【技术实现步骤摘要】
一种用于5G通讯中的功率放大器
[0001]本专利技术涉及一种功率放大器，特别是涉及一种用于5G通讯中的功率放大器，属于射频电路设计领域。
技术介绍
[0002]功率放大器广泛地应用在各种通讯系统中，包括4G通讯和5G通讯，5G通讯会功率放大器的要求将进一步提高。功率放大器的工作状态往往由偏置电路决定，因而偏置电路特性的好坏直接影响功率放大器的性能，因为当偏置电流随偏置电压或温度发生变化时，功率放大器的工作状态也将跟随发生变化，因而功率放大器的性能也将随之发生变化，特别是低温低压时，偏置电路引起功率放大器性能的恶化尤为明显。因而需要一个偏置电压能补偿温度变化的偏置电路来给功率放大器提供偏置，以保证实际环境中功率放大器能稳定工作。
[0003]在传统的功率放大器偏置电路设计中，经常采用简易的方法来产生功率放大器需要的偏置电压，这样在温度发生变化时，偏置电压也会跟随一起变化，偏置电压变化也就影响到偏置电流，这样射频晶体管的偏置电流造成的集电极电流相对变化量将可能达到50%。所以功率放大器的性能与其偏置电压有很大关系，但传...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于5G通讯中的功率放大器，至少包括功率放大器模块，偏置电压产生模块，偏置电压调整模块和直流滤波模块，其中功率放大器模块由第一电感L1、第二电感L2、第一电容C1、第二电容C2、第一三极管Q1、输入信号端RFIN、输出信号端RFOUT和电源电压RFVDD组成，偏置电压产生模块由第一MOS管PM1、第一运放运放1、第三电感L3、第四电感L4、第三电容C3、第四电容C4、第六电容C6和参考电压输入端VREF组成，偏置电压调整模块由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第一开关K1组成，直流滤波模块由第五电容C5和第五电感L5组成；其中第一三极管Q1基极分别与第一电容C1一端和第五电感L5一端相连接，第一三极管Q1发射极接地，第一三极管Q1集电极和第二电感L2一端相连，同时也和第二电容C2一端相连接，第二电感另外一端和RFVDD相连，第二电容C2另外一端连接至输出端RFOUT，第一电容C1的另外一端和第一电感L1一端连接在一起并连接至输入端RFIN...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，
申请(专利权)人：杭州灵芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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