一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法技术

本发明专利技术提供一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法。所述像素电路包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述像素驱动单元电路用于驱动对应的像素，每个所述感光驱动单元电路用于接收光学式触控信号，并将所述光学式触控信号转换为电流信号；其中，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号。本发明专利技术通过在原有的像素电路中增加一个感光驱动单元电路，所述感光驱动单元电路可以复用原有像素电路的时序，实现感光识别，由于本发明专利技术是在原有的像素电路中内嵌一个感光驱动单元电路，对制程工艺改变较小，容易实现量产，可实现远距离触控的检测。可实现远距离触控的检测。可实现远距离触控的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法。

技术介绍

[0002]常见的触摸屏根据技术种类可以分为电阻式触摸屏，电容式触摸屏，超声波式触摸屏，光学式触摸屏和电磁式触摸屏。目前触摸屏的驱动电路基本都是集成在显示面板内部，导致显示面板的集成电路设计难度大，成本较高，难以实现量产。故，有必要改善这一缺陷。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法，用于解决现有技术的触摸屏，其驱动电路设计难度大，成本较高，难以实现量产的技术问题。
[0004]本专利技术实施例提供一种像素电路，包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路。每个所述像素驱动单元电路用于驱动对应的像素。每个所述感光驱动单元电路用于接收光学式触控信号，并将所述光学式触控信号转换为电流信号。其中，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号。
[0005]在本专利技术实施例提供的像素电路中，每个所述感光驱动单元电路包括信号读取线。所述信号读取线用于读取所述电流信号。所述电流信号用以指示第一坐标，所述第二扫描信号用以指示第二坐标，所述第一坐标与所述第二坐标组合形成触控点位。
[0006]在本专利技术实施例提供的像素电路中，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管。
[0007]其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接。
[0008]所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接。
[0009]所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述信号读取线电连接。
[0010]所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接。
[0011]在本专利技术实施例提供的像素电路中，每个所述像素驱动单元电路包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第二存储电容以及发光二极管。
[0012]其中，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述固定电压电连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与第二节点电连接。
[0013]所述第五薄膜晶体管的栅极与控制信号电连接，所述第五薄膜晶体管的源极与第三节点电连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与电源正电压电连接。
[0014]所述第六薄膜晶体管的栅极与所述控制信号电连接，所述第六薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的正极电连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与第四节点电连接。
[0015]所述第七薄膜晶体管的栅极与所述第二节点电连接，所述第七薄膜晶体管的源极与所述第四节点电连接，所述第七薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接。
[0016]所述第八薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第八薄膜晶体管的源极与数据信号电连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接。
[0017]所述第九薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第九薄膜晶体管的源极与所述第二节点电连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述第四节点电连接。
[0018]所述第二存储电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第二存储电容的第二端与所述电源正电压电连接。
[0019]所述发光二极管的负极接地。
[0020]在本专利技术实施例提供的像素电路中，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号由外部栅极驱动器提供，所述控制信号由外部时序控制器提供。
[0021]在本专利技术实施例提供的像素电路中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管以及所述第九薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。
[0022]在本专利技术实施例提供的像素电路中，所述外部栅极驱动器和所述外部时序控制器用以提供像素重置阶段、像素补偿阶段以及像素发光阶段的信号。在所述像素重置阶段，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号和所述控制信号为高电位。在所述像素补偿阶段，所述第二扫描信号为低电位，所述第一扫描信号和所述控制信号为高电位。在所述像素发光阶段，所述控制信号为低电位，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号为高电位。
[0023]本专利技术实施例提供一种显示面板，包括衬底基板以及上述的像素电路。其中，所述像素电路设置于所述衬底基板上。
[0024]本专利技术实施例还提供一种显示面板的光学式触控识别方法，包括步骤：
[0025]提供一显示面板，其中，所述显示面板包括衬底基板以及像素电路，所述像素电路设置于所述衬底基板上，所述像素电路包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号，其中，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接；所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与信号读取线电连接；所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接；
[0026]进入像素重置阶段，其中，所述第一扫描信号提供低电位，所述第二扫描信号提供
高电位，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管导通，所述第三薄膜晶体管截止，所述电源负电压传输至所述第一节点；
[0027]进入像素补偿阶段，其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供低电位，所述第一薄膜晶体管截止，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管导通；所述感光二极管若被激光照射，会形成电流信号，所述信号读取线读取所述电流信号，其中，所述电流信号为第一坐标，所述第二扫描信号为第二坐标，所述第一坐标和所述第二坐标组合形成触控点位；以及
[0028]进入像素发光阶段，其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供高电位，所述第一薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管截止。
[0029]在本专利技术实施例提供的显示面板的光学式触控识别方法中，所述第一扫描信号、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述像素驱动单元电路用于驱动对应的像素，每个所述感光驱动单元电路用于接收光学式触控信号，并将所述光学式触控信号转换为电流信号；其中，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号。2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，每个所述感光驱动单元电路包括信号读取线，所述信号读取线用于读取所述电流信号，所述电流信号用以指示第一坐标，所述第二扫描信号用以指示第二坐标，所述第一坐标与所述第二坐标组合形成触控点位。3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管；其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接；所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述信号读取线电连接；所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接。4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，每个所述像素驱动单元电路包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第二存储电容以及发光二极管；其中，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述固定电压电连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与第二节点电连接；所述第五薄膜晶体管的栅极与控制信号电连接，所述第五薄膜晶体管的源极与第三节点电连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与电源正电压电连接；所述第六薄膜晶体管的栅极与所述控制信号电连接，所述第六薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的正极电连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与第四节点电连接；所述第七薄膜晶体管的栅极与所述第二节点电连接，所述第七薄膜晶体管的源极与所述第四节点电连接，所述第七薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接；所述第八薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第八薄膜晶体管的源极与数据信号电连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接；所述第九薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第九薄膜晶体管的源极与所述第二节点电连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述第四节点电连接；所述第二存储电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第二存储电容的第二端与所述电源正电压电连接；所述发光二极管的负极接地。5.如权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号由外部栅极驱动器提供，所述控制信号由外部时序控制器提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：林丹，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：