时下落的速度，很容易造成材料的浪费，所以为此，设计出了一种满足要求的设备。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种纳米氧化锆生产后处理设备，该设备具有方便取用纳米氧化锆，且还能够控制取用时的下落速度，防止材料的浪费。
[0004]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0005]一种纳米氧化锆生产后处理设备，包括空心设置的盒体，所述盒体的底端连接有与盒体连通的控制机构；所述控制机构包括控制盘、可拆卸连接的控制座和活动机构，所述控制座开设有通心设置的通道，所述控制盘活动设置在所述通道内，且与所述通道相适配，所述控制座内壁开设有与所述控制盘活动适配的活动槽，用于控制盘的缩进，所述控制盘的侧壁连接有活动机构；所述活动机构包括活动轴和活动杆，所述活动轴的一端与所述控制盘连接，所述活动轴的另一端活动的穿过所述控制座的外壁，且与所述活动杆活动连接。
[0006]优选地，所述控制座的一端与所述盒体连接，所述控制座的另一端连接有通心的锥形筒，且所述锥形筒与所述通道同轴心设置。
[0007]优选地，所述活动轴远离所述控制座的一端开设有孔道，所述孔道上开设有凹槽，所述活动杆靠近所述活动轴的一端连接有凸台，所述凸台的另一端连接有环形滑块，所述凸台活动置于所述孔道内，且所述环形滑块与所述凹槽活动适配。
[0008]优选地，所述活动杆远离所述活动轴的一端连接有转动圆盘。
[0009]优选地，所述控制座的外壁设有连接座，所述活动杆活动的穿过所述连接座且与所述连接座螺纹连接。
[0010]优选地，所述盒体的顶端设有进口通道，所述盒体的底端与安放架连接。
[0011]本技术的有益效果是：
[0012]1、该设备的盒体用于盛放生产以后的纳米氧化锆，盒体的底端连接有用于控制下落速度的控制机构，该控制机构包括了控制盘、可拆卸连接的控制座和活动机构，控制座通心设置的通道用于纳米氧化锆掉落下的出口，且控制盘活动设置在通道内，控制盘与通道的直径相同，用于阻挡和让纳米氧化锆通行；控制座内壁开设有与控制盘活动适配的活动
槽，用于控制盘的缩进，且控制盘连接有用于控制控制盘活动的活动机构，同时该活动机构包括了活动轴和活动杆，该活动轴的一端与控制盘连接，另一端活动的穿过控制座的外壁，且与活动杆活动连接，通过移动活动杆，来带动活动轴移动，进而控制控制盘通过在活动槽的移动，来实现控制盘在通道内的位置，以此让纳米氧化锆通过控制盘与通道的缝隙下落，来控制纳米氧化锆的下落的量的大小，进而控制其下落的速度，来实现用量的控制，防止下落过多而造成浪费。
[0013]2、控制座的一端与盒体连接，盒体内的纳米氧化锆从控制座的通道通过，控制座的另一连接有通心的锥形筒，目的在于让纳米氧化锆通过的时候，减少下落扩散的范围，防止洒落而浪费原料；活动轴的一端连接有凸台，另一端连接有环形滑块，凸台活动置于孔道内，且环形滑块与凹槽活动适配，这样在转动活动杆时，凸台在相适配的凹槽内转动，而随着活动杆转动的不断深入，来推动活动轴移动，进而来带动控制盘与通道的缝隙大小，以此来空心纳米氧化锆下落的量的大小；活动杆远离活动轴的一端连接有转动圆盘，设计转动圆盘的目的是方便转动活动杆，节省力气和时间；控制座的外壁设有连接座，活动杆活动的穿过连接座且与连接座螺纹连接，从而实现活动杆的转动；盒体的底端设有进口通道，方便生产后的纳米氧化锆进入到盒体内，盒体的底端与安放架连接，一方面是用于支撑盒体，另一面是让控制机构的出口与地面有一定的高度距离，方便下面安放盛装下落的纳米氧化锆的容器。
附图说明
[0014]图1为本技术一种纳米氧化锆生产后处理设备的结构示意图；
[0015]图2为本技术一种纳米氧化锆生产后处理设备的控制机构示意图；
[0016]图3为本技术一种纳米氧化锆生产后处理设备控制机构爆炸结构示意图；
[0017]图中，1-盒体，2-控制盘，3-控制座，4-活动轴，5-活动杆，6-连接座，12-进口通道，13-安放架，31-通道，32-锥形筒，41-孔道，51-凸台，52-环形滑块，53-转动圆盘。
具体实施方式
[0018]下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。
[0019]如图1至图3所示，一种纳米氧化锆生产后处理设备，包括空心设置的盒体1，盒体1的底端连接有与盒体1连通的控制机构；控制机构包括控制盘2、可拆卸连接的控制座3和活动机构，控制座3开设有通心设置的通道31，控制盘2活动设置在通道31内，且与通道31相适配，控制座3内壁开设有与控制盘2活动适配的活动槽，用于控制盘的缩进，控制盘2的侧壁连接有活动机构；活动机构包括活动轴4和活动杆5，活动轴4的一端与控制盘2连接，活动轴4的另一端活动的穿过控制座3的外壁，且与活动杆5活动连接。该设备的盒体1用于盛放生产以后的纳米氧化锆，盒体1的底端连接有用于控制下落速度的控制机构，该控制机构包括了控制盘2、可拆卸连接的控制座3和活动机构，控制座3通心设置的通道31用于纳米氧化锆掉落下的出口，且控制盘2活动设置在通道31内，控制盘2与通道31的直径相同，用于阻挡和让纳米氧化锆通行；控制座3内壁开设有与控制盘2活动适配的活动槽，用于控制盘2的缩进，且控制盘2连接有用于控制控制盘2活动的活动机构，同时该活动机构包括了活动轴4和
活动杆5，该活动轴4的一端与控制盘2连接，另一端活动的穿过控制座3的外壁，且与活动杆5活动连接，通过移动活动杆5，来带动活动轴4移动，进而控制控制盘2通过在活动槽的移动，来实现控制盘2在通道31内的位置，以此让纳米氧化锆通过控制盘2与通道31的缝隙下落，来控制纳米氧化锆的下落的量的大小，进而控制其下落的速度，来实现用量的控制，防止下落过多而造成浪费。
[0020]进一步的，该设备在在具体实施时，首先将生产制备好的纳米氧化锆装入到该设备的盒体1内，以便于取用，该盒体1的顶端设有进口通道12，制备好的纳米氧化锆则通过进口通道12进入到盒体内，为了防止盒体1内进入空气，在进口通道12的顶端盖上盒盖，取用的时候调控控制机构即可。该设备的盒体1底端与安放架13连接，安放架13一方面是用于支撑盒体1，另一面是让控制机构的出口与地面有一定的高度距离，方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米氧化锆生产后处理设备，其特征在于，包括空心设置的盒体（1），所述盒体（1）的底端连接有与盒体（1）连通的控制机构；所述控制机构包括控制盘（2）、可拆卸连接的控制座（3）和活动机构，所述控制座（3）开设有通心设置的通道（31），所述控制盘（2）活动设置在所述通道（31）内，且与所述通道（31）相适配，所述控制座（3）内壁开设有与所述控制盘（2）活动适配的活动槽，用于控制盘的缩进，所述控制盘（2）的侧壁连接有活动机构；所述活动机构包括活动轴（4）和活动杆（5），所述活动轴（4）的一端与所述控制盘（2）连接，所述活动轴（4）的另一端活动的穿过所述控制座（3）的外壁，且与所述活动杆（5）活动连接。2.根据权利要求1所述的一种纳米氧化锆生产后处理设备，其特征在于，所述控制座（3）的一端与所述盒体（1）连接，所述控制座（3）的另一端连接有通心的锥形筒（32），且所述锥形筒（32）与所述通道（31）同轴心设置。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伯璞，胡宾，焦海坡，
申请(专利权)人：绵竹市金坤化工有限公司，
类型：新型
国别省市：