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具有抗菌功能的高疏水性碘掺杂ZnO复合薄膜的制备方法技术

技术编号:27203469 阅读:32 留言:0更新日期:2021-01-31 12:19
本发明专利技术公开了一种具有抗菌功能的高疏水性碘掺杂ZnO复合薄膜的制备方法,属于材料合成技术领域,其是先以醋酸锌、乙二醇甲醚、二乙醇胺为原料配成种子液,在基底材料表面镀上氧化锌种子层,再采用HIO3、硝酸锌和六次甲基四胺为原料配成生长液,再将表面镀有氧化锌种子层的基底材料浸渍在生长液中,原位生长数小时后得到碘掺杂氧化锌复合薄膜。本发明专利技术原料廉价易得,工艺过程简单易操作,并具有使用试剂污染小、反应重复性好、制备条件温和等优点。所得的碘掺杂氧化锌复合薄膜具有高的疏水性,并在抗菌实验中表现出良好的催化活性,且性能稳定、循环性好。循环性好。循环性好。

【技术实现步骤摘要】
具有抗菌功能的高疏水性碘掺杂ZnO复合薄膜的制备方法


[0001]本专利技术属于材料合成
,具体涉及一种定向生长的高疏水性碘掺杂氧化锌复合薄膜材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]从2003年全球爆发的“非典型肺炎”,到2019年末至今仍困扰着人类的“新冠肺炎”,由细菌、病毒等微生物所引发的疾病时刻威胁着人类的健康。1985年,Matsunaga等人首次就TiO2半导体负载贵金属Pt可以在光照下对细菌进行灭活进行了报道说明,就此打开了光催化在抗菌领域的大门。半导体催化剂在光激发下会产生电子空穴对,电子空穴对与水进一步反应生成具有强氧化性的自由基(
·
O
2-、H2O2、
·
OH等),产生的这些活性氧化物种(
·
O
2-、H2O2、
·
OH等)可进攻细菌,破坏细菌的膜结构并且进一步与脂类、核酸、蛋白质、酶类等生物大分子作用,使其丧失基本的生理功能,扰乱其新陈代谢规律,彻底杀灭细菌。但由于半导体光生载流子的产生、分离、迁移速率有限,又或者是光生电子-空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高疏水性碘掺杂ZnO复合薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)配制一定浓度的Zn(OAc)2∙
2H2O乙二醇甲醚溶液,然后在不断搅拌的条件下逐滴加入一定量的二乙醇胺,再在恒温水浴条件下继续搅拌反应一段时间,得种子液;(2)将基底材料依次在乙醇、丙酮、去离子水中各超声洗涤3 min,循环三次,烘干;(3)将步骤(2)处理好的基底材料放入步骤(1)所得种子液中,采用提拉镀膜法,反复提拉三次;每次提拉后将基底材料置于烘箱中干燥,最后一次干燥后再将基底材料进行煅烧,使基底材料表面形成氧化锌种子层;(4)将一定量的HIO3加入到去离子水中配成HIO3溶液,并用一定浓度的氨水溶液调节pH值,然后向HIO3溶液中加入一定量的Zn(NO3)2∙
6H2O和C6H
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N4,于水浴锅中恒温搅拌反应一段时间,得生长液;(5)将步骤(3)得到的表面镀有氧化锌种子层的基底材料垂直浸入步骤(4)的生长液中,反应一段时间;(6)将步骤(5)反应后的基底材料取出,用去离子水冲去表面附着的液体,室温下干燥,得到所述碘掺杂氧化锌复合薄膜。2. 根据权利要求1所述的高疏水性碘掺杂ZnO复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所配制Zn(OAc)2

2H2...

【专利技术属性】
技术研发人员:林华香金玉博杨浩国王绪绪员汝胜龙金林张子重
申请(专利权)人:福州大学
类型:发明
国别省市:

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