微型发光二极管制造技术

本发明专利技术的实施例提供一种微型发光二极管，包括：第一型半导体层，第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；发光层，设置于第一型半导体层之上；第一型电极，设置于第一型半导体层之上；第二型半导体层，设置于发光层之上，第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，第二型掺杂类型与第一型掺杂类型不同；第二型电极，设置于第二半导体层之上；以及阻挡层，设置于第一型半导体层下方且远离第一型电极及第二型电极，其中阻挡层包括掺杂区，掺杂区的掺杂类型是第二型掺杂类型。掺杂类型是第二型掺杂类型。掺杂类型是第二型掺杂类型。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管


[0001]本专利技术涉及一种半导体组件，尤其涉及一种微型发光二极管。

技术介绍

[0002]随着光电科技的进步，许多光电组件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(light-emitting diode,LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以数组排列制作的微型发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动式微型发光二极管显示器，其除了相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器而言更为省电以外，也具备更佳优异的对比度表现，而可以在阳光下具有可视性。此外，由于微型发光二极管显示器采用无机材料，因此其相较于有机发光二极管显示器而言具备更佳优良的可靠性以及更长的使用寿命。
[0003]微型发光二极管显示器所使用的微型发光二极管的出光效率(light extraction efficiency)会影响到微型发光二极管显示器的整体性质，为增加出光效率，多在出光表面进行粗化，但微型发光二极管相较于现有的发光二极管尺寸更微缩，因此在粗化的过程中，表面的缺陷密度也会因此大幅增加，影响微型发光二极管良率。有鉴于此，如何增加微型发光二极管的出光效率一直是本领域技术人员努力的方向之一。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一些实施例提供一种微型发光二极管，包括：第一型半导体层，第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；发光层，设置于第一型半导体层之上；第一型电极，设置于第一型半导体层之上；第二型半导体层，设置于发光层之上，第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，第二型掺杂类型与第一型掺杂类型不同；第二型电极，设置于第二半导体层之上；以及阻挡层，设置于第一型半导体层下方且远离第一型电极及第二型电极，其中阻挡层包括掺杂区，掺杂区的掺杂类型是第二型掺杂类型。
[0005]本专利技术的一些实施例提供一种微型发光二极管，包括：型半导体层，第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；发光层，设置于第一型半导体层之上；第一型电极，设置于第一型半导体层之上；第二型半导体层，设置于发光层之上，第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，第二型掺杂类型与第一型掺杂类型不同；第二型电极，设置于第二型半导体层之上；以及阻挡层，设置于第一型半导体层下方且远离第一型电极及第二型电极，其中阻挡层包括掺杂区，掺杂区的掺杂类型是第一掺杂类型或第二掺杂类型且掺杂浓度小于1
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附图说明
[0006]以下将配合附图详述本专利技术的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本专利技术的特征。
[0007]图1A及图1B为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
[0008]图2A及图2B为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
[0009]图3A及图3B为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
[0010]图4为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
[0011]图5为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
[0012]图6为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
[0013]图7为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图。
[0014]附图标号说明说明：
[0015]12:第一型半导体层
[0016]14:第二型半导体层
[0017]16:第三型半导体层
[0018]16a:第三型半导体层(第二阻挡层)
[0019]18:第四型半导体层
[0020]20:发光层
[0021]22,22i,22m:第一阻挡层
[0022]24:绝缘层
[0023]26:第一型电极
[0024]28:第二型电极
[0025]30:凹陷结构
[0026]32:阻挡区
[0027]34:绝缘区
[0028]100,200,300,400,500,600:微型发光二极管
[0029]L0:深度
[0030]L1,L2,L3,L4,L5:厚度
具体实施方式
[0031]以下针对本专利技术的显示设备作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本专利技术的不同实施例。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单描述本专利技术。当然，这些仅用以举例而非本专利技术的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例和/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
[0032]必需了解的是，为特别描述或图标的组件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。
[0033]另外，本专利技术实施例可能在许多范例中重复组件符号和/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的，其本身并非代表所讨论各种实施例和/或配置之间有特定的关系。以下描述实施例的一些变化。在不同附图和说明的实施例中，相似的组件符号被用来标示相似
的组件。
[0034]且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各组件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未示出或描述的组件，为所属
中技术人员所知的形式，此外，特定的实施例仅为揭示本专利技术使用的特定方式，其并非用以限定本专利技术。
[0035]此外，其中可能用到与空间相对用词，例如“在......下方”、“下方”、“较低的”、“在......上方”、“上方”等类似用词，是为了便于描述附图中一个(些)部件或特征与另一个(些)部件或特征之间的关系。空间相对用词用以包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。
[0036]此处所使用的用语“约”、“近似”等类似用语描述数字或数字范围时，该用语意欲涵盖的数值是在合理范围内包含所描述的数字，例如在所描述的数字的+/-10％之内，或本专利技术所属
中技术人员理解的其他数值。例如，用语“约5nm”涵盖从4.5nm至5.5nm的尺寸范围。
[0037]再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如”第一”、”第二”、”第三”等的用词，以修饰权利要求的组件，其本身并不意含及代表该请求组件有任何的前的序数，也不代表某一请求组件与另一请求组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求组件得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管，包括：第一型半导体层，所述第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；发光层，设置于所述第一型半导体层之上；第一型电极，设置于所述第一型半导体层之上；第二型半导体层，设置于所述发光层之上，所述第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，所述第二型掺杂类型与所述第一型掺杂类型不同；第二型电极，设置于所述第二型半导体层之上；以及阻挡层，设置于所述第一型半导体层下方且远离所述第一型电极及所述第二型电极，其中所述阻挡层包括掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型是所述第二型掺杂类型。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述阻挡层的下表面具有粗化结构。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其中所述粗化结构包括至少一凹陷结构，所述凹陷结构自所述下表面朝上方凹陷至所述阻挡层的内部，所述阻挡层的厚度是第一厚度，所述凹陷结构的深度是第一深度，所述第一深度小于或等于所述第一厚度。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，还包第三型半导体层，设置于所述阻挡层下方，所述第三型半导体层的掺杂类型是所述第一型掺杂类型或所述第二型掺杂类型。5.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的掺杂类型与所述第一型半导体层的掺杂类型相同。6.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的掺杂浓度大于所述第一型半导体层的掺杂浓度。7.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的下表面具有粗化结构。8.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的厚度是第一厚度，所述第一型半导体层、所述阻挡层及所述第三型半导体层的总厚度是第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度的比值大于90％。9.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第一型半导体层的厚度大于50nm且小于等于4μm，所述第三型半导体层的厚度小于4μm，所述阻挡层的厚度小于1μm，所述掺杂区的掺杂浓度介于1
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【专利技术属性】
技术研发人员：曾彦钧，林子旸，吴俊德，陈飞宏，史诒君，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：