变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构及变压器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构，在补偿变压器器身中设置第一补偿绕组、第二补偿绕组，将主体变压器器身中的第三绕组与第一补偿绕组、第二补偿绕组串联。本实用新型专利技术还涉及一种变磁通调压自耦变压器，应用上述的第三绕组的电压补偿结构，包括：主体变压器器身、补偿变压器器身，所述的主体变压器器身与补偿变压器器身设置在一个油箱内。本实用新型专利技术保证第三绕组电压恒定，不会引起第三绕组电压波动；采用变磁通调压，有效降低了调压绕组的对地电压，有效降低了超高压自耦电力变压器分接开关的绝缘水平；提高第三绕组与串联绕组、第三绕组与公共绕组短路阻抗，进而提高第三绕组的抗短路能力。进而提高第三绕组的抗短路能力。进而提高第三绕组的抗短路能力。

【技术实现步骤摘要】
变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构及变压器


[0001]本技术属于电力变压器生产制造
，具体涉及一种变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构及变压器。

技术介绍

[0002]超高压自耦电力变压器常用于两个超高压输电系统之间的联络变压器，当其所联接的电网均为超高压系统时，则该自耦变压器的串联绕组、公共绕组均为超高压电压等级。
[0003]传统的超高压自耦电力变压器的调压结构通常采用公共绕组线端调压方式。随着公共绕组电压等级的提高，变压器分接开关制造难度与价格越高，当公共绕组的绝缘水平超过现有开关的制造水平时，常规的线端调压结构便不再适用；若采用中性点调压方式，调压绕组串联于串联绕组与公共绕组的末端，当开关的档位变化时，为了保持串联绕组与公共绕组的电压恒定，铁芯内的磁通量随开关档位的调节变化，会导致第三绕组电压波动。另外，为了提高第三绕组的抗短路能力，通常需要增大第三绕组的容量，增加了变压器的制造成本。

技术实现思路

[0004]为解决这一系列技术问题，本技术提出了一种变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构，该结构可以实现超高压自耦变压器变磁通调压时第三绕组的电压恒定，同时第三绕组与串联绕组、第三绕组与公共绕组的短路阻抗可以达到200％以上，提高了第三绕组的抗短路能力。本技术所采用的技术方案如下：
[0005]变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构，在补偿变压器器身中设置第一补偿绕组、第二补偿绕组，主体变压器器身套装在主体变压器铁芯柱上，将主体变压器器身中的第三绕组与第一补偿绕组、第二补偿绕组串联。第一补偿绕组、第二补偿绕组与第三绕组串联，补偿绕组的电压刚好可以补偿中性点调压所导致的第三绕组的电压波动，从而保证第三绕组的电压恒定。
[0006]变磁通调压自耦变压器，应用上述的第三绕组的电压补偿结构，所述的变磁通调压自耦变压器包括：主体变压器器身、补偿变压器器身，所述的主体变压器器身与补偿变压器器身设置在一个油箱内。
[0007]优选的，所述的主体变压器器身的主体结构由内到外包括：第三绕组、调压绕组、公共绕组与串联绕组。
[0008]优选的，第三绕组与铁芯柱之间、各绕组之间的空隙用纸板、撑条填充。
[0009]优选的，所述的所述的补偿变压器器身包括2个柱，命名为第一补偿变压器柱、第二补偿变压器柱；所述的第一补偿变压器柱的主体结构由内到外包括：第一激磁绕组、第一补偿绕组；所述的第二补偿变压器柱的主体结构由内到外包括：第二激磁绕组、第二补偿绕组。
[0010]优选的，补偿变压器器身的第一激磁绕组、第二激磁绕组与主体变压器器身的调
压绕组的分接档位并联。其主要作用是按照调压绕组的串入公共绕组匝数的比例将电势引入补偿变压器器身中的补偿绕组。
[0011]本技术一种变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构至少具有以下优点：
[0012]⑴
适用于超高压及以上等级的自耦变压器，第三绕组采用变磁通调压的电压补偿结构，通过对第三绕组电压进行补偿，保证第三绕组电压恒定，不会引起第三绕组电压波动；
[0013]⑵
采用变磁通调压，有效降低了调压绕组的对地电压，有效降低了超高压自耦电力变压器分接开关的绝缘水平，可以使用较低绝缘水平的调压分接开关完成电压的调整，降低分接开关制造难度与价格，进而降低变压器成本；
[0014]⑶
通过提高补偿变的短路阻抗，可以提高第三绕组与串联绕组、第三绕组与公共绕组短路阻抗，进而提高第三绕组的抗短路能力。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术的具体实施方式、或者现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些具体实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的属于本申请保护范围之内的附图。
[0016]图1是本技术实施例的实现第三绕组电压补偿的原理示意图；
[0017]图中，1-主体变压器器身，2-补偿变压器器身，3-串联绕组，4-公共绕组，5-调压绕组，6-第三绕组，7-第一补偿绕组，8-第二补偿绕组，9-第一激磁绕组，10-第二激磁绕组。
具体实施方式
[0018]下面结合附图，对本技术的实施方式进行详细描述：
[0019]现有的变磁通调压自耦变压器中，主体变压器器身1与补偿变压器器身2的磁通相对独立，主体变压器的调压绕组5与补偿变压器的第一激磁绕组9、第二激磁绕组10并联。主体变压器的调压绕组5位于公共绕组4的末端，当开关的档位调节时会引起铁芯内的磁通密度变化(变磁通调压)，从而导致第三绕组6的电压波动。为了使第三绕组6的电压恒定，有必要设计补偿绕组与第三绕组串联用于补偿第三绕组的电压的波动。
[0020]如图1所示，是本技术实施例的实现第三绕组电压补偿的原理示意图。变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构，在补偿变压器器身2中设置第一补偿绕组7、第二补偿绕组8，将主体变压器器身1中的第三绕组6分别与第一补偿绕组7、第二补偿绕组8串联。第一补偿绕组7、第二补偿绕组8与第三绕组6串联，最终起到补偿第三绕组6电势波动的作用。
[0021]一种变磁通调压自耦变压器，应用上述的第三绕组的电压补偿结构，所述的变磁通调压自耦变压器包括：主体变压器器身1、补偿变压器器身2，所述的主体变压器器身1与补偿变压器器身2设置在一个油箱内，两者的相对位置关系可以根据应用需求任意布置，唯一的要求原则是变压器总的体积更小、成本更低。
[0022]所述的主体变压器器身1套装在主体变压器铁芯柱上，主体变压器器身1的主体结构由内到外包括：第三绕组6、调压绕组5、公共绕组4与串联绕组3，第三绕组6与铁芯柱之间、各绕组之间的空隙用纸板、撑条等绝缘材料填充。
[0023]所述的补偿变压器器身2包括2个柱，命名为第一补偿变压器柱、第二补偿变压器柱。所述的第一补偿变压器柱的主体结构由内到外包括：第一激磁绕组9、第一补偿绕组7；所述的第二补偿变压器柱的主体结构由内到外包括：第二激磁绕组10、第二补偿绕组8。
[0024]主体变压器器身1中的第三绕组6分别与第一补偿绕组7、第二补偿绕组8串联。补偿变压器器身2的第一激磁绕组9、第二激磁绕组10与主体变压器器身1的调压绕组5的分接档位并联。
[0025]主体变压器中调压绕组5与串联绕组3及公共绕组4套于同一铁芯上，可以通过调节调压绕组匝数同比例改变绕组的电势，该电势的变化通过与之并联的第一激磁绕组9、第二激磁绕组10引入补偿变压器，进而改变补偿绕组的电势。第一补偿绕组7、第二补偿绕组8与第三绕组6串联，最终起到补偿第三绕组6电势波动的作用，使主体变压器器身1与补偿变压器器身2的电势关联。
[0026]最后需要说明的是：以上实施例，仅为本技术的具体实施方式，用以说明本技术的技术方案，而非对其限本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.变磁通调压自耦变压器第三绕组的电压补偿结构，其特征在于，在补偿变压器器身(2)中设置第一补偿绕组(7)、第二补偿绕组(8)，主体变压器器身(1)套装在主体变压器铁芯柱上，将主体变压器器身(1)中的第三绕组(6)与第一补偿绕组(7)、第二补偿绕组(8)串联。2.变磁通调压自耦变压器，其特征在于，应用权利要求1所述的第三绕组的电压补偿结构，所述的变磁通调压自耦变压器包括：主体变压器器身(1)、补偿变压器器身(2)，所述的主体变压器器身(1)与补偿变压器器身(2)设置在一个油箱内。3.根据权利要求2所述的变磁通调压自耦变压器，其特征在于，所述的主体变压器器身(1)的主体结构由内到外包括：第三绕组(6)、调压绕组(5)、公共绕组...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈翀，张晓阳，孙志强，董宏林，胥建文，胡业华，谷国栋，林波，柴孟东，
申请(专利权)人：山东电力设备有限公司，
类型：新型
国别省市：