一种带开路短路保护的高压电晕电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带开路短路保护的高压电晕电源，包括电容C1、电容C2、可控硅D3、三极管Q1和三极管Q2，所述电容C1的一端连接电阻RS和电感L1，电阻RS的另一端连接220V交流电，电感L1的另一端连接电容C2和整流桥T的端口4和电容C2，整流桥T的端口2连接电容C2和电感L2，电感L2的另一端连接220V交流电另一端；本实用新型专利技术解决目前高压电晕电源在发生开路或者短路是不能够停止工作以保护电源和设备的问题并且降低了生产成本以及生产难度。的问题并且降低了生产成本以及生产难度。的问题并且降低了生产成本以及生产难度。

【技术实现步骤摘要】
一种带开路短路保护的高压电晕电源


[0001]本技术涉及电源
，具体是一种带开路短路保护的高压电晕电源。

技术介绍

[0002]目前的高压电晕电源在开路或者短路状态下不能够及时的停止工作，容易造成电源的损坏，甚至是烧毁设备，而带有开路或者短路保护的电源因为需要从高压变压器单独取电压信号，使得高压变压器的生产难度增加。
[0003]而且因为高压输出端负载不同也会影响其工作效果。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种带开路短路保护的高压电晕电源，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种带开路短路保护的高压电晕电源，包括电容C1、电容C2、可控硅D3、三极管Q1和三极管Q2，所述电容C1的一端连接电阻RS和电感L1，电阻RS的另一端连接220V交流电，电感L1的另一端连接电容C2和整流桥T的端口4和电容C2，整流桥T的端口2连接电容C2和电感L2，电感L2的另一端连接220V交流电另一端，整流桥T的端口1连接电容C3、电阻R2、电容C3、电阻R7、电阻R9、变压器绕组L5、电容C5、输出端A和可控硅D3的负极，电容C3的另一端连接电阻R2的另一端、可控硅D3的控制极和二极管D2的负极，二极管D2的正极连接电阻R1，电阻R1的另一端连接电阻R3、电容C6、二极管D5的阴极、三极管Q3的集电极、输出端B和整流桥T的端口3，可控硅D3的正极连接电阻R3的另一端和电阻R4，电阻R4的另一端连接电容C4的另一端、二极管D4和二极管D3的正极，二极管D3的负极连接变压器绕组L7、二极管D6的负极、三极管Q2的集电极、电阻R10、电阻R8和变压器绕组L6，变压器绕组L6的另一端连接电阻R5，电阻R5的另一端连接三极管Q3的基极和电阻R8的另一端，三极管Q3的发射极连接二极管D5的正极和电阻R10的另一端，二极管D4的另一端连接电阻R6、电阻R7的另一端和三极管Q2的基极，电阻R6的另一端连接变压器绕组L5的另一端，三极管Q2的发射极连接二极管D6的正极和电阻R9的另一端。
[0007]作为本技术的进一步技术方案：所述二极管D4为TVS二极管。
[0008]作为本技术的进一步技术方案：所述三极管Q2和三极管Q3均为NPN三极管。
[0009]作为本技术的进一步技术方案：所述可控硅D3为单向可控硅。
[0010]作为本技术的进一步技术方案：所述整流桥T由四个整流二极管组成。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术解决目前高压电晕电源在发生开路或者短路是不能够停止工作以保护电源和设备的问题并且降低了生产成本以及生产难度。
附图说明
[0012]图1为本技术的电路图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0014]请参阅图1，实施例1：一种带开路短路保护的高压电晕电源，包括电容C1、电容C2、可控硅D3、三极管Q1和三极管Q2，所述电容C1的一端连接电阻RS和电感L1，电阻RS的另一端连接220V交流电，电感L1的另一端连接电容C2和整流桥T的端口4和电容C2，整流桥T的端口2连接电容C2和电感L2，电感L2的另一端连接220V交流电另一端，整流桥T的端口1连接电容C3、电阻R2、电容C3、电阻R7、电阻R9、变压器绕组L5、电容C5、输出端A和可控硅D3的负极，电容C3的另一端连接电阻R2的另一端、可控硅D3的控制极和二极管D2的负极，二极管D2的正极连接电阻R1，电阻R1的另一端连接电阻R3、电容C6、二极管D5的阴极、三极管Q3的集电极、输出端B和整流桥T的端口3，可控硅D3的正极连接电阻R3的另一端和电阻R4，电阻R4的另一端连接电容C4的另一端、二极管D4和二极管D3的正极，二极管D3的负极连接变压器绕组L7、二极管D6的负极、三极管Q2的集电极、电阻R10、电阻R8和变压器绕组L6，变压器绕组L6的另一端连接电阻R5，电阻R5的另一端连接三极管Q3的基极和电阻R8的另一端，三极管Q3的发射极连接二极管D5的正极和电阻R10的另一端，二极管D4的另一端连接电阻R6、电阻R7的另一端和三极管Q2的基极，电阻R6的另一端连接变压器绕组L5的另一端，三极管Q2的发射极连接二极管D6的正极和电阻R9的另一端。
[0015]电路中的电容C1、C2、电感L1和L2组成防外和防内干扰电路，由电感L3（高压包）接负载（容性臭氧片或臭氧管），开路或短路时，A、B两点由原来的270V直流电压提升到300V左右，这是R1有10-30V的电压提供给可控硅触发极R2和C3，使可控硅导通，该电路振荡源是由R3和R4提供给触发二极管D4的，该店员启振工作，而可控硅吧 R3的振荡源到通入地后，从而使整个电源停振，只有解除L3高包的障碍后，方可正常工作。
[0016]本设计利用在高压变压器输入端串联电容两端的电压在高压变压器输出端发生开路或者短路时发生扰动来判断并执行电源保护，当L3高包输出开路或短路时，A、B点由原来的220V升为250-300V的高电平，正电压从R1和D2到D3触发极电压提高使可控硅导通，从而使Q2、Q3基极振荡信号到地短路，Q2和Q3停止工作，必须断电后清除故障后才能正常工作。
[0017]实施例2，在实施例1的基础上，二极管D4为TVS二极管。三极管Q2和三极管Q3均为NPN三极管。可控硅D3为单向可控硅。整流桥T由四个整流二极管组成。
[0018]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制
所涉及的权利要求。
[0019]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带开路短路保护的高压电晕电源，包括电容C1、电容C2、可控硅D3、三极管Q1和三极管Q2，其特征在于，所述电容C1的一端连接电阻RS和电感L1，电阻RS的另一端连接220V交流电，电感L1的另一端连接电容C2和整流桥T的端口4和电容C2，整流桥T的端口2连接电容C2和电感L2，电感L2的另一端连接220V交流电另一端，整流桥T的端口1连接电容C3、电阻R2、电容C3、电阻R7、电阻R9、变压器绕组L5、电容C5、输出端A和可控硅D3的负极，电容C3的另一端连接电阻R2的另一端、可控硅D3的控制极和二极管D2的负极，二极管D2的正极连接电阻R1，电阻R1的另一端连接电阻R3、电容C6、二极管D5的阴极、三极管Q3的集电极、输出端B和整流桥T的端口3，可控硅D3的正极连接电阻R3的另一端和电阻R4，电阻R4的另一端连接电容C4的另一端、二极管D4和二极管D3的正极，二极管D3的负极连接变压器绕组L7、二极管D6...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文彩，
申请(专利权)人：天长市星亨科技电子有限公司，
类型：新型
国别省市：