【技术实现步骤摘要】
存储装置和存储系统的操作方法
[0001]本申请要求于2019年8月2日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0094253号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开通过引用整体包含于此。
[0002]专利技术构思的示例性实施例涉及半导体存储器,更具体地,涉及存储装置、包括该存储装置的存储系统的操作方法和控制该存储装置的主机装置。
技术介绍
[0003]半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在装置被供电时保持其数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储器装置在失去电力时不丢失数据。非易失性存储器装置的示例包括闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。
[0004]闪存装置越来越多地被用作计算装置中的大容量存储介质。正在开发用于支持闪存装置的高速操作的各种技术。例如,由JEDEC标准定义的通用闪存(UFS)接口可比基于常规闪存的存储装置支持更高的操作速度。
技术实现思路
[0005]根据专利技术构思的示例性实施例,提供了一种存储装置,所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括第一区域、第二区域和第三区域;和控制器,被配置为:从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令,响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据,并将第一数据存储在非易失性存储器装置中,其中,当第一写入命令包括区域信息时,控制器基于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置,包括:非易失性存储器装置,包括第一区域、第二区域和第三区域;和控制器,被配置为:从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令,响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据,并将第一数据存储在非易失性存储器装置中,其中,当第一写入命令包括区域信息时,控制器基于区域信息将第一数据存储在第一区域和第二区域中的一个中,其中,当第一写入命令不包括区域信息时,控制器将第一数据存储在第三区域中,其中,第一区域和第二区域中的每个包括均被配置为存储“n”个比特的存储器单元,并且第三区域包括均被配置为存储“m”个比特的存储器单元,n为正整数,m为大于n的正整数。2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,控制器还被配置为:响应于来自主机装置的冲刷请求,将存储在第二区域中的数据冲刷到第三区域;并且根据冲刷策略将存储在第一区域中的数据冲刷到第三区域。3.根据权利要求2所述的存储装置,其中,控制器还被配置为响应于来自主机装置的turbo写入功能启用请求而启用或禁用turbo写入功能。4.根据权利要求3所述的存储装置,其中,冲刷请求或turbo写入功能启用请求通过查询请求通用闪存协议信息单元UPIU从主机装置接收。5.根据权利要求3所述的存储装置,其中,当turbo写入功能被禁用并且第一写入命令包括区域信息时,控制器将第一数据存储在第三区域中。6.根据权利要求3所述的存储装置,其中,当turbo写入功能被启用并且第一写入命令不包括区域信息时,控制器将第一数据存储在第二区域中。7.根据权利要求1所述的存储装置,其中,第一写入命令是包括第一写入命令描述符块的命令通用闪存协议信息单元UPIU。8.根据权利要求7所述的存储装置,其中,区域信息包括在命令UPIU的“标志”字段中。9.根据权利要求7所述的存储装置,其中,区域信息包括在第一写入命令描述符块的“组号”字段中。10.根据权利要求1所述的存储装置,其中,控制器将准备传送RTT通用闪存协议信息单元UPIU传送到主机装置,并且从主机装置接收包括第一数据的DATA OUT UPIU。11.根据权利要求1所述的存储装置,其中,控制器还被配置为:从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一读取命令;当第一数据存在于第一区域或第二区域中时,通过对第一区域或第二区域执行第一读取操作来读取第一数据,当第一数据存在于第三区域中时,通过对第三区域执行第二读取操作来读取第一数据;并且通过DATA IN通用闪存协议信息单元UPIU将读取的第一数据传送到主机装置,并且其中,第一读取操作比第二读取操作快。12.一种存储装置,包括:非易失性存储器装置,包括第一区域、第二区域和第三区域;和控制器,被配置为:从主机装置接收包括第一逻辑块地址范围和第一范围区域信息的第一命令,并且响应于第一命令,将第一区域、第二区域和第三区域之中的与第一范围区域
信息对应的区域分配给第一逻辑块地址范围,其中,控制器还被配置为从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令,并且将与第一逻辑块地址对应的第一数据存储在分配的区域中,以及其中,第一逻辑块地址包括在第一逻辑块地址范围中。13.根据权利要求12所述的存储装置,其中,第一区域和第二区域中的每个包括均被配置为存储“n”个比特的存储器单元,并且第三区域包括均被配置为存储“m”个比特的存储器单元,n为正整数,m为大于n的正整数。14.根据权利要求13所述的存储装置,其中,控制器还被配置为:响应于来自主机装置的冲刷请求,将存储在第二区域中的数据冲刷到第三区域;并且根据冲刷策略将存储在第一区域中的数据冲刷到第三区域。15.根据权利要求12所述的存储装置,其中,第一命令...
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