一种S掺杂WO3-MoS2异质结的光催化降解材料及其制法制造技术

本发明专利技术涉及光催化降解技术领域，且公开了一种S掺杂WO3‑

【技术实现步骤摘要】
一种S掺杂WO
3-MoS2异质结的光催化降解材料及其制法


[0001]本专利技术涉及光催化降解
，具体为一种S掺杂WO
3-MoS2异质结的光催化降解材料及其制法。

技术介绍

[0002]目前，水污染问题日趋严重，主要包括重金属离子、有机染料等污染物，其中有机染料如刚果红、亚甲基蓝、甲基橙、罗丹明B等具有毒性且难以降解，传统的水污染处理有光催化氧化法、物理吸附法、化学氧化法、生物降解法等方法，但是后三者存在效率低、易产生二次污染等问题，光催化氧化法具有节能、环保、无二次污染等优点，应用前景广阔，在可见光照射下，WO3、ZnO等材料具有很好的光催化活性，但是具有光催化效率低、光生电子-空穴易复合等缺点，限制其应用，因此，需要对其作出改性。
[0003]WO3是一种n型氧化物半导体，具有独特的光学特性，在光催化领域具有广阔的应用前景，但是其禁带宽度较大，光生电子-空穴易复合，限制其应用，元素掺杂可以WO3降低禁带宽度和光生电子-空穴的复合速率，MoS2是一种p型半导体，具有较窄的禁带宽度，具有优异的光催化性能和可见光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种S掺杂WO
3-MoS2异质结的光催化降解材料，其特征在于：所述S掺杂WO
3-MoS2异质结的光催化降解材料制备方法如下：(1)向去离子水中加入六氯化钨，分散均匀后移入反应釜内，在140-180℃下反应18-36h，冷却、离心、洗涤并干燥，将产物置于马弗炉中，在470-550℃下退火2-3h，冷却，得到花状纳米三氧化钨；(2)向溶剂乙醇水溶液中加入硫脲、花状纳米三氧化钨，分散均匀并干燥，研磨充分，置于马弗炉中，在470-550℃下焙烧3-5h，冷却，得到硫掺杂花状纳米三氧化钨；(3)向稀硝酸溶液中加入、纳米钼粉、硫掺杂花状纳米三氧化钨，分散均匀，移入反应釜内，在180-220℃下反应18-36h，冷却，洗涤并干燥，得到硫掺杂花状纳米三氧化钨负载带状纳米三氧化钼；(4)向去离子水中加入硫脲、硫掺杂花状纳米三氧化钨负载带状纳米三氧化钼，分散均匀，移入反应釜内，在180-220℃下反应18-36h，冷却，洗涤并干燥，得到S掺杂WO
3-MoS2异质结的光催化降解材料。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯程程，
申请(专利权)人：安徽晟源环保新型材料有限公司宿马分公司，
类型：发明
国别省市：