一种介质谐振器、滤波器、双工器、多工器、通讯基站制造技术

本发明专利技术公开了一种介质谐振器，包括具有第一介电常数的介质本体和至少一个具有第二介电常数的内置体，所述内置体包裹在所述介质本体内部，所述第一介电常数不等于第二介电常数。本发明专利技术还公开了一种滤波器、双工器以及多工器。本发明专利技术采用全封闭式结构，改变了现有的谐振器的结构，提高了谐振器的工业价值，在介质本体体积相同的情况下本发明专利技术的介质谐振器Q值相对于传统打孔谐振器的Q值明显提高。值相对于传统打孔谐振器的Q值明显提高。值相对于传统打孔谐振器的Q值明显提高。

【技术实现步骤摘要】
一种介质谐振器、滤波器、双工器、多工器、通讯基站


[0001]本专利技术属于通信
，具体涉及一种介质谐振器、滤波器、双工器、多工器、通讯基站。

技术介绍

[0002]电磁谐振器是一种储存一定电磁能量的元件，电能和磁能在其中周期地互相转换，这种过程称为振荡。振荡的频率称为谐振频率。传统的谐振器是金属空腔，电能和磁能在腔内互相转换。
[0003]随着无线通信系统的快速发展，高性能、小型化的无源器件成为研究的热点。传统的介质谐振器滤波器是将其置于金属波导中，体积大、重量大、加工复杂。目前常用的滤波器通过在介质本体上开设盲孔形成谐振腔，通过调节盲孔的尺寸(例如深度、直径等)实现谐振频率的调节，例如中国专利ZL201810247185.4公开了在介质本体上开设盲孔的谐振器，通过盲孔可以实现谐振频率的调节，在一定程度上减轻了谐振器的重量，也能满足目前通信领域对滤波器的要求。
[0004]但是，随着5G时代的到来，要求整个通讯系统高性能化、小型化。现有的滤波器结构已经不能满足5G低延时、更高速、更可靠的要求。为了满足5G通信基站的要求，谐振器及滤波器的结构设计也越来越复杂，原有的谐振器的孔槽数量和形状都发生了变化，虽然能使滤波器在性能上大大提升；但是，由于孔槽数量和形状的变化，一方面会使得导电金属材料(银浆的用量)增加，增加了产品的成本；另一方由于滤波器的使用场景大多在户外，调试孔表面的金属层会随着时间的推移被磨掉导致产品性能受损或无法使用；此外，孔槽数量及形状的变化也加大了加工的难度。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种介质谐振器，采用完全封闭式的结构，改变现有的谐振器的结构，提高谐振器的工业价值和谐振器的电性能。
[0006]为解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：
[0007]一种介质谐振器，包括具有第一介电常数的介质本体和至少一个具有第二介电常数的内置体，所述内置体被包裹在所述介质本体内部，所述第一介电常数不等于第二介电常数。
[0008]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体包括第一实体部分和第二实体部分，所述第一实体部分或第二实体部分设有一端开口的容纳腔，所述内置体所述容纳腔中，所述第二实体部分与第一实体合并一体后用于封闭所述容纳腔。
[0009]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体包括第一实体部分和第二实体部分，所述第一实体部分设置有第一容纳槽，所述第二部分设置有第二容纳槽；所述第一实体与第二实体合并一体后，第一容纳槽和第二容纳槽合并形成封闭的容纳腔，所述内置体设置于所述容纳腔中。
[0010]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体包括实体部分和盖体，所述实体部分设有一端开口的容纳腔，所述内置体设置于所述容纳腔中，所述盖体配合设置在容纳腔的开口处。
[0011]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的第一介电常数大于所述第二介电常数。
[0012]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的第一介电常数小于所述第二介电常数。
[0013]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体与内置体外周存在界面。
[0014]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体表面包被有金属导电层。
[0015]本专利技术还提供了一种介质谐振器，该介质谐振器由内往外依次包括具有第二介电常数的内置体、至少一层包覆在内置体外周且具有第三介电常数的介质包覆层以及具有第一介电常数的介质本体，所述介质包覆层被包裹在所述介质本体内部，所述第一介电常数、第二介电常数、第三介电常数均不相等。
[0016]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体与介质包裹层的连接面、介质包裹层与内置体的连接面存在界面。
[0017]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体为介质本体的材料为陶瓷、玻璃、塑料、石料、水晶、混凝土、宝石、玛瑙中的一种，所述内置体的材料为陶瓷、玻璃、塑料、石料、水晶、混凝土、宝石、玛瑙中的一种。
[0018]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的第一介电常数的取值范围为2～200，所述第二介电常数的取值范围为2～200。
[0019]本专利技术还提供了一种滤波器，所述滤波器至少包括一个本专利技术所述的介质谐振器。
[0020]本专利技术还提供了一种双工器，所述双工器至少包括一个本专利技术所述的介质谐振器。
[0021]本专利技术还提供了一种多工器，所述双工器至少包括一个本专利技术所述的介质谐振器。
[0022]本专利技术还提供了一种通讯基站，该通讯基站至少包括一个本专利技术所述的介质谐振器。
[0023]相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0024]1.本专利技术所述的介质谐振器采用包裹式全封闭结构，是一种无需开孔的谐振器，改变了传统开孔设计的谐振器结构；包裹式结构的谐振器由于无需开孔设计，极大提高了谐振器的工业价值，表现为在介质本体体积相同的条件下，其Q值可以提高10％-80％。
[0025]2.本专利技术所述的介质谐振器改变了能量储存分布方式，介质谐振器的储能主要集中在介质内部，余下能量逐渐衰减，分布在周围空间，保留了储能的结构，且未增加耗能的结构。
[0026]3.本专利技术所述的介质谐振器采用的嵌入式结构大大较低了加工难度，提高了成品率。
[0027]4.本专利技术所述的介质谐振器相对于现有技术，节约了银浆的使用，降低了产品的成本，同时延长了产品的使用寿命。
[0028]5.本专利技术所述的介质谐振器可应用于通讯领域的滤波器、双工器，及多工器、功分器、耦合器等。
[0029]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术所述的介质谐振器的示意图；
[0032]图2为本专利技术图1的介质谐振器A-A方向的剖视图；
[0033]其中，各附图标记为：1、介质本体；2、内置体。
具体实施方式
[0034]本专利技术中出现的相关术语的解释：
[0035]“介质本体”是指谐振器的本体部分，所述“内置体”是指包裹在介质本体内部用于与本体部分形成谐振器的部分。
[0036]本专利技术中出现的“第一”、“第二”等词汇等仅用于描述目的，不是数量限制，也不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0037]如图1、图2所示，本专利技术所述的介质谐振器，包括具有第一介电常数的介质本体1和至少一个具有第二介电常数的内置体2，所述内置体2被包裹在所述介质本体1内部，所述第一介电常数不等于第二介电常数。在本专利技术中，内置体设置在介质本体内部，由于两者的介电常数不相等，内置体和介质本体的储能不相等，通过调节介质本体的体积或者/和内置体的体积可以得到不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质谐振器，其特征在于，包括具有第一介电常数的介质本体和至少一个具有第二介电常数的内置体，所述内置体被包裹在所述介质本体内，所述第一介电常数不等于第二介电常数。2.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述介质本体包括第一实体部分和第二实体部分，所述第一实体部分或第二实体部分设有一端开口的容纳腔，所述内置体设置于所述容纳腔中，所述第二实体部分与第一实体合并一体后用于封闭所述容纳腔。3.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述介质本体包括第一实体部分和第二实体部分，所述第一实体部分设置有第一容纳槽，所述第二部分设置有第二容纳槽；所述第一实体与第二实体合并一体后，第一容纳槽和第二容纳槽形成封闭的容纳腔，所述内置体设置于所述容纳腔中。4.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述介质本体包括实体部分和盖体，所述实体部分设有一端开口的容纳腔，所述内置体配合设于所述容纳腔中，所述盖体配合设置在容纳腔的开口处。5.根据权利要求1-4任一项所述的介质谐振器，其特征在于，所述第一介电常数大于所述第二介电常数。6.根据权利要求1-4任一项所述的介质谐振器，其特征在于，所述第一介电常数小于所述第二介电常数。7.根据权利要求1-4任一项所述的介质谐振器，其特征在于，所述介质本体与内置体在介质本体内的部分存在界面。8.一种介质谐振器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍隽，潘彦龙，蔡汇钢，蒋匆聪，闵祥会，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：