一种钙钛矿光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中，所述钙钛矿光电探测器自下而上依次包括：衬底、TCO层、半导体层、钙钛矿层以及电极，其中，所述半导体层为超宽禁带半导体。本发明专利技术通过在钙钛矿光电探测器中引入超宽禁带半导体层，可以阻挡空穴进入电子传输层，并且可以钝化钙钛矿表面，获得更好钙钛矿光电探测器的响应，扩大了器件应用范围。扩大了器件应用范围。扩大了器件应用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种钙钛矿光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]在光电领域中，无机材料的研究一般成本高，周期长，并且工艺过程复杂。近些年新发掘的新型光电功能材料钙钛矿由于成本低、制备简单、且光电特性优异，再加上钙钛矿材料的本征特性包括高吸收系数、高载流子迁移率、制备简单等优点而备受关注。其中，有机无机杂化钙钛矿由于突出的光电特性而被广泛应用到光电领域如太阳能电池、晶体管以及光电探测器方向。
[0003]自钙钛矿材料用于太阳能电池以来，短短几年时间便经历了十分蓬勃的发展，迅速成为光电子领域研究的热门。与钙钛矿太阳能电池优异的性能相似，研究表明，基于钙钛矿材料有望研制出新一代低成本、高性能光电探测器，包括微晶/多晶薄膜、块体单晶和低维纳米单晶等，且不同形貌的钙钛矿材料在性能上也展示出很大的不同。
[0004]然而，现有的钙钛矿光电探测器在光生电子、空穴在界面处的复合问题较为显著，这大大限制了其在光电探测器件中的应用。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿光电探测器，其特征在于，自下而上依次包括：衬底(1)、TCO层(2)、半导体层(3)、钙钛矿层(4)以及电极(5)，其中，所述半导体层(3)为超宽禁带半导体。2.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述TCO层(2)的材料为ITO、FTO或者AZO。3.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述半导体层(3)的材料为氧化镓或者氮化铝，其厚度为5-30nm。4.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿层(4)为有机无机杂化钙钛矿或者全无机钙钛矿。5.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述电极(5)为金属电极、透明导电氧化物电极或者碳电极。6.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述TCO层(2)和所述半导体层(3)之间还包括电子传输层(6)。7.根据权利要求1所述的钙钛...

【专利技术属性】
技术研发人员：张泽雨林，朱卫东，陈大正，游海龙，张进成，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：