一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法技术

本发明专利技术提供一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，包括步骤1:提供待去胶的红外热成像晶圆；步骤2:设定红外热成像晶圆去胶机的参数，控制去胶速率；步骤3：扫描电子显微镜检测MEMS结构内部残胶。设定红外热成像晶圆去胶机的参数包括设定用于去除红外热成像晶圆表面PR保护胶的去胶机参数和设定用于去除红外热成像晶圆内部蚀刻的PI保护胶的去胶机参数中的一种，进而达到控制去胶机除胶速率的目的。通过本发明专利技术提供的红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法可以最大限度的预防及避免产品的批量异常的出现，在提升良率的同时，还可以降低材料报废所带来的成本增加问题。以降低材料报废所带来的成本增加问题。以降低材料报废所带来的成本增加问题。

【技术实现步骤摘要】
一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法。

技术介绍

[0002]随着芯片制造工艺的不断进步，体积正变得越来越小，这也导致了非常微小的颗粒及残余胶体也变得足以影响半导体器件的制造和性能，所以红外热成像晶圆清洗工艺及质量监控也变得越来越重要,常用方法是对已生产出的产品进行表面检验，确认是否有颗粒，残留等异常，然而一些芯片并不能通过表面观察来做判定，内部的残胶也会影响到产品最终的性能，如果不能及时发现，及其容易造成产品的批量异常，因此制定出一套预防及检测的监控方法从而提升产品良率。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，
[0004]本专利技术所采用的技术方案是：一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，包括
[0005]步骤1:提供待去胶的红外热成像晶圆；
[0006]步骤2:设定红外热成像晶圆去胶机的参数，控制去胶速率；
[0007]步骤3:扫描电子显微镜检测MEMS结构内部残胶。
[0008]进一步的，所述步骤2：包括设定用于去除红外热成像晶圆表面PR保护胶的去胶机参数和设定用于去除红外热成像晶圆内部蚀刻的PI保护胶的去胶机参数中的一种。
[0009]进一步的，所述设定用于去除红外热成像晶圆表面PR保护胶的去胶机参数为：设定红外热成像晶圆去胶机涂胶光片原厚度为氧气进气量为1400sccm～2000sccm，氮气进气量为5sccm～140sccm，压力1000mTorr～2800mTorr，时间30秒～90秒，达到速率每分钟去除表面厚度
[0010]进一步的，所述设定用于去除红外热成像晶圆内部蚀刻的PI保护胶的去胶机参数为：设定红外热成像晶圆去胶机涂胶光片原厚度为氧气进气量200sccm～1000sccm，氮气进气量5sccm～140sccm，CF4进气量5sccm～40sccm，压力1000mTorr～2800mTorr，时间30秒～90秒；达到速率每分钟去除表面厚度
[0011]进一步的，所述步骤2包括设定去胶机设备底压为≤100mTorr，漏率≤60mTorr/min。
[0012]进一步的，所述步骤2包括对对去胶机的进气的氮气、氧气、压缩空气、CF4进行监控。
[0013]进一步的，所述步骤4包括：通过胶带粘黏取出表面像元区，分别对底层结构面及
像元区背面做步骤扫描电子显微镜分析，确认是否有残胶。
[0014]进一步的，所述步骤4包括：根据产品的外观检验要求监控产品外部胶体残留状况。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：可以最大限度的预防及避免产品的批量异常的出现，在提升良率的同时，还可以降低材料报废所带来的成本增加问题。
附图说明
[0016]图1为本专利技术红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法的流程图；
具体实施方式
[0017]以下结合附图和具体实施例，对本专利技术进行详细说明。
[0018]实施例1：
[0019]本专利技术提供的一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，包括：
[0020]第一步:提供待去胶的红外热成像晶圆；
[0021]第二步:剔除已发生异常现象的红外热成像晶圆，发生异常现象的红外热成像晶圆包括带有颗粒、残胶的红外热成像晶圆或其他带有其他颗粒的异物，将该影响降到最低。
[0022]第三步:
[0023](1)设定用于去除红外热成像晶圆表面PR保护胶的去胶机参数为：设定红外热成像晶圆去胶机涂胶光片原厚度为氧气进气量为1400sccm～2000sccm，氮气进气量为5sccm～140sccm，压力1000mTorr～2800mTorr，时间30秒～90秒；达到速率每分钟去除表面厚度当去胶机的除胶速率达到每分钟的时候则为良品，反之，则为不良品。
[0024](2)同时设定去胶机设备底压为≤100mTorr，漏率≤60mTorr/min，由于设备使用过程中由于管路及舱体长期会有各种气体的进出，会使得用于密封的密封圈残蚀腐化从而导致漏气，所以对设备的底压要进行每日监控。
[0025](3)对去胶机的进气的氮气、氧气、压缩空气、CF4进行检测，设备运行前要对进的气压进行检测，对设备机械手臂外接的真空泵进行检测，对设备舱体洁净程度以及外接的真空泵进行检测，以及给设备提供冷却的冷水机也要进行检测，从而避免设备外接因素异常对产品质量产生影响。
[0026]第四步:定期取样对产品做抽检，包括：通过胶带粘黏取出表面像元区，分别对底层结构面及像元区背面做步骤扫描电子显微镜分析，确认是否有残胶，同时根据产品的外观检验要求监控产品外部胶体残留状况。
[0027]实施例2：
[0028]第一步:提供待去胶的红外热成像晶圆；
[0029]第二步:剔除已发生异常现象的红外热成像晶圆，发生异常现象的红外热成像晶圆包括带有颗粒、残胶的红外热成像晶圆或其他带有其他颗粒的异物，将该影响降到最低。
[0030]第三步:
[0031](1)设定用于去除红外热成像晶圆内部蚀刻的PI保护胶的去胶机参数为：设定红
外热成像晶圆去胶机涂胶光片原厚度为氧气进气量200sccm～1000sccm，氮气进气量5sccm～140sccm，CF4进气量5sccm～40sccm，压力1000mTorr～2800mTorr，时间30秒～90秒；达到速率每分钟去除表面厚度当去胶机的除胶速率达到每分钟的时候则为良品，反之，则为不良品。
[0032](2)同时设定去胶机设备底压为≤100mTorr，漏率≤60mTorr/min，由于设备使用过程中由于管路及舱体长期会有各种气体的进出，会使得用于密封的密封圈残蚀腐化从而导致漏气，所以对设备的底压要进行每日监控。
[0033](3)还需对去胶机的进气的氮气、氧气、压缩空气、CF4进行检测，设备运行前要对进的气压进行检测，对设备机械手臂外接的真空泵进行检测，对设备舱体洁净程度以及外接的真空泵进行检测，以及给设备提供冷却的冷水机也要进行检测，从而避免设备外接因素异常对产品质量产生影响。
[0034]第四步:定期取样对产品做抽检，包括：通过胶带粘黏取出表面像元区，分别对底层结构面及像元区背面做步骤扫描电子显微镜分析，确认是否有残胶，同时根据产品的外观检验要求监控产品外部胶体残留状况。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，其特征在于：包括步骤1:提供待去胶的红外热成像晶圆；步骤2:设定红外热成像晶圆去胶机的参数，控制去胶机除胶速率；步骤3:扫描电子显微镜检测MEMS结构内部残胶。2.根据权利要求1所述的一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，其特征在于：所述步骤2：包括设定用于去除红外热成像晶圆表面PR保护胶的去胶机参数和设定用于去除红外热成像晶圆内部蚀刻的PI保护胶的去胶机参数中的一种。3.根据权利要求2所述的一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，其特征在于：所述设定用于去除红外热成像晶圆表面PR保护胶的去胶机参数为：设定红外热成像晶圆去胶机涂胶光片原厚度为氧气进气量为1400sccm～2000sccm，氮气进气量为5sccm～140sccm，压力1000mTorr～2800mTorr，时间30秒～90秒；达到速率每分钟去除表面厚度4.根据权利要求2所述的一种红外热成像晶圆除胶工艺的检测监控方法，其特征在于：所述设定用于去除红外热成像晶圆内部蚀刻的PI保护胶的去胶机...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤超，朱方元，
申请(专利权)人：北京中星时代科技有限公司，
类型：发明
国别省市：