本发明专利技术涉及一种量子点发光器件及其制备方法、发光装置。该量子点发光器件具有量子点发光层，所述量子点发光层中包括主体材料和客体材料；其中，所述主体材料用于向所述客体材料传递激子，所述客体材料包括量子点和设置在所述量子点表面的第一配体，所述第一配体的三线态激子能量小于所述主体材料的三线态激子能量，且大于所述量子点的激子能量。上述量子点发光器件的量子点表面结合有三线态激子能量介于主体材料的三线态激子能量和量子点的激子能量之间的配体，该配体可以作为三线态激子的转移媒介，实现三线态激子从主体材料向量子点的有效转移，能够提高量子点获取主体材料的三线态激子的效率，提高器件的发光效率。提高器件的发光效率。提高器件的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法、发光装置
[0001]本专利技术涉及显示和照明
，特别是涉及一种量子点发光器件及其制备方法、发光装置。
技术介绍
[0002]由于量子点具有独特的光学性质，例如发光波长随量子点的尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，因此，基于量子点的电致发光器件(QLED)在显示领域得到了广泛的关注和研究。同时，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD(液晶显示器)所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。然而，相关技术中的QLED存在电子过量问题，以及由此引发的量子点俄歇复合、空穴传输层衰退等不利结果，制约着QLED的稳定性和寿命。
[0003]因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要提供一种量子点发光器件，能够提高量子点获取主体材料的三线态激子的效率，提高器件发光效率。
[0005]一种量子点发光器件，具有量子点发光层，所述量子点发光层中包括主体材料和客体材料；
[0006]其中，所述主体材料用于向所述客体材料传递激子，所述客体材料包括量子点和设置在所述量子点表面的配体，所述配体的三线态激子能量小于所述主体材料的三线态激子能量，且大于所述量子点的激子能量。
[0007]上述量子点发光器件，基于能量转移原理，所述主体材料主要用于通过所述主体材料的三线态激子向所述客体材料传递激子，所述客体材料作为发光客体，并且量子点的表面结合有三线态激子能量介于主体材料的三线态激子能量和量子点的激子能量之间的配体，该配体适于获取主体材料的三线态激子能量，并将该能量传递给量子点，可以作为三线态激子的转移媒介，实现三线态激子从主体材料向量子点的有效转移，能够提高量子点获取主体材料的三线态激子的效率，进而提高器件的发光效率。
[0008]在其中一个实施例中，所述配体选自芘羧酸(PCA，1-pyrenecarboxylic acid)和萘羧酸(NCA，1-naphthalene carboxylic acid)中的至少一种。
[0009]如此，选用上述符合激子能量要求且含有羧酸官能团的配体，一方面易于通过配体置换的方式键合到量子点表面，另一方面利于实现主体材料的三线态激子能量转移到量子点。
[0010]在其中一个实施例中，所述主体材料包括有机半导体材料，所述有机半导体材料选自p型有机半导体材料和n型有机半导体材料中的至少一种。
[0011]在其中一个实施例中，所述p型有机半导体材料选自CBP(4，4
’-
二(9-咔唑)联苯)、TCTA(4，4'，4
”-
三(咔唑-9-基)三苯胺)、mCP(3，5-N，N
’-
二咔唑苯)和TAPC(4，4'-环己基二
[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺])中的至少一种；所述n型有机半导体材料选自Bepp2(吩基吡啶铍)、TPBi(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、BTPS(5'，5
”-
磺酰基-双(1，1':3'，1
”-
三联苯基))、TmPyPb(3，3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1，1':3'，1
”-
三联苯]-3，3
”-
二基]二吡啶)和3TPYMB(三[2，4，6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷)中的至少一种。
[0012]在其中一个实施例中，所述量子点发光层中还包括磷光材料，所述磷光材料的三线态激子能量小于所述主体材料的三线态激子能量，且所述磷光分子的三线态激子能量大于所述配体的三线态激子能量。
[0013]如此，在量子点发光层中加入上述磷光材料，作为敏化剂，可将主体材料多余的能量传递给量子点，进一步提高量子点发光效率。
[0014]在其中一个实施例中，所述磷光材料选自Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合铱)、Firpic(双(4，6-二氟苯基吡啶-N,C2')吡啶甲酰合铱)和BCzVBi(4，4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-联苯)中的至少一种。
[0015]在其中一个实施例中，所述主体材料为TAPC，所述配体为NCA，所述量子点为ZnCdSeS/ZnS或CdSe/CdS；或
[0016]所述主体材料为TCTA，所述配体为PCA，所述量子点为CdSe/ZnSe；或
[0017]所述主体材料为TAPC和BCzVBi的混合物，所述配体为NCA，所述量子点为ZnCdSeS/ZnS；或
[0018]所述主体材料为TmPyPb，所述配体为NCA，所述量子点为ZnCdSeS/ZnS或CdSe/CdS；或
[0019]所述主体材料为3TPYMB和BCzVBi的混合物，所述配体为NCA，所述量子点为ZnCdSeS/ZnS或CdSe/CdS。
[0020]值得说明的是，所述量子点为ZnCdSeS/ZnS，表示量子点为ZnCdSeS/ZnS的核壳纳米结构材料，其中ZnCdSeS为核、ZnS为壳；配体设置在核壳结构量子点的表面。
[0021]上述量子点发光层的各材料组合，能够很好的提高器件的发光效率。
[0022]在其中一个实施例中，所述客体材料在所述量子点发光层中所占的摩尔分数为5％～20％。
[0023]在其中一个实施例中，在所述量子点发光层中，所述主体材料和所述客体材料是相互混合的。
[0024]本专利技术另一目的在于提供一种量子点发光器件的制备方法，包括形成量子点发光层的步骤，形成所述量子点发光层的材料包括主体材料和客体材料；
[0025]其中，所述主体材料用于向所述客体材料传递激子，所述客体材料包括量子点和设置在所述量子点表面的配体，所述配体的三线态激子能量小于所述主体材料的三线态激子能量，且大于所述量子点的激子能量。
[0026]上述制备方法操作简单，便于实现，通过该方法制备得到的量子点发光器件的发光效率高。
[0027]在其中一个实施例中，在所述形成量子点发光层的步骤之前，还包括获取包含所述主体材料和所述客体材料的混合溶液的步骤；
[0028]沉积所述混合溶液，形成所述量子点发光层。
[0029]在其中一个实施例中，所述制备方法还包括形成电子传输层或空穴传输层的步
骤；
[0030]将所述混合溶液沉积在所述电子传输层或所述空穴传输层上，形成量子点发光层。
[0031]本专利技术又一目的在于提供一种发光装置，该发光装置包括上述的量子点发光器件，或采用上述方法制备得到的量子点发光器件。
[0032]值得说明的是，该发光装置可以为显示装置或照明装置。
[0033]包括上述量子点发光器件的显示装置或照明装置的发光性能能够得到提高。
附图说明
[0034]图1为本专利技术一实施例的量子点发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0035]为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，具有量子点发光层，所述量子点发光层中包括主体材料和客体材料；其中，所述主体材料用于向所述客体材料传递激子，所述客体材料包括量子点和设置在所述量子点的表面的配体，所述配体的三线态激子能量小于所述主体材料的三线态激子能量，且大于所述量子点的激子能量。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体选自芘羧酸和萘羧酸中的至少一种。3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层中还包括磷光材料，所述磷光材料的三线态激子能量小于所述主体材料的三线态激子能量，且所述磷光材料的三线态激子能量大于所述配体的三线态激子能量。4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述磷光材料选自Ir(ppy)3、Firpic和BCzVBi中的至少一种。5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述主体材料为TAPC，所述配体为NCA，所述量子点为ZnCdSeS/ZnS或CdSe/CdS；或所述主体材料为TCTA，所述配体为PCA，所述量子点为CdSe/ZnSe；或所述主体材料为TAPC和BCzVBi的混合物，所述配体为NCA，所述量子点为ZnCdSeS/ZnS；或所述主体材料为TmPyPb，所述配体为N...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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