可变电容元件制造技术

本实用新型专利技术提供可变电容元件。可变电容元件具备多个电阻元件，该多个电阻元件构成对串联连接的多个可变电容部(C1～C8)的电极分别施加控制电压的路径。这些电阻元件包含第1分配电阻元件(R11～R14)、第2分配电阻元件(R21～R25)、第1共用电阻元件(R1)和第2共用电阻元件(R2)。第1共用电阻元件(R1)和第2共用电阻元件(R2)的与通电方向垂直的垂直截面积比第1分配电阻元件(R11～R14)和第2分配电阻元件(R21～R25)的与通电方向垂直的垂直截面积大。通过该构造，构成针对可变电容部施加控制电压的施加路径的耐ESD特性较高的可变电容元件。加路径的耐ESD特性较高的可变电容元件。加路径的耐ESD特性较高的可变电容元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可变电容元件


[0001]本技术涉及电容元件，特别是，涉及在基板上具备多个电容形成部和形成对这些多个电容形成部施加控制电压的电压路径的电阻元件的可变电容元件。

技术介绍

[0002]以往，在专利文献1等中示出一种可变电容元件，该可变电容元件具有：与控制电压的施加对应地使介电常数变化的电介质层、隔着该电介质层的电极、以及对这些电极施加控制电压的布线。这样的可变电容元件具备薄膜的强电介质，采用金属、强电介质材料、金属的层叠构造(MIM 构造)，以在低电压下得到较大的电容变化量。
[0003]专利文献1：日本特开2005－064437号公报
[0004]专利文献2：国际公开第2014/155862号
[0005]与由MEMS得到的可变电容元件或可变电容二极管这样的半导体的可变电容元件相比，具备强电介质膜的可变电容元件的缺点在于，耐ESD (Electro-Static Discharge：静电放电)特性较低。
[0006]为了提高控制灵敏度(电容值变化与控制电压变化之比)，使强电介质膜的膜厚变薄是有效的，但伴随着强电介质膜的薄膜化，耐ESD特性劣化。即，若产生超过耐ESD特性的ESD，则其浪涌施加给强电介质膜，则强电介质膜被破坏绝缘。
[0007]另一方面，在专利文献2中示出一种可变电容元件，设置电容比可变电容部大的电容器，使由ESD形成的浪涌电流绕过该电容器。在针对ESD 的强电介质膜的保护的方面，如专利文献2所示，设置旁通路径是有效的。
[0008]然而，在可变电容元件中需要针对可变电容部施加控制电压的施加路径，但以往没有保护该控制电压的施加路径不受ESD影响这种观点。

技术实现思路

[0009]本技术的目的在于，提供一种可变电容元件，针对可变电容部施加控制电压的施加路径的耐ESD特性较高。
[0010]作为本技术的一例的可变电容元件具备：串联连接的多个可变电容部，其分别由根据电场强度决定介电常数的电介质层和隔着该电介质层的电极构成；以及多个电阻元件，其构成对该多个可变电容部的电极施加控制电压的路径。多个电阻元件通过相对于基板形成电阻膜图案而构成，多个电阻元件包含：第1端与多个可变电容部的各电极分别连接、第2端与第1共用连接部连接的第1分配电阻元件；第1端与多个可变电容部的各电极分别连接、第2端与第2共用连接部连接的第2分配电阻元件；第 1端与第1共用连接部连接、第2端与第1控制电压输入端子连接的第1 共用电阻元件；以及第1端与第2共用连接部连接、第2端与第2控制电压输入端子连接的第2共用电阻元件。而且，第1共用电阻元件和第2共用电阻元件的与通电方向垂直的垂直截面积比第1分配电阻元件和第2分配电阻元件的与通电方向垂直的垂直截面积大。
[0011]也可以是，所述多个电阻元件中的所述第1分配电阻元件、所述第2 分配电阻元件、所述第1共用电阻元件和所述第2共用电阻元件分别由具有曲部的电阻膜图案构成，所述第1共用电阻元件和所述第2共用电阻元件的电阻膜图案的曲部的最小曲率半径比所述第1分配电阻元件和所述第2分配电阻元件的电阻膜图案的最小曲率半径大。
[0012]也可以是，该可变电容元件具备连接在所述第1共用连接部与所述第 2共用连接部之间的浪涌电流旁通用的电容器。
[0013]根据本技术，得到针对可变电容部施加控制电压的施加路径的耐 ESD特性较高的可变电容元件。
附图说明
[0014]图1是第1实施方式的可变电容元件101的电路图。
[0015]图2的(A)是示出第1本实施方式的可变电容元件的构成多个电阻元件的电阻膜图案的一例的俯视图。图2的(B)是示出作为比较例的电阻膜图案的一例的俯视图。
[0016]图3是可变电容元件101的纵剖视图。
[0017]图4的(A)是示出分配电阻元件R11～R14和共用电阻元件R1的与通电方向垂直的垂直截面积的关系的图。图4的(B)是示出作为比较例的分配电阻元件R11～R14与共用电阻元件R1的与通电方向垂直的垂直截面积的关系的图。
[0018]图5是示出图2的(A)、图2的(B)所示的可变电容元件的耐ESD 特性的例子的图。
[0019]图6是示出第2实施方式的可变电容元件的构成多个电阻元件的电阻膜图案的一例的俯视图。
[0020]图7是第3实施方式的可变电容元件的构成多个电阻元件的电阻膜图案的俯视图。
[0021]图8是示出导体图案的折回部的电流密度分布的图。
[0022]图9是示出图7所示的可变电容元件的耐ESD特性的例子的图。
[0023]图10是第4实施方式的可变电容元件104的电路图。
[0024]图11是第5实施方式的可变电容元件105的电路图。
具体实施方式
[0025]以下，参照附图而列举几个具体的例子，示出用于实施本技术的多个方式。在各图中对相同的部位标注相同的附图标记。考虑到要点的说明或者理解的容易性，为了便于说明实施方式，分为多个实施方式而示出，可以进行不同的实施方式所示的结构的局部性的替换或者组合。在第2实施方式之后将与第1实施方式共用的事项的记述省略，仅对不同点进行说明。特别是，对于相同的结构的相同的作用效果，在每个实施方式中没有依次提及。
[0026]《第1实施方式》
[0027]图1是第1实施方式的可变电容元件101的电路图。该可变电容元件 101具备串联连接的多个可变电容部C1～C8、以及多个电阻元件R1、 R11～R14、R2、R21～R25。这些多个电阻元件R1、R11～R14、R2、R21～ R25构成对多个可变电容部C1～C8的电极施加控制电压的路径。
[0028]可变电容部C1～C8根据施加在该控制电压输入端子Vt与接地端子 GND之间的控
制电压来决定电容值，由此，决定第1输入输出端子Po1 与第2输入输出端子Po2之间的电容值。
[0029]可变电容部C1～C8分别是由介电常数根据电场发生变化的强电介质膜、和隔着该强电介质膜施加电压的电极构成的强电介质电容器。强电介质膜根据所施加的电场的强度来改变极化量，从而使介电常数改变，因此强电介质膜根据控制电压来决定电极间的电容值。经由电阻元件R1、 R11～R14、R2、R21～R25，对各可变电容部的电极施加控制电压。
[0030]上述多个电阻元件中的电阻元件R11～R14是第1端与可变电容部 C1～C8的电极连接、第2端与第1共用连接部CC1连接的第1分配电阻元件。另外，电阻元件R1是第1端与第1共用连接部CC1连接、第2端与控制电压输入端子Vt连接的第1共用电阻元件。另外，电阻元件R21～ R25是第1端与可变电容部C1～C8的电极连接、第2端与第2共用连接部CC2连接的第2分配电阻元件。另外，电阻元件R2是第1端与第2共用连接部CC2连接、第2端与接地端子GND连接的第2共用电阻元件。上述控制电压输入端子Vt对应于本技术的“第1控制电压输入端子”，接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可变电容元件，其具备：串联连接的多个可变电容部，其分别由根据电场强度决定介电常数的电介质层和隔着该电介质层的电极构成；以及多个电阻元件，其构成对所述多个可变电容部的电极施加控制电压的路径，所述多个电阻元件通过相对于基板形成电阻膜图案而构成，所述多个电阻元件包含：第1端与所述多个可变电容部的各电极分别连接、第2端与第1共用连接部连接的第1分配电阻元件；第1端与所述多个可变电容部的各电极分别连接、第2端与第2共用连接部连接的第2分配电阻元件；第1端与所述第1共用连接部连接、第2端与第1控制电压输入端子连接的第1共用电阻元件；以及第1端与所述第2共用连接部连接、第2端与第2控制电压输入端子连接的第2共用电阻元件，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野孝昭，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：