本申请公开了一种光线调制结构及其制备方法、显示装置，用以拓宽光线调制结构反射波长范围。光线调制结构包括：显示基板和对向基板，液晶层和透明介电挡墙；光线调制结构划分为多个光线调制单元；每一光线调制单元中，显示基板包括：驱动电路，第一控制电极；第一控制电极包括：第一电极部；驱动电路被配置为控制第一电极部形成电场；透明介电挡墙包括：第一透明介电子挡墙；每一第一透明介电子挡墙与一个第一电极部对应；在第一方向上，第一透明介电子挡墙在第一高度具有第一宽度，第一透明介电子挡墙在第二高度具有第二宽度，第一宽度和第二宽度不相等；液晶层包括胆甾相液晶；胆甾相液晶的螺距在第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。呈梯度分布。呈梯度分布。
【技术实现步骤摘要】
一种光线调制结构及其制备方法、显示装置
[0001]本申请涉及光线调制
，尤其涉及一种光线调制结构及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]胆甾相液晶(ChLC)因具有宽波反射光电特性，广泛应用于反射型显示器件、激光防护、军事红外隐身等多个领域。ChLC的分子排列方式呈多层结构，层内各分子长轴依靠端基作用相互平行，层间分子指向失连续均匀偏转，形成螺旋结构。当螺旋轴与入射光平行时，ChLC具有选择性光反射特性，与ChLC螺旋结构旋向相同、中心波长λ0＝n
×
P、反射波宽Δλ＝Δn
×
P的圆偏振光会被反射，而其余波段的光将透过，其中，n和Δn分别为液晶的平均折射率和双折射率，P为ChLC的螺距。然而，单一螺距的ChLC选择性反射入射光的波长范围较窄，目前，现有技术采用如下方法拓宽反射波长范围：层叠法、光/热诱导分子扩散法、或者外场刺激手性材料浓度变化或螺旋扭曲力变化法。但是，层叠法会发生光散射和光吸收，影响光效。光/热诱导分子扩散法仅适用于含有特定官能团的液晶。外场刺激手性材料浓度变化或螺旋扭曲力变化法仅适用于含手性材料的液晶。综上，现有技术拓宽反射波长范围的方法影响光效或仅适用于特定条件的液晶材料。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供了一种光线调制结构及其制备方法、显示装置，用以拓宽光线调制结构反射波长范围。
[0004]本申请实施例提供的一种光线调制结构，所述光线调制结构包括：相对设置的显示基板和对向基板，位于所述显示基板和所述对向基板之间的液晶层和透明介电挡墙；
[0005]所述光线调制结构划分为多个光线调制单元；
[0006]每一所述光线调制单元包括：位于所述显示基板上的驱动电路，以及与所述驱动电路电连接的第一控制电极；所述第一控制电极包括：多个电连接的第一电极部；所述驱动电路被配置为控制所述第一电极部形成电场；
[0007]每一所述光线调制单元中，所述透明介电挡墙包括：至少一个第一透明介电子挡墙；每一所述第一透明介电子挡墙与一个所述第一电极部对应；
[0008]在垂直于显示基板所在平面方向上，所述第一透明介电子挡墙具有第一高度和第二高度；在所述第一方向上，所述第一透明介电子挡墙在所述第一高度具有第一宽度，所述第一透明介电子挡墙在所述第二高度具有第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度不相等；
[0009]每一所述光线调制单元中，所述液晶层包括胆甾相液晶；所述胆甾相液晶位于沿所述第一方向排列的所述第一电极部之间；所述胆甾相液晶的螺距在所述第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。
[0010]在一些实施例中，每一所述光线调制单元中包括多个所述第一透明介电挡墙，所
述第一透明介电挡墙与所述第一电极部一一对应。
[0011]在一些实施例中，在所述对向基板指向所述显示基板的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙在所述第一方向上的宽度逐渐减小。
[0012]在一些实施例中，在所述对向基板指向所述显示基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。
[0013]在一些实施例中，在所述显示基板指向所述对向基板的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙在所述第一方向上的宽度积逐渐减小。
[0014]在一些实施例中，在所述显示基板指向所述对向基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。
[0015]在一些实施例中，在垂直于显示基板所在平面的方向上，所述第一透明介电挡墙的截面的形状为三角形。
[0016]在一些实施例中，所述三角形底边长度范围为0.6微米～1微米，所述三角形在垂直所述显示基板所在平面的方向上的高度为3微米～5微米。
[0017]在一些实施例中，所述透明介电挡墙在所述显示基板所在平面的正投影的形状为网格状；所述第一透明介电子挡墙沿第二方向延伸，所述透明介电挡墙还包括：与所述第一透明介电子挡墙连接且沿所述第一方向延伸的第二透明介电子挡墙，所述第一方向和所述第二方向交叉。
[0018]在一些实施例中，所述第一电极部在所述显示基板所在平面的正投影的形状为条形，所述第一电极部沿所述第二方向延伸；
[0019]所述第一电极部在所述显示基板所在平面的正投影与所述第一透明介电子挡墙在所述显示基板所在平面的正投影存在交叠。
[0020]在一些实施例中，所述透明介电挡墙的材料包括：透明丙烯酸。
[0021]本申请实施例提供的一种光线调制结构的制备方法，所述方法包括：
[0022]制作显示基板和对向基板；其中，所述光线调制结构划分为多个光线调制单元，每一所述光线调制单元包括：位于所述显示基板上的驱动电路，以及与所述驱动电路电连接的第一控制电极，所述第一控制电极包括：多个电连接的第一电极部；
[0023]在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙以及液晶层；其中，每一所述光线调制单元中，所述透明介电挡墙包括：至少一个第一透明介电子挡墙，所述液晶层包括胆甾相液晶，所述胆甾相液晶位于沿所述第一方向排列的所述第一电极部之间；每一所述第一透明介电子挡墙与一个所述第一电极部对应；在垂直于显示基板所在平面方向上，所述第一透明介电子挡墙具有第一高度和第二高度；在所述第一方向上，所述第一透明介电子挡墙在所述第一高度具有第一宽度，所述第一透明介电子挡墙在所述第二高度具有第二宽度；所述胆甾相液晶的螺距在所述第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。
[0024]在一些实施例中，在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙，具体包括：
[0025]在所述显示基板上依次涂覆丙烯酸以及纳米压印胶；
[0026]采用纳米压印工艺处理所述纳米压印胶，形成所述纳米压印胶的图案；
[0027]采用刻蚀工艺形成所述透明介电挡墙的图案；
[0028]将形成所述透明介电挡墙的所述显示基板和所述对向基板进行对盒工艺。
[0029]在一些实施例中，在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙，具体包括：
[0030]在所述对向基板上依次涂覆丙烯酸以及纳米压印胶；
[0031]采用纳米压印工艺处理所述纳米压印胶，形成所述纳米压印胶的图案；
[0032]采用刻蚀工艺形成所述透明介电挡墙的图案；
[0033]将形成所述透明介电挡墙的所述对向基板和所述显示基板进行对盒工艺。
[0034]本申请实施例提供的一种液晶装置，所述液晶装置包括本申请实施例提供的光线调制结构。
[0035]本申请实施例提供的光线调制结构及其制备方法、液晶装置，在显示基板和对向基板之间设置透明介电挡墙，该透明介电挡墙包括与第一控制电极中的第一电极部对应的第一透明介电子挡墙，在第一方向上，第一透明介电子挡墙在第一高度具有第一宽度，第一透明介电子挡墙在第二高度具有第二宽度，且第一宽度和第二宽度不相等。从而当对第一电极部提供电压时，在垂直于显示基板所在平面方向上，第一高度的第一透明介电子挡墙与第二高度的第一透明介电子挡墙对第一电极部形成的电场的影响程本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光线调制结构，其特征在于，所述光线调制结构包括：相对设置的显示基板和对向基板，位于所述显示基板和所述对向基板之间的液晶层和透明介电挡墙；所述光线调制结构划分为多个光线调制单元；每一所述光线调制单元包括：位于所述显示基板上的驱动电路，以及与所述驱动电路电连接的第一控制电极；所述第一控制电极包括：多个电连接的第一电极部；所述驱动电路被配置为控制所述第一电极部形成电场；每一所述光线调制单元中，所述透明介电挡墙包括：至少一个第一透明介电子挡墙；每一所述第一透明介电子挡墙与一个所述第一电极部对应；在垂直于显示基板所在平面方向上，所述第一透明介电子挡墙具有第一高度和第二高度；在所述第一方向上，所述第一透明介电子挡墙在所述第一高度具有第一宽度，所述第一透明介电子挡墙在所述第二高度具有第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度不相等；每一所述光线调制单元中，所述液晶层包括胆甾相液晶；所述胆甾相液晶位于沿所述第一方向排列的所述第一电极部之间；所述胆甾相液晶的螺距在所述第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。2.根据权利要求1所述的光线调制结构，其特征在于，每一所述光线调制单元中包括多个所述第一透明介电挡墙，所述第一透明介电挡墙与所述第一电极部一一对应。3.根据权利要求1所述的光线调制结构，其特征在于，在所述对向基板指向所述显示基板的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙在所述第一方向上的宽度逐渐减小。4.根据权利要求3所述的光线调制结构，其特征在于，在所述对向基板指向所述显示基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。5.根据权利要求1所述的光线调制结构，其特征在于，在所述显示基板指向所述对向基板的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙在所述第一方向上的宽度逐渐减小。6.根据权利要求5所述的光线调制结构，其特征在于，在所述显示基板指向所述对向基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。7.根据权利要求1所述的光线调制结构，其特征在于，在垂直于所述显示基板所在平面的方向上，所述第一透明介电挡墙的截面的形状为三角形。8.根据权利要求7所述的光线调制结构，其特征在于，所述三角形底边长度范围为0.6微米～1微米，所述三角形在垂直所述显示基板所在平面的方向上的高度为3微米～5微米。9.根据权利要求1～8任一项所述的光线调制结构，其特征在于，所述透明介电挡墙在所述显示基板所在平面的正投影的形状为网格状；所述第一透明介电子挡墙沿第二方...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘永兴，康昭，李树磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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