一种曲面光伏组件及其制备方法技术

本申请公开了一种曲面光伏组件及其制备方法，所述制备方法采用两步法进行，先将曲面光伏组件放置在真空密封腔体内进行升温，抽真空，在真空密封腔体中，不给曲面光伏组件施加压力或者施加一个很小的压力，使胶膜在硅基太阳能电池芯片周围包裹形成一层保护膜，然后将其转移至加压密封腔体中，加热，再通过通入气体至加压密封腔体对曲面光伏组件进行加压，使曲面光伏组件受力均匀，进而避免了硅基太阳能电池芯片破裂，提高曲面光伏组件的良率。提高曲面光伏组件的良率。提高曲面光伏组件的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种曲面光伏组件及其制备方法


[0001]本申请涉及光伏电池
，尤其涉及以一种曲面光伏组件及其制备方法。

技术介绍

[0002]光伏组件是实现太阳能转化为电能的核心部件，目前市场上的光伏组件大多是平板光伏组件，但是，平板光伏组件不能直接应用到波浪形结构的传统屋瓦建筑上，因此，曲面光伏组件随之产生，曲面光伏组件的整体呈波浪形结构，可与传统屋瓦建筑紧密结合，实现光伏建筑一体化。
[0003]曲面光伏组件的结构包括：电池片、保护件和粘合剂，其中，电池片为柔性薄膜太阳能芯片或硅基太阳能电池芯片；曲面光伏组件的制备工艺为：将保护件、粘合剂和电池片依次按顺序叠放，并置于真空袋中，通过对真空袋抽真空并加热加压，使电池片和保护件通过粘合剂固定连接，冷却后从真空袋中取出曲面光伏组件。
[0004]但是，专利技术人在本申请的研究过程中发现，当电池片为硅基太阳能电池芯片时，由于硅基底类芯片非常脆，因此，在制备曲面光伏组件时，直接施加压力给曲面光伏组件，会出现硅基底芯片裂片的问题，进而导致曲面光伏组件的良率低。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种曲面光伏组件及其制备方法，以解决在制备曲面光伏组件时，直接施加压力给曲面光伏组件，会出现硅基底芯片裂片，进而导致曲面光伏组件的良率低这一问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种曲面光伏组件，包括：从上至下依次叠合固定的第一保护层、硅基太阳能电池芯片和第二保护层；
[0007]所述第一保护层、硅基太阳能电池芯片和第二保护层均为波浪状结构，且所述第一保护层与所述硅基太阳能电池芯片，以及所述硅基太阳能电池芯片与所述第二保护层之间相互贴合；
[0008]所述第一保护层为硬质透明材料；
[0009]所述第二保护层为硬质材料，所述第二保护层用于保护所述硅基太阳能电池芯片，以及便于将曲面光伏组件安装在建筑上；
[0010]所述第一保护层与硅基太阳能电池芯片之间，以及，所述硅基太阳能电池芯片与第二保护层之间均设置有胶膜，所述胶膜为EVA、POE、TPO或PVB胶膜，所述胶膜用于在受热条件下发生变形，贴合于所述硅基太阳能电池片的表面，缓解所述第一保护层和/或所述第二保护层对所述硅基太阳能电池片的挤压作用；所述胶膜还用于将所述第一保护层和/或所述第二保护层固定于所述硅基太阳能电池芯片的表面。
[0011]结合第一方面，在一种实现方式中，所述第一保护层与第二保护层的间距小于或等于0.6mm。
[0012]结合第一方面，在一种实现方式中，所述第一保护层为透明玻璃；第二保护层的材
质为玻璃或玻璃钢。
[0013]第二方面，本申请实施例部分提供了一种曲面光伏组件的制备方法，所述制备方法用于制备第一方面任一项所述的曲面光伏组件，所述制备方法包括：
[0014]步骤S1，将第一保护层、硅基太阳能电池芯片和第二保护层按顺序依次叠合，在硅基太阳能电池芯片的上下表面均放置胶膜，形成叠合的曲面光伏组件，其中，所述胶膜的厚度大于或等于0.3mm；
[0015]步骤S2，将叠合的曲面光伏组件置于真空密封腔体中，在真空度小于或等于60pa的条件下，加热所述真空密封腔体至90-170℃，温度保持10-15min；
[0016]步骤S3，在温度保持10-15min后，对所述第一保护层和第二保护层施加0-0.15kg/cm2的压力，压力保持5-15min后，形成初步固定的曲面光伏组件；
[0017]步骤S4，从所述真空密封腔体中取出初步固定的曲面光伏组件，放置于加压密封腔体，向所述加压密封腔体中通入气体，使所述加压密封腔体的压力大于或等于0.05Mpa，加热所述加压密封腔体至90-170℃，压力和温度保持10-60min；
[0018]步骤S5，压力和温度保持10-60min后，保持压力的同时降温，待曲面光伏组件冷却至胶膜熔点温度后泄压，取出，即获得曲面光伏组件。
[0019]结合第二方面，在一种实现方式中，步骤S2中，所述真空密封腔体的加热温度为160℃。
[0020]结合第二方面，在一种实现方式中，步骤S3中，对所述第一保护层和第二保护层施加的压力为0.03kg/cm2。
[0021]结合第二方面，在一种实现方式中，步骤S3中，所述压力保持的时间为10min。
[0022]结合第二方面，在一种实现方式中，步骤S4中，所述加压密封腔体的加热温度为135℃。
[0023]结合第二方面，在一种实现方式中，步骤S4中，压力和温度保持的时间为30min。
[0024]本申请公开的一种曲面光伏组件及其制备方法，所述制备方法采用两步法进行，先将曲面光伏组件放置在真空密封腔体内进行升温，抽真空，在真空密封腔体中，不给曲面光伏组件施加压力或者施加一个很小的压力，使得胶膜在硅基太阳能电池芯片周围包裹形成一层保护膜，然后将其转移至加压密封腔体中，加热，再通过通入气体至加压密封腔体对曲面光伏组件进行加压，使曲面光伏组件受力均匀，进而避免了硅基太阳能电池芯片破裂，提高曲面光伏组件的良率。
[0025]进一步地，本申请的制备工艺中不需要使用大量的真空袋，降低成本。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本申请实施例提供的一种曲面光伏组件的结构示意图；
[0028]图2是本申请实施例提供的一种曲面光伏组件的制备方法的流程示意图。
[0029]其中，101-第一保护层；102-硅基太阳能电池芯片；103-第二保护层；104-胶膜。
具体实施方式
[0030]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
[0031]本申请公开一种曲面光伏组件及其制备方法，以解决在制备曲面光伏组件时，直接施加压力给曲面光伏组件，会出现硅基底芯片裂片，进而导致曲面光伏组件的良率低这一问题。
[0032]参照图1，示出了一种曲面光伏组件，包括从上至下依次叠合固定的第一保护层101、硅基太阳能电池芯片102和第二保护层103；
[0033]所述第一保护层101、硅基太阳能电池芯片102和第二保护层103均为波浪状结构，且所述第一保护层101与所述硅基太阳能电池芯片102，以及所述硅基太阳能电池芯片102与所述第二保护层103之间相互贴合；
[0034]其中，所述第一保护层101、硅基太阳能电池芯片102和第二保护层103叠放时相互贴合，且其起伏弧度一致，保证了吻合度，提高曲面光伏组件的良率。
[0035]所述第一保护层101为硬质透明材料；
[0036]可选地，所述第一保护层101为透明玻璃，也可以是其他材质的硬质透明材料，本申请不做具体限定。
[0037]该结构中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曲面光伏组件，其特征在于，包括从上至下依次叠合固定的第一保护层、硅基太阳能电池芯片和第二保护层；所述第一保护层、硅基太阳能电池芯片和第二保护层均为波浪状结构，且所述第一保护层与所述硅基太阳能电池芯片，以及所述硅基太阳能电池芯片与所述第二保护层之间相互贴合；所述第一保护层为硬质透明材料；所述第二保护层为硬质材料，所述第二保护层用于保护所述硅基太阳能电池芯片，以及便于将曲面光伏组件安装在建筑上；所述第一保护层与硅基太阳能电池芯片之间，以及，所述硅基太阳能电池芯片与第二保护层之间均设置有胶膜，所述胶膜为EVA、POE、TPO或PVB胶膜，所述胶膜用于在受热条件下发生变形，贴合于所述硅基太阳能电池片的表面，缓解所述第一保护层和/或所述第二保护层对所述硅基太阳能电池片的挤压作用；所述胶膜还用于将所述第一保护层和/或所述第二保护层固定于所述硅基太阳能电池芯片的表面。2.根据权利要求1所述的曲面光伏组件，其特征在于，所述第一保护层与第二保护层的间距小于或等于0.6mm。3.根据权利要求1所述的曲面光伏组件，其特征在于，所述第一保护层为透明玻璃；第二保护层的材质为玻璃或玻璃钢。4.一种曲面光伏组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1至3中任一项所述的曲面光伏组件，所述制备方法包括：步骤S1，将第一保护层、硅基太阳能电池芯片和第二保护层按顺序依次叠合，在硅基太阳能电池芯片的上下表面均放置胶膜，形成叠合的曲面光...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴晓，王国栋，张力，
申请(专利权)人：常州富工机械设备有限公司，
类型：发明
国别省市：