一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺制造技术

本发明专利技术提供一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺，包括：S1粘棒；S2上料；S3切割：硅棒下移依次为第一阶段、第二阶段、第三阶段、第四阶段和第五阶段；在切割过程中，硅棒的进给速度从第一阶段到第三阶段依次增加，从第三阶段到第五阶段依次降低，且在第一阶段的进给速度不小于第五阶段的进给速度，第二阶段的进给速度与第四阶段的进给速度相同；切割线在第一阶段的用线比大于第五阶段的用线比，第二阶段的用线比大于第四阶段的用线比，且第二阶段、第三阶段和第四阶段的用线比均大于85％；S4下料；S5脱胶。本发明专利技术不仅解决了粘胶面崩损的问题，还可获得平整度较好且粗糙度较小的大尺寸硅片，保证硅片厚度均匀。保证硅片厚度均匀。保证硅片厚度均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺


[0001]本专利技术属于太阳能硅片金刚石线切割
，尤其是涉及一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺。

技术介绍

[0002]目前太阳能用硅片市场中，常规硅片边长为156.75mm或161.75mm，而随着电池端技术进步与市场需求的推动，对硅片单位面积发电量有了更高要求，进而大尺寸硅片应运而生，硅片边长增加到166mm。这样对大尺寸硅片的切割因其尺寸的变大，使得金刚石切割线随着硅棒切割深度的增大而用线量增加，硅片之间的摩擦力增加，使得后续金刚石切割线的切割能力不足，会造成粘胶面崩损严重。同时由于硅棒宽度方向尺寸的加宽，使得左右主辊间的宽度增加，相应地金刚石切割线在切割过程中出现抖动比较严重，使得切割后的硅片平整度变化大且表面粗糙度较大，在入刀段和收刀段硅片厚度不均匀。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的问题是提供一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺，尤其是适用于大尺寸硅片的切割，不仅可去解决粘胶面崩损的问题，而且还可获得平整度较好且粗糙度较小的大尺寸硅片，保证入刀段和收刀段硅片薄厚均匀。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
[0005]一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺，包括以下步骤：
[0006]S1：粘棒：包括料座、树脂板和硅棒，将所述树脂板粘接所述料座上，再将所述硅棒粘接到所述树脂板上；
[0007]S2：上料：将所述粘棒工装运送至切割机的切割室内，使所述料座上的燕尾槽与切割室内安装座相固定；
>[0008]S3：切割：所述硅棒位于切割线网正上方一定位置处，通过外接控制器控制所述硅棒逐步向下移动，所述硅棒下移位置分为五个阶段，依次为第一阶段的入刀段、第二阶段的提速段、第三阶段的稳定段、第四阶段的降速段和第五阶段的收刀段；在切割过程中，每一阶段均包括控制所述硅棒下移的进给速度，同时控制所述切割线正反方向交替直线运动的用线比；
[0009]所述硅棒的进给速度从所述第一阶段到所述第三阶段依次增加，从所述第三阶段到所述第五阶段依次降低，且在所述第一阶段的进给速度不小于所述第五阶段的进给速度，所述第二阶段的进给速度与所述第四阶段的进给速度相同；
[0010]所述切割线在所述第一阶段的用线比大于所述第五阶段的用线比，所述第二阶段的用线比大于所述第四阶段的用线比，且所述第二阶段、所述第三阶段和所述第四阶段的用线比均大于85％；
[0011]S4：下料：切割完毕后，将硅片放入接料架中，在所述接料架的档杆两侧及所述接料架下端面均设有防护材料；
[0012]S5：脱胶：将所述硅片与所述树脂板分离、所述树脂板与所述料座分离。
[0013]进一步的，所述硅棒在所述第一阶段下移长度为3-5mm；所述硅棒在所述第五阶段下移长度为3-5mm。
[0014]进一步的，所述S3中，在所述第一阶段中，所述硅棒的进给速度为1.0-1.5mm/min；在所述第二阶段中，所述硅棒的进给速度为1.5-1.8mm/min；在所述第三阶段中，所述硅棒的进给速度为2.3-2.5mm/min；在所述第五阶段中，所述硅棒的进给速度为从1.5mm/min逐渐降低为0.3mm/min。
[0015]进一步的，所述切割线在所述第一阶段的用线比为80-85％，在所述第二阶段中的用线比为85-90％，在所述第五阶段的用线比为70-75％。
[0016]进一步的，在所述第三阶段中的用线比为100％，且所述切割张力最大为8.0N-10N。
[0017]进一步的，在整个所述切割过程中，所述切割线运行速度为800-2000m/min；其中所述切割线运行速度在所述第一阶段中为1000-1200m/min，在所述第三阶段中为1500-1800m/min。
[0018]进一步的，在所述S3过程中，还包括冷却过程，通过设置在所述切割线网两侧的喷管溢流装置对所述硅片喷洒冷却液，所述冷却液流量为150-280L/min，所述冷却液温度范围为16-20℃。
[0019]进一步的，在所述第一阶段中的所述冷却液流量最小为150-170L/min；在所述第五阶段中的所述冷却液流量最大为240-280。
[0020]进一步的，所述切割线直径不大于60mm，所述切割线颗粒度为是8.0-9.2um；所述硅棒边长尺寸为166-230mm。
[0021]进一步的，所述切割线直径为60mm，所述切割线颗粒度为是9.2um；所述硅棒边长尺寸为200mm。
[0022]采用本专利技术设计的切割工艺，解决了现有技术中硅片靠近粘胶面处容易崩损的技术问题，同时也解决了在第一阶段的入刀段和第五阶段的收刀段硅片薄厚不均匀的技术问题；可获得平整度较好且粗糙度较小的大尺寸硅片。
附图说明
[0023]图1是本专利技术一实施例的一种太阳能用大尺寸硅片的切割时的结构示意图；
[0024]图2是本专利技术一实施例的硅棒下行移动的位置阶段图；
[0025]图3是本专利技术一实施例的下料时接料架的结构示意图。
[0026]图中：
[0027]10、硅棒
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20、树脂板
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30、料座
[0028]40、喷管
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51、进线棍
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52、回线棍
[0029]60、切割线
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70、碎片槽
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80、档杆
[0030]90、硅胶档杆
具体实施方式
[0031]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。
[0032]一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺，包括以下步骤：
[0033]S1：粘棒：包括料座30、树脂板20和硅棒10，用环氧树脂AB胶将树脂板20粘接到料座30上固化10-20min，再将硅棒10粘接到树脂板20上固化2-3h，粘接关系如图1所示，其中，硅棒10的边长尺寸为166-230mm，优选地，硅棒10的边长尺寸为200mm。
[0034]S2：上料：将粘棒后的工装通过上料小车运送至切割机的切割室内，使料座30上的燕尾槽与切割室内安装座相固定(图省略)，其中硅棒10的位置朝向如图1所示，使硅棒10位于切割线网的正上方的位置处，同时保证进线棍51和回线棍52均匀绕设切割线网。切割线60的直径不大于60mm，且切割线60上表面裹附的金属颗粒的颗粒度为是8.0-9.2um，优选地，切割线60的直径为60mm，金属颗粒的颗粒度为是9.2um，单位面积的金属颗粒数为130-150个/mm。
[0035]S3：切割：以切割线60所在位置为基准，是主切位置，硅棒10标准对位的位置设置在切割线网的正上方0.5mm的位置处，即处于主切位置的-0.5mm处，硅棒10通过外接控制器控制其逐步向下移动，切割线60正反方向交替直线移动对所述硅棒进行切割，所硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：粘棒：包括料座、树脂板和硅棒，将所述树脂板粘接所述料座上，再将所述硅棒粘接到所述树脂板上；S2：上料：将所述粘棒工装运送至切割机的切割室内，使所述料座上的燕尾槽与切割室内安装座相固定；S3：切割：所述硅棒位于切割线网正上方一定位置处，通过外接控制器控制所述硅棒逐步向下移动，所述硅棒下移位置分为五个阶段，依次为第一阶段的入刀段、第二阶段的提速段、第三阶段的稳定段、第四阶段的降速段和第五阶段的收刀段；在切割过程中，每一阶段均包括控制所述硅棒下移的进给速度，同时控制所述切割线正反方向交替直线运动的用线比；所述硅棒的进给速度从所述第一阶段到所述第三阶段依次增加，从所述第三阶段到所述第五阶段依次降低，且在所述第一阶段的进给速度不小于所述第五阶段的进给速度，所述第二阶段的进给速度与所述第四阶段的进给速度相同；所述切割线在所述第一阶段的用线比大于所述第五阶段的用线比，所述第二阶段的用线比大于所述第四阶段的用线比，且所述第二阶段、所述第三阶段和所述第四阶段的用线比均大于85％；S4：下料：切割完毕后，将硅片放入接料架中，在所述接料架的档杆两侧及所述接料架下端面均设有防护材料；S5：脱胶：将所述硅片与所述树脂板分离、所述树脂板与所述料座分离。2.根据权利要求1所述的一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺，其特征在于，所述硅棒在所述第一阶段下移长度为3-5mm；所述硅棒在所述第五阶段下移长度为3-5mm。3.根据权利要求2所述的一种太阳能用大尺寸硅片的切割工艺，其特征在于，所述S3中，在所述第一阶段中，所述硅棒的进给速度为1.0-1.5mm/min；在所述第二阶段中，所述硅棒的进给速度为1.5-1.8mm/min；在所述第三阶段中，所述硅棒的进给速度为2.3-2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊文，崔伟，王冬雪，赵越，刘晓伟，危晨，范猛，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：