一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器，属于射频集成电路技术领域。该放大器包含的电流复用放大单元具有低功耗的特点，边带抑制功能由连接在晶体管栅极、反馈支路和输出支路的陷波器实现，多陷波器设计一方面可以提升低噪声放大器的边带抑制能力，另一方面能够拓展抑制信号的带宽。陷波器非输入端连接的设计还能够避免陷波器对低噪声放大器噪声性能的恶化。本发明专利技术可应用于集成收发通道的低功耗射频系统中。收发通道的低功耗射频系统中。收发通道的低功耗射频系统中。

【技术实现步骤摘要】
一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器


[0001]本专利技术属于射频集成电路
，特别是指一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器。

技术介绍

[0002]有源相控阵系统中一般包含多个接收和发射通道，多通道同时工作会带来系统散热以及可靠性问题，对接收通道来说，完成接收通道前端放大的低噪声放大器应该在功耗受限情况下实现低噪声放大的功能，而电流复用技术是低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)电路低功耗设计的有效手段。另外，接收通道和发射通道通常复用一个天线元，由于发射通道的信号幅度较大，接收通道存在受到发射通道干扰的风险。为了避免这种风险，首先在频率规划上将接收和发射通道的工作频段分开，但受频率资源的限制，接收和发射通道的中心频差是有限的；其次，在接收电路设计过程中采用纯技术手段对接收频带以外的信号进行抑制。例如：
[0003]Vincenzo Chironi,Stefano D
’
Amico等人在ICICDT 2013，第171-174页的“A Dual-Band Balun LNA 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器，其特征在于：包括由晶体管M0～M
n
、片上电感器L0、L
S1
～L
Sn+2
和片上电容器C0、C
P1
～C
Pn
构成的电流复用放大单元，n≥1；其中，信号从片上电容器C0的一端输入，C0的另一端与晶体管M0的栅极相连，片上电感器L0的一端连接到晶体管M0的栅极，L0的另一端连接到偏置电压V
B0
；片上电感器L
Si
串联连接在晶体管M
i
的源极和M
i-1
的漏极之间，晶体管M
i
的源极又与片上电容器C
Pi
一端相连，片上电容器C
Pi
的另一端接地，1≤i≤n；晶体管M
n
的漏极与电源V
DD
之间连接由片上电感器L
Sn+1
和L
Sn+2
组成的串联网络，L
Sn+1
和L
Sn+2
的串联节点连接着一个反馈支路和一个输出支路。2.根据权利要求1所述的一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器，其特征在于：晶体管M1～M
n
的栅极各包含一个陷波器，晶体管M
i
的栅极与由片上电感器L<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨格亮，廖春连，韩威，王尧，吴迪，王旭东，曲明，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：